elm14828aa

デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM14828AA-N
■概要
■特長
ELM14828AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=60V
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Id=4.5A (Vgs=10V)
MOSFET です。
・ Rds(on) < 56mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 77mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
備考
60
V
±20
V
4.5
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
3.6
20
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
Pd
接続温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
2.00
1.28
-55 ~ 150
A
1
A
2
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
t≦10s
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
Rθja
定常状態
定常状態
Rθjl
■端子配列図
Typ.
48.0
Max.
62.5
単位
℃/W
74.0
35.0
110.0
60.0
℃/W
℃/W
備考
1
3
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
端子記号
1
2
3
SOURCE2
GATE2
SOURCE1
4
5
6
GATE1
DRAIN1
DRAIN1
7
8
DRAIN2
DRAIN2
4-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM14828AA-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
60
1
Vds=60V
Vgs=0V
Ta=55℃
Vds=0V, Vgs=±20V
5
100
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
オン状態ドレイン電流
20
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
Vgs=10V
Rds(on) Id=4.5A
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
ダイオード パルス電流
動的特性
Is
Ism
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ゲート抵抗
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
Qg
Qg
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
Qgs
Qgd
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Ta=125℃
2.1
46
80
64
Vds=5V, Id=4.5A
Is=1A, Vgs=0V
11
0.74
Vgs=0V, Vds=30V
f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 1.30
Vgs=10V, Vds=30V
Id=4.5A
If=4.5A, dlf/dt=100A/μs
If=4.5A, dlf/dt=100A/μs
3.0
μA
nA
V
A
Vgs=4.5V, Id=3A
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=30V
td(off) RL=6.7Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
Qrr
V
450
56
100 mΩ
77
1.00
S
V
3
20
A
A
540
pF
60
25
2
pF
pF
1.65
2.00
Ω
8.5
4.3
10.5
5.5
nC
nC
1.6
2.2
nC
nC
4.7
2.3
15.7
ns
ns
ns
1.9
27.5
32.0
ns
ns
nC
35.0
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
AO4828.AO4828L
ELM14828AA-N
■標準特性と熱特性曲線
TYPICAL
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
20
15
10.0
5.0V
Vds=5V
10
4.5V
125°C
Id (A)
Id (A)
15
10
4.0V
5
5
25°C
Vgs=3.5V
0
0
1
2
3
4
0
5
2
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
3.5
4
4.5
5
2
80
Normalized On-Resistance
90
Rds(on) (m�)
3
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
100
Vgs=4.5V
70
60
50
Vgs=10V
40
30
20
0
5
10
15
Vgs=10V
1.8
Id=4.5A
1.6
Vgs=4.5V
Id=3.0A
1.4
1.2
1
0.8
20
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
160
1.0E+01
Id=4.5A
140
1.0E+00
125°C
1.0E-01
120
Is (A)
Rds(on) (m�)
2.5
125°C
100
1.0E-02
25°C
1.0E-03
80
25°C
60
1.0E-04
1.0E-05
40
2
4
6
8
0.0
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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4-3
AO4828.AO4828L
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM14828AA-N
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
800
Vds=30V
Id= 4.5A
6
4
2
600
Ciss
400
Coss
200
Crss
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
40
Rds(on)
limited
10�s
100�s
10.0
1ms
10ms
1s
1.0
10s
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
0.1s
10
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
100
Vds (Volts)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
60
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
50
10
DC
1
40
30
0.1
0.1
30
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
Id (Amps)
100.0
20
0.01
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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