elm18814ba

デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン)
ELM18814BA-S
■概要
■特長
ELM18814BA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Vds=20V
・ Id=7.5A (Vgs=10V)
MOSFET です。 また、 保護回路によって ESD 耐性が
あります。
・ Rds(on) < 16mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 18mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 24mΩ (Vgs=2.5V)
・ Rds(on) < 34mΩ (Vgs=1.8V)
・ ESD Rating : 2500V HBM
■絶対最大定格値
項目
記号
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
連続ドレイン電流
Ta=25℃
Vds
20
V
Vgs
±12
7.5
V
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
最大許容損失
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
備考
6.0
30
1.50
Idm
Tc=25℃
Pd
Tc=70℃
接続温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
0.96
-55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
記号
t≦10s
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
TSSOP-8(TOP VIEW)
Typ.
64
Max.
83
単位
℃/W
89
53
120
70
℃/W
℃/W
備考
1
3
■回路
端子番号
端子記号
1
DRAIN1/DRAIN2
2
SOURCE1
3
4
5
SOURCE1
GATE1
GATE2
6
7
8
SOURCE2
SOURCE2
DRAIN1/DRAIN2
4-1
D2
D1
G2
G1
S1
S2
デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン)
ELM18814BA-S
■電気的特性
項目
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
ゲート漏れ電流
ゲート - ソース降伏電圧
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
記号
条件
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
Igss
BVgso
Vgs(th)
Id(on)
Vds=16V, Vgs=0V
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
20
Ta=125℃
Rds(on) Vgs=4.5V, Id=7A
Vgs=2.5V, Id=6A
Vgs=1.8V, Id=5A
Gfs Vds=5V, Id=7.5A
Vsd Is=1A, Vgs=0V
Is
Ciss
Coss
Crss
Rg
Qg
Qgs
Qgd
td(on)
tr
td(off)
tf
trr
Qrr
V
1
5
10
Ta=55℃
Vds=0V, Vgs=±10V
Vds=0V, Ig=±250μA
Vds=Vgs, Id=250μA
Vgs=4.5V, Vds=5V
Vgs=10V, Id=7.5A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=10V
Id=7.5A
Vgs=5V, Vds=10V
RL=1.3Ω, Rgen=3Ω
If=7.5A, dlf/dt=100A/μs
If=7.5A, dlf/dt=100A/μs
±12
0.50
30
0.71
1.00
13
18
15
19
26
30
0.74
16
22
18
24
34
1.00
2.5
μA
μA
V
V
A
mΩ
S
V
A
1390
190
150
1.5
pF
pF
pF
Ω
15.4
1.4
4.0
6.2
11.0
40.5
10.0
15.0
5.1
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン)
ELM18814BA-S
■標準特性と熱特性曲線
30
10V
20
Vds=5V
3V
4V
Vgs =2V
15
Id(A)
Id(A)
20
10
10
Vgs =1.5V
25°C
0
0
1
2
3
4
125°C
5
0
5
0.0
Vds(Volts)
50
Normalize ON-Resistance
1.6
40
Rds(on)(m� )
1.0
Vgs =1.8V
30
Vgs =2.5V
20
Vgs =4.5V
10
Vgs =10V
0
0
5
10
15
1.5
2.0
2.5
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Figure 1: On-Regions Characteristics
Vgs=2.5V
Id=6A
Vgs=4.5V
1.4
Id=7A
Vgs=1.8V
Id=5A
1.2
Vgs=10V
Id=7.5A
1.0
0.8
20
0
Id(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
60
1E+01
Id=7.5A
1E+00
50
125°C
1E-01
40
Is(A)
Rds(on)(m� )
0.5
125°C
30
1E-02
1E-03
20
1E-04
25°C
25°C
1E-05
10
0
2
4
6
0.0
8
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.0
デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン)
ELM18814BA-S
2000
5
Vds=10V
Id=7.5A
Ciss
1600
Capacitance (pF)
Vgs(Volts)
4
1200
3
2
800
1
400
0
0
0
5
10
15
Crss
0
20
100�s
10�s
1ms
0.1s
10ms
20
20
10
1s
10s
DC
0.1
0.1
15
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
30
Power (W)
Id (Amps)
Rds(on)
limited
1.0
10
40
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10.0
5
Vds(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
Coss
1
10
0
0.001
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
10
1
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=83°C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000
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