elm341503a

内藏肖特基二极管 双 N 沟道 MOSFET
ELM341503A-N
■概要
■特点
ELM341503A-N 是 N 沟道低输入电
容，低工作电压，低导通电阻的大电
流双沟道 MOSFET。
Q2
Q1
·Vds=30V
·Id=9A(Vgs=10V)
·Vds=30V
·Id=8A(Vgs=10V)
·Rds(on)<15.8mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on)<21.0mΩ(Vgs=10V)
·Rds(on)<20.0mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on)<32.0mΩ(Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
如没有特别注明时, Ta=25℃
项目
规格范围
记号
Q1
30
±20
9
7
±20
8
6
V
Idm
Ias
35
29
30
21
A
A
43
23
mJ
漏极 - 源极电压
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流（定常）
Id
漏极电流（脉冲）
崩溃电流
持续崩溃能量
L=0.1mH
Eas
反向电流
正向电压
Vr=25V
If=1A
Ir
Vf
容许功耗
Tc=25℃
Tc=70℃
Pd
结合部温度及保存温度范围
肖特基
单位
Q2
30
V
A
0.05
0.45
Tj, Tstg
备注
2.0
1.28
-55 t~150
1
mA
V
W
℃
备注：1.脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθja
Typ.
■引脚配置图
Max.
62.5
单位
℃/W
备注
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
引脚名称
1
2
3
DRAIN1
DRAIN1
GATE2
2
4
5
6
SOURCE2
DRAIN2/SOURCE1
DRAIN2/SOURCE1
4
7
8
DRAIN2/SOURCE1
GATE1
7- 1
1
8
Q1
3
7
6
Q2
5
内藏肖特基二极管 双 N 沟道 MOSFET
ELM341503A-N
■电特性 (Q2)
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
1
Vds=20V, Vgs=0V, Ta=125℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
V
Vds=24V, Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
30
Vgs=10V, Id=9A
Vgs=4.5V, Id=7A
Vds=10V, Id=9A
1.0
35
1.7
10.5
14.2
25
If=9A, Vgs=0V
μA
±100
nA
3.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
V
A
1
15.8
20.0
0.7
2.8
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷 (Vgs=10V)
总栅极电荷 (Vgs=4.5V)
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
备注：
Ciss
Coss
Crss
N-Channel
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
1040
295
139
pF
pF
pF
Rg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
1.5
Ω
20.0
nC
2
9.0
3.5
nC
nC
2
2
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
3.5
18
12
nC
ns
ns
2
2
2
td(off) Id=1A, Rgen=6Ω
tf
trr
If=9A, dlf/dt=100A/μs
Qrr
40
8
15
ns
ns
ns
2
2
6
nC
Qg
Qgs
Vgs=10V, Vds=15V, Id=9A
1. 脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒，
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
7- 2
Dual N-Channel Enhancement Mode Field
PD1503YVS
双 N 沟道 MOSFET
NIKO-SEM 内藏肖特基二极管
Effect Transistor
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
ELM341503A-N
■标准特性和热特性曲线
Typical Characteristics:(Q2)
Q2
Output Characteristics
VGS = 4.5V
15
VGS = 3V
10
5
0
0
RDS(ON) ╳
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
ID, Drain-To-Source Current(A)
VGS = 10V
20
0.5
1.5
2.0
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
RDS(ON) ╳
1.6
RDS(ON) ╳
1.4
RDS(ON) ╳
1.2
RDS(ON) ╳
1.0
RDS(ON) ╳
0.8
RDS(ON) ╳
0.6
10
TJ=125°C
TJ=25°C
5
TJ=-20°C
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
4.0
Capacitance Characteristic
1.50E+03
Ciss
V GS=10V
ID=9A
-25
0
25
50
75
100
9.00E+02
6.00E+02
Coss
3.00E+02
Crss
0.00E+00
0.4
TJ , Junction Temperature(˚C)
0
125 150
5
10
25
20
15
30
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Gate charge Characteristics
Characteristics
10
15
1.20E+03
-50
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.0E+03
1.0E+02
8
IS , Source Current(A)
VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
2.5
2.0
1.8
20
0
0.0
On-Resistance VS Temperature
RDS(ON) ╳
RDS(ON) ╳
1.0
Transfer Characteristics
25
C , Capacitance(pF)
ID, Drain-To-Source Current(A)
25
ID=9A
V DS=15V
6
4
2
1.0E+01
1.0E+00
T J =150° C
1.0E-01
T J =25° C
1.0E-02
1.0E-03
0
1.0E-04
0
4
8
12
Qg , Total Gate Charge
16
0.1
20
REV 0.9
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
Oct-28-2009
4
7- 3
0.7
内藏肖特基二极管 双 N 沟道 MOSFET
Dual N-Channel Enhancement Mode Field
ELM341503A-N
Effect
Transistor
NIKO-SEM
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
Safe Operating Area
100
Operation in This
Area is Lim ited by
RDS(ON)
90
↓
10
ID , Drain Current(A)
Single Pulse Maximum Power Dissipation
80
100us
1
1m s
10m s
100m s
0.1
SINGLE PULSE
RθJA = 62.5° C/W
TA=25° C
70
Power(W)
100
PD1503YVS
NOTE :
1.V GS = 10V
2.T A=25° C
3.RθJA = 62.5° C/W
4.Single Pulse
60
50
40
30
1S
10S
DC
20
10
0
0.01
1
0.1
10
0.0001
100
0.001
0.01
1
0.1
10
Single Pulse Time(s)
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Transient Thermal Response Curve
Transient Thermal Resistance
r(t) , Normalized Effective
1.00E+01
1.00E+00
Duty Cycle=0.5
Note
0.2
0.1
1.00E-01
0.05
0.02
1.Duty cycle, D= t1 / t2
o
2.RthJA = 62.5 C/W
3.TJ-TA = P*RthJC(t)
4.RthJA(t) = r(t)*RthJA
0.01
single Pluse
1.00E-02
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 0.9
Oct-28-2009
5
7- 4
内藏肖特基二极管 双 N 沟道 MOSFET
ELM341503A-N
■电特性 (Q1)
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-1
Vds=20V, Vgs=0V, Ta=125℃
-10
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
V
Vds=24V, Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
30
Vgs=10V, Id=9A
Vgs=4.5V, Id=6A
Vds=10V, Id=7A
1.0
30
2.0
15.8
25.6
15
If=7A, Vgs=0V
μA
±100
nA
3.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
V
A
1
21.0
32.0
1.0
2.0
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷 (Vgs=10V)
总栅极电荷 (Vgs=4.5V)
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
备注：
Ciss
Coss
Crss
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
560
160
84
pF
pF
pF
Rg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
2.0
Ω
11.0
nC
2
5.5
2.5
nC
nC
2
2
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
2.5
19
8
nC
ns
ns
2
2
2
td(off) Id=1A, Rgen=6Ω
tf
trr
If=7A, dlf/dt=100A/μs
Qrr
39
6
20
ns
ns
ns
2
2
12
nC
Qg
Qgs
Vgs=10V, Vds=15V, Id=9A
1. 脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒，
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
7- 5
Dual N-Channel Enhancement Mode Field
PD1503YVS
双 N 沟道 MOSFET
NIKO-SEM 内藏肖特基二极管
Effect Transistor
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
ELM341503A-N
■标准特性和热特性曲线
Typical Characteristics:(Q1)
Q1
Output Characteristics
15
VGS = 3V
10
5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
RDS(ON) ╳
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
ID, Drain-To-Source Current(A)
VGS = 4.5V
20
2.5
RDS(ON) ╳
1.6
RDS(ON) ╳
1.4
RDS(ON) ╳
1.2
RDS(ON) ╳
1.0
RDS(ON) ╳
0.8
RDS(ON) ╳
0.6
RDS(ON) ╳
0.4
15
10
TJ=125°C
TJ=25°C
5
TJ=-20°C
0.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Capacitance Characteristic
V GS=10V
ID=7A
6.00E+02
Ciss
4.00E+02
2.00E+02
Coss
Crss
0.00E+00
-25
0
25
50
75
100
125 150
15
10
5
0
TJ , Junction Temperature(˚C)
25
20
30
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Gate charge Characteristics
Characteristics
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.0E+03
1.0E+02
8
ID =9A
IS , Source Current(A)
VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
1.5
8.00E+02
-50
10
1.0
VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
1.00E+03
2.0
1.8
20
0
0.0
On-Resistance VS Temperature
RDS(ON) ╳
Transfer Characteristics
25
VGS = 10V
C , Capacitance(pF)
ID, Drain-To-Source Current(A)
25
V DS=15V
6
4
2
1.0E+01
1.0E+00
T J =150° C
1.0E-01
T J =25° C
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
0
0
3
6
9
12
0.0
15
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
Qg , Total Gate Charge
REV 0.9
Oct-28-2009
6
7- 6
1.2
内藏肖特基二极管 双 N 沟道 MOSFET
Dual N-Channel Enhancement Mode Field
ELM341503A-N
Effect
Transistor
NIKO-SEM
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
Safe Operating Area
100
100
90
80
↓
100us
1
1ms
10ms
0.01
20
10
0
1
0.1
50
30
1S
10S
DC
NOTE :
NOTE=:10V
1.V
GS
1.V GS
= 10V
2.T
A=25° C
2.T=25°
C
3.RθJA = 62.5°
C/W
3.RθJA = 3.5°
4.Single
Pulse
C/W
60
40
100ms
0.1
10
100
0.0001
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Transient Thermal Resistance
0.001
0.01
0.1
1
Single Pulse Time(s)
10
Transient Thermal Response Curve
1.00E+01
r(t) , Normalized Effective
SINGLE PULSE
RθJA = 62.5° C/W
T A=25° C
70
Power(W)
ID , Drain Current(A)
Single Pulse Maximum Power Dissipation
Operation in This
Area is Limited by
RDS(ON)
10
PD1503YVS
1.00E+00
Duty Cycle=0.5
Note
0.2
0.1
1.00E-01
0.05
0.02
1.Duty cycle, D= t1 / t2
o
2.RthJA = 62.5 C/W
3.TJ-TA = P*RthJA(t)
4.RthJA(t) = r(t)*RthJA
0.01
single Pluse
1.00E-02
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 0.9
Oct-28-2009
7
7- 7