elm3f401ja

单 P 沟道 MOSFET
ELM3F401JA-S
■概要
■特点
ELM3F401JA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电压,
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Vds=-30V
·Id=-8A
·Rds(on) < 20mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 35mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
Ta=70℃
-30
±20
-8.0
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
-6.3
-80
崩溃电流
崩溃能量
Ias
Eas
-29
42
L=0.1mH
Tc=25℃
容许功耗
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Pd
Tj, Tstg
V
V
A
4
A
3
A
mJ
2.0
W
1.2
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθjc
Rθja
■引脚配置图
•
1
7
2
最大值
6
62
单位
℃/W
℃/W
备注
5
■电路图
PDFN-3x3(俯视图)
8
典型值
6
3
5
4
引脚编号
引脚名称
1
2
3
SOURCE
SOURCE
SOURCE
4
5
6
GATE
DRAIN
DRAIN
7
8
DRAIN
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM3F401JA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-1
Vds=-20V, Vgs=0V, Ta=125℃
-10
Vds=0V, Vgs=±20V
-100
nA
-3.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
V
A
1
4
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-5V, Vds=-10V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
V
Vds=-24V, Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
-30
-1.0
-80
Vgs=-10V, Id=-9A
Vgs=-4.5V, Id=-7A
Vds=-5V, Id=-9A
-1.5
15
23
23
If=-9A, Vgs=0V
20
35
-1
-25
μA
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Crss
1300
212
200
pF
pF
pF
2.8
Ω
29.4
nC
2
15.6
3.8
nC
nC
2
2
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
7.8
20
12
nC
ns
ns
2
2
2
td(off) Id=-9A, Rgen=6Ω
tf
trr
If=-9A, dlf/dt=100A/μs
Qrr
55
36
14.3
ns
ns
ns
2
2
4.2
nC
栅极抵抗
开关特性
总栅极电荷 (Vgs=-10V)
Rg
总栅极电荷 (Vgs=-4.5V)
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
Vds=-15V, Id=-9A
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%;
2. 独立于工作温度;
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制;
4. 封装的限制电流为 30A;
5. Rθja 的值是在 Ta=25℃,将 IC 安装在 2 盎司 FR-4 履铜板上测试的结果。此外,实际应用时所得出的值还
受到用户电路板设计的影响。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
P-Channel Logic
Level Enhancement Mode P2003EEAA
ELM3F401JA-S
PDFN 3x3P
Field Effect Transistor
Halogen-Free & Lead-Free
■标准特性和热特性曲线
NIKO-SEM
Output Characteristics
24
VGS=-3.5V
18
12
VGS=-2.5V
6
0
24
18
12
25�
�
6
0
0
1
2
3
4
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
5
0
1
-20�
�
2
3
4
1400
6
4
1200
CISS
1000
800
600
400
2
COSS
CRSS
200
0
0.04
5
Capacitance Characteristic
1600
VDS=-15V
ID =-9A
8
�
125�
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
Gate charge Characteristics
10
-VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
-ID, Drain-To-Source Current(A)
VGS=-10V







Transfer Characteristics
30
C , Capacitance(pF)
-ID, Drain-To-Source Current(A)
30
0
6
12
18
24
Qg , Total Gate Charge(nC)
0
30
On-Resistance VS Gate-To--Source
0
5
10
15
20
25
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
30
On-Resistance
Resistance VS Drain Current
0.1
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
0.035
0.03
VGS=-4.5V
0.025
0.02
VGS=-10V
0.015
0.01
0.005
0
0
6
12
18
24
0.08
0.06
0.04
0.02
0
30
-VGS, Gate-To-Source
Source Voltage(V)
ID=-9A
2
4
6
8
10
-ID , Drain-To--Source Current(A)
REV 0.9
3
4-3
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Oct-05-2011
单 P 沟道 MOSFET
P-Channel Logic
Level Enhancement Mode
ELM3F401JA-S
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
1.8
-IS , Source Current(A)
Normalized Drain to Source
ON-Resistance
PDFN 3x3P
Halogen-Free & Lead-Free
On-Resistance VS Temperature
2.0
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.4
10
125�
�
25�
�
1
VGS=-10V
ID=-9A
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0
150
0.0
0.2
0.4
Safe Operating Area
1.0
1.2
1.4
50
10
1
0.8
Single Pulse Maximum Power Dissipation
Power(W)
100
0.6
-VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
TJ , Junction Temperature(˚C)
Single Pulse
RJA = 62˚C/W
TA=25˚C
40
30
1ms
Operation in This
Area is Limited by
RDS(ON)
10ms
20
100ms
NOTE :
1.VGS= -10V
2.TA=25˚C
3.RJA = 62˚C/W
4.Single Pulse
0.1
0.01
0.1
1
10
0
0.001
100
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Transient Thermal Resistance
10
DC
0.01
0.1
1
10
100
Single Pulse Time(s)
Transient Thermal Response Curve
10
r(t) , Normalized Effective
-ID , Drain Current(A)
P2003EEAA
1
Duty cycle=0.5
0.2
0.1
Notes
0.1
0.05
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJA = 62 �/W
3.TJ-TA = P*RthJA(t)
4.RthJA(t) = r(t)*RthJA
0.02
0.01
single pulse
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 0.9
4
4-4
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10
100
Oct-05-2011
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