CPH5821 注文コード No. N 7 7 0 1 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5821 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ （MCH3312)とショットキバリアダイオード（SBS004）を 1 パッケージに 内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・［MOS］ ・ 4V駆動。 ・［SBD］ ・逆回復時間が短い。 ・低順電圧。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 記号 ［MOSFET 部］ ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流（DC） VDSS VGSS ID ドレイン電流（パルス） 許容損失 IDP PD チャネル温度 保存周囲温度 Tch Tstg 条件 PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 1unit ［SBD 部］ 繰り返しピーク逆電圧 VRRM 非繰り返しピーク逆サージ電圧 VRSM 平均整流電流 IO サージ電流 接合部温度 IFSM Tj 保存周囲温度 Tstg 定格値 50Hz 正弦波 1 サイクル unit − 30 V ± 20 −2 V A −8 0.9 A W 150 − 55 ∼＋ 125 ℃ ℃ 15 V 15 1 V A 10 − 55 ∼＋ 125 A ℃ − 55 ∼＋ 125 ℃ 単体品名表示：QX 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 61504 TS IM ◎川浦 TA-100874 No.7701-1/5 CPH5821 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 記号 定格値 条件 min typ max unit [MOSFET 部] ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID= − 1mA, VGS=0 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 IDSS IGSS VDS= − 30V, VGS=0 VGSS= ± 16V, VDS=0 ゲート・ソースしゃ断電圧 順伝達アドミタンス VGS(off) yfs ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)1 RDS(on)2 VDS= − 10V, ID= − 1mA VDS= − 10V, ID= − 1A ID= − 1A, VGS= − 10V ID= − 500mA, VGS= − 4V 入力容量 出力容量 Ciss Coss VDS= − 10V, f=1MHz VDS= − 10V, f=1MHz 200 47 pF pF 帰還容量 ターンオン遅延時間 VDS= − 10V, f=1MHz 指定回路において 32 7.2 pF ns 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 Crss td(on) tr td(off) 指定回路において 指定回路において 2.9 21 ns ns 下降時間 総ゲート電荷量 tf Qg 指定回路において VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 2A 8.7 5.5 ns nC ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 Qgs Qgd VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 2A VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 2A 0.98 0.82 nC nC ダイオード順電圧 [SBD 部] VSD IS= − 2A, VGS=0 逆電圧 IR=1mA IF=0.5A 逆電流 VR VF1 VF2 IR 端子間容量 逆回復時間 C trr VR=10V, f=1MHz サイクル IF=IR=100mA, 指定回路において 順電圧 外形図 − 30 V − 1.2 1.2 −1 ± 10 µA µA − 2.6 V S 2.0 110 205 145 290 − 0.85 − 1.5 V 0.30 0.35 V V 0.35 0.40 500 V µA 15 pF ns 15 IF=1A VR=6V mΩ mΩ 42 電気的接続図 unit : mm 2171 5 4 3 4 3 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 2.8 0.05 0.6 1.6 0.6 5 0.15 0.2 2.9 1 2 0.2 0.4 0.4 0.9 0.95 0.7 1 2 Top view 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode SANYO : CPH5 No.7701-2/5 CPH5821 スイッチングタイム測定回路図 VIN （MOSFET 部） trr 指定回路図 （SBD 部） VDD= --15V 0V --10V Duty≦10% 50Ω 100Ω 10Ω 100mA PW=10µs D.C.≦1% 10µs G 10mA D 100mA ID= --1A RL=15Ω VOUT VIN --5V P.G 50Ω S ID -- VDS [MOSFET部] V --4.0 VGS= --3.0V --0.8 --3.5 --3.0 --2.5 --2.0 --1.5 =75 °C 25 -2 °C 5°C --1.2 ドレイン電流, ID -- A 5V --3. Ta --1.0 --0.4 --0.5 0 0 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT03212 RDS(on) -- VGS [MOSFET部] 400 Ta=25°C 350 300 250 --1.0A 200 ID= --0.5A 150 100 50 0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 --18 --20 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT03214 yfs -- ID [MOSFET部] 10 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT03213 RDS(on) -- Ta [MOSFET部] 400 350 300 V --4 S= , VG 0.5A 250 -I D= 200 = --10V A, V GS 150 .0 I D= --1 100 50 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 IF -- VSD --10 7 5 5 120 140 160 IT03215 [MOSFET部] VGS=0 3 2 = Ta 7 °C --25 °C 75 5 3 --1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 3 2 2 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 ドレイン電流, ID -- A 2 3 5 7 --10 IT03216 --0.01 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --25°C 1.0 °C 順電流, IF -- A 25 2 25°C 3 0.1 --0.01 --1.0 周囲温度, Ta -- °C VDS=10V 7 --0.5 5°C 0 0 --1.0 Ta=7 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ --0.2 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ --0.1 0 順伝達アドミタンス, yfs -- S [MOSFET部] VDS=10V --4.5 --1.6 ドレイン電流, ID -- A ID -- VGS --5.0 --4. 0 --10.0 V --6.0 V --2.0 trr CPH5821 (MOSFET部) --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 ダイオード順電圧, VSD -- V --1.1 --1.2 IT03217 No.7701-3/5 CPH5821 SW Time -- ID [MOSFET部] VDD= --15V VGS= --10V 100 5 3 td(off) 2 10 tf td(on) 7 5 tr 3 100 7 5 Coss Crss 3 2 2 10 2 3 5 7 2 --1.0 3 ドレイン電流, ID -- A VGS -- Qg --10 5 0 [MOSFET部] ドレイン電流, ID -- A --4 --3 --2 3 2 ID= --2A --1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 0 0 1 2 3 4 5 6 Ta=25°C 1パルス セラミック基板(600mm2×0.8mm)装着時 1unit --0.01 --0.01 2 3 0.9 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7 --10 2 3 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 総ゲート電荷量, Qg -- nC IT03220 PD -- Ta [MOSFET部] 1.0 --30 Operation in this area is limited by RDS(on). 3 2 --1 --25 s 0µ --5 --20 s 1m s m 10 s n 0m atio 10 er op --6 --15 C D --7 --10 10 --10 7 5 --8 --5 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT03219 ASO [MOSFET部] ≦10µs IDP= --8A IT03218 VDS= --10V ID= --2A --9 ゲート・ソース電圧, VGS -- V f=1MHz Ciss 2 7 1.0 --0.1 5 7--100 IT06771 セ ラ ミ ッ ク 基 板 (6 0.8 許容損失, PD -- W Ciss, Coss, Crss -- VDS [MOSFET部] 3 Ciss, Coss, Crss -- pF スイッチングタイム, SW Time -- ns 2 0.6 00 m m2 × 0. 8m m )装 着 時 0.4 0.2 1u ni t 0 0 20 40 60 80 100 120 140 周囲温度, Ta -- °C IF -- VF 3 160 IT06772 [SBD部] 2 °C 25 1 a= C 5° T 2 0° C 3 逆電流, IR -- mA 7 5 2 50 °C 10 0.1 7 5 75 °C 順電流, IF -- A 1.0 IR -- VR 100 7 5 3 2 [SBD部] Ta=125°C 100°C 10 7 5 3 2 75°C 1.0 7 5 3 2 50°C 25°C 0.1 7 5 3 2 3 2 0.01 0.01 0 0.1 0.2 0.3 順電圧, VF -- V 0.4 0.5 IT00622 0 5 10 逆電圧, VR -- V 15 IT00623 No.7701-4/5 CPH5821 PF(AV) -- IO 0.6 0.5 [SBD部] [SBD部] 3 (2) (4) (1) (3) 2 0.4 0.3 方形波 θ 0.2 100 7 5 3 360° 2 正弦波 0.1 180° 360° 1.0 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.2 平均順電流, IO -- A 1.4 IT00624 IFSM -- t 12 サージ順電流, IFSM(ピーク値) -- A C -- VR 5 f=1MHz (1)方形波 θ=60° (2)方形波 θ=120° (3)方形波 θ=180° (4)正弦波 θ=180° 端子間容量, C -- pF 平均順電力損失, PF(AV) -- W 0.7 10 1.0 2 3 5 7 10 逆電圧, VR -- V 2 IT00625 [SBD部] 電流波形 50Hz正弦波 Is 10 20ms t 8 6 4 2 0 7 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 時間, t -- s 5 7 1.0 2 3 IT00626 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7701-5/5