EUPEC FS35R12KE3G

Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS35R12KE3 G
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj= 25°C
VCES
1200
V
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Tc= 80°C
Tc= 25°C
IC, nom
IC
35
55
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tp= 1ms, Tc= 80°C
ICRM
70
A
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C
Ptot
200
W
VGES
+20
V
IF
35
A
IFRM
70
A
I²t
300
A²s
VISOL
2,5
kV
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter saturation voltage
VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom
VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom
min.
typ.
max.
-
1,7
2,15
V
-
2,0
-
V
VGE(th)
5,0
5,8
6,5
V
VCEsat
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC= 1,5mA
Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V
QG
-
0,33
-
µC
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cies
-
2,5
-
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cres
-
0,09
-
nF
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
ICES
-
-
5
mA
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
IGES
-
-
400
nA
prepared by: M. Münzer
date of publication: 2002-03-04
approved: M. Hierholzer
revision: 3
1 (8)
Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls
2002-03-04
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS35R12KE3 G
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
min.
typ.
max.
-
85
-
ns
-
90
-
ns
-
30
-
ns
-
45
-
ns
-
420
-
ns
-
520
-
ns
-
65
-
ns
-
90
-
ns
Eon
-
3,5
-
mJ
Eoff
-
4,8
-
mJ
ISC
-
140
-
A
LσCE
-
19
-
nH
RCC´/EE´
-
2,5
-
mΩ
-
1,65
2,15
V
-
1,65
-
V
-
49
-
A
-
51
-
A
-
3,7
-
µC
-
6,8
-
µC
-
1,4
-
mJ
-
2,7
-
mJ
IC= IC, nom, VCC= 600V
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 25°C
td,on
VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C
IC= IC, nom, VCC= 600V
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 25°C
tr
VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C
IC= IC, nom, VCC= 600V
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 25°C
td,off
VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C
IC= IC, nom, VCC= 600V
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 25°C
tf
VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
Kurzschlussverhalten
SC data
IC= IC, nom, VCC= 600V, Lσ= 70nH
VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C
IC= IC, nom, VCC= 600V, Lσ= 70nH
VGE= ±15V, RG= 27Ω, Tvj= 125°C
tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, TVj ≤ 125°C
VCC= 900V, VCEmax= VCES - LσCE ·di/dt
Modulindiktivität
stray inductance module
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
Tc= 25°C
Charakteristische Werte / characteristic values
Diode Wechselrichter / diode inverter
Durchlassspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25°C
IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125°C
VF
IF=IC,nom, -diF/dt= 1500A/µs
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
IRM
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
Sperrverzögerungsladung
recoverred charge
IF=IC,nom, -diF/dt= 1500A/µs
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
Qr
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IF=IC,nom, -diF/dt= 1500A/µs
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
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Erec
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS35R12KE3 G
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Nennwiderstand
rated resistance
Tc= 25°C
Abweichung von R100
deviation of R100
Tc= 100°C, R100= 493Ω
Verlustleistung
power dissipation
Tc= 25°C
B-Wert
B-value
R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)]
min.
typ.
max.
R25
-
5
-
kΩ
∆R/R
-5
-
5
%
P25
-
-
20
mW
B25/50
-
3375
-
K
-
-
0,60
K/W
-
-
0,95
K/W
RthCK
-
0,02
-
K/W
Tvjmax
-
-
150
°C
-40
-
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Übergangs Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
Kriechstrecke
creepage distance
10
mm
Luftstrecke
clearence
7,5
mm
CTI
comperative tracking index
225
Schraube M 5
screw M 5
Gewicht
weight
M
G
3
-
180
6
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
3 (8)
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS35R12KE3 G
IC [A]
Ausgangskennlinie (typisch)
output characteristic (typical)
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
IC= f(VCE)
VGE= 15V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
VCE [V]
IC [A]
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
output characteristic (typical)
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
IC= f(VCE)
Tvj= 125°C
VGE=19V
VGE=17V
VGE=15V
VGE=13V
VGE=11V
VGE=9V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
VCE [V]
4 (8)
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS35R12KE3 G
IC [A]
Übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
IC= f(VGE)
VCE= 20V
Tvj=25°C
Tvj=125°C
4
5
6
7
8
9
10
11
12
VGE [V]
IF= f(VF)
IF [A]
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
forward caracteristic of inverse diode (typical)
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
VF [V]
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS35R12KE3 G
Eon = f(IC), Eoff = f(IC), Erec = f(IC)
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
VGE= 15V, RGon=RGoff= 27Ω
Ω, VCE= 600V, Tvj= 125°C
10
8
Eon
Eoff
E [mJ]
Erec
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
IC [A]
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
VGE= 15V, IC= 35A, VCE= 600V, Tvj= 125°C
10
Eon
8
Eoff
E [mJ]
Erec
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
RG [Ω
Ω]
6 (8)
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS35R12KE3 G
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
ZthJC = f (t)
ZthJC [K/W]
1
0,1
Zth : IGBT
Zth : Diode
0,01
0,001
0,01
0,1
1
t [s]
i
ri [K/W] : IGBT
τi [s] : IGBT
ri [K/W] : Diode
τi [s] : Diode
1
6,769E-02
2,345E-03
9,674E-02
3,333E-03
2
1,052E-01
2,820E-01
6,249E-01
3,429E-02
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
3
2,709E-01
2,820E-02
1,800E-01
1,294E-01
4
1,523E-01
1,128E-01
5,701E-02
7,662E-01
VGE=15V, RG=27Ω
Ω, Tj=125°C
80
70
60
IC [A]
50
40
30
20
IC,Chip
10
IC,Modul
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
VCE [V]
7 (8)
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS35R12KE3 G
Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
8 (8)
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2002-03-04