LTM4630 - デュアル18Aまたはシングル36A DC

LTM4630
デュアル 18Aまたはシングル 36A
DC/DC μModuleレギュレータ
特長
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
概要
デュアル 18A 出力またはシングル 36A 出力
広い入力電圧範囲:4.5V ∼ 15V
出力電圧範囲:0.6V ∼ 1.8V
入力、負荷、温度の全範囲での全 DC 出力電圧誤差:
最大 1.5%
差動リモート検出アンプ
電流モード制御 / 高速トランジェント応答
調整可能なスイッチング周波数
過電流フォールドバック保護
複数のLTM4630による
マルチフェーズ並列電流分担:最大 144A
周波数同期
内部温度モニタ
LTM4620および LTM4620A(デュアル 13A、シングル 26A)
および LTM4628
(デュアル 8A、シングル 16A)
とピン互換
選択可能なBurst Mode® 動作
ソフトスタート/ 電圧トラッキング
出力過電圧保護
16mm×16mm×4.41mmのLGAパッケージ
n
n
通信機器およびネットワーク機器
ストレージ・カードおよび ATCA カード
産業用機器
標準的応用例
このデバイスは、周波数同期、マルチフェーズ動作、Burst
Mode 動作、電源レールのシーケンス制御のための出力電圧
トラッキングをサポートしています。また、デバイス温度をモニ
タするための温度検出ダイオードを内蔵しています。高いス
イッチング周波数と電流モード・アーキテクチャにより、安定
性を損なうことなく入力および負荷の変動に対するきわめて
高速なトランジェント応答が可能です。
フォルト保護機能には、過電圧保護と過電流保護が含まれ
ます。LTM4630は、16mm 16mm 4.41mmのLGA パッケー
ジで供給されます。LTM4630は無鉛仕上げでRoHSに準拠し
ています。
アプリケーション
n
LTM®4630は、デュアル18Aまたはシングル36A出力のスイッ
チング・モード降圧 DC/DC μModule(マイクロモジュール)
レ
ギュレータです。スイッチング・コントローラ、パワー FET、イン
ダクタ、およびすべての支持部品がパッケージに搭載されてい
ます。LTM4630は、4.5V ∼ 15Vの入力電圧範囲で動作し、出
力電圧の範囲がそれぞれ 0.6V ∼ 1.8Vの2つの出力をサポー
トしており、出力電圧はそれぞれ 1 本の外付け抵抗で設定さ
れます。高効率設計により、出力ごとに最大 18Aの連続電流
を供給します。必要な入力コンデンサおよび出力コンデンサ
はわずか数個です。LTM4630は、LTM4620およびLTM4620A
(デュアル13A、シングル26A)および LTM4628(デュアル
8A、シングル16A)
とピン互換です。
L、LT、LTC、LTM、Linear Technology、Linearのロゴ、μModule、Burst Modeおよび PolyPhase
はリニアテクノロジー社の登録商標です。その他すべての商標の所有権は、それぞれの所
有 者 に 帰 属します。5481178、5705919、5929620、6100678、6144194、6177787、6304066、
6580258を含む米国特許により保護されています。その他の特許も出願中です。
36A、1.2V 出力 DC/DC μModuleレギュレータ
INTVCC
4.7µF
1.2VOUT 時の効率とIOUT
10k
95
PGOOD
10k
22µF
25V
×4
MODE_PLLIN CLKOUT INTVCC
VIN
120k
TEMP
VOUTS1
RUN1
DIFFOUT
RUN2
SW1
TRACK1
5.1V
+
100µF
6.3V
VFB2
f SET
COMP1
PHASMD
COMP2
470µF
6.3V
60.4k
VOUT2
SW2
SGND
GND
DIFFP
DIFFN
PGOOD2
VIN = 12V
85
80
75
70
VOUTS2
121k
VIN = 5V
90
VFB1
LTM4630
TRACK2
0.1µF
EXTVCC PGOOD1
VOUT1
EFFICIENCY (%)
VIN
4.5V TO 15V
100µF
6.3V
+
470µF
6.3V
VOUT
1.2V
36A
65
0
2
4
6
8 10 12 14
OUTPUT CURRENT (A)
16
18
4630 TA01b
PGOOD
4630 TA01a
4630f
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
1
LTM4630
絶対最大定格
ピン配置
(Note 1)
VIN
(Note 8)............................................................–0.3V ~ 16V
VSW1、VSW2................................................................–1V ~ 16V
PGOOD1、PGOOD2、RUN1、RUN2、
INTVCC、EXTVCC ........................................................–0.3V ~ 6V
MODE_PLLIN、fSET、TRACK1、TRACK2、
DIFFOUT、PHASMD ...........................................–0.3V ~ INTVCC
VOUT1、VOUT2、VOUTS1、VOUTS2
(Note 6)...................–0.3V ~ 6V
DIFFP、DIFFN .....................................................–0.3V ~ INTVCC
COMP1、COMP2、VFB1、VFB2
(Note 6)...................–0.3V ~ 2.7V
INTVCC のピーク出力電流............................................... 100mA
内部動作温度範囲(Note 2)............................. –40°C ~ 125°C
保存温度範囲.................................................... –55°C ~ 125°C
ピーク・パッケージ・ボディ温度.......................................245°C
TOP VIEW
TEMP
EXTVCC
M
L
VIN
K
J
CLKOUT
SW1
PHASMD
MODE_PLLIN
TRACK1
VFB1
VOUTS1
INTVCC
SW2
PGOOD1
PGOOD2
RUN2
DIFFOUT
DIFFP
DIFFN
H
G
RUN1
SGND
F
GND
COMP1 COMP2
E
SGND VFB2 TRACK2
D
GND
fSET SGND VOUTS2
C
B
VOUT1
VOUT2
GND
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
LGA PACKAGE
144-LEAD (16mm × 16mm × 4.41mm)
TJMAX = 125°C, θJA = 7°C/W, θJCbottom = 1.5°C/W,
θJCtop = 3.7°C/W, θJB + θJBA ≅ 7°C/W
θ VALUES DEFINED PER JESD 51-12
WEIGHT = 3.2g
発注情報
無鉛仕上げ
トレイ
製品マーキング *
パッケージ
温度範囲
LTM4630EV#PBF
LTM4630EV#PBF
LTM4630V
144-Lead (16mm × 16mm × 4.41mm) LGA
–40°C to 125°C
LTM4630IV#PBF
LTM4630IV#PBF
LTM4630V
144-Lead (16mm × 16mm × 4.41mm) LGA
–40°C to 125°C
更に広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。* 温度グレードは出荷時のコンテナのラベルで識別されます。
鉛フリー仕様の製品マーキングの詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/leadfree/をご覧ください。
この製品はトレイでのみ供給されます。詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/packaging/をご覧ください。
電気的特性 l は規定された全内部動作温度範囲の規格値を意味する。各出力チャネル 1つに対する規格値。
注記がない限り、TA = 25 C(Note 2)、VIN = 12V、VRUN1 = VRUN2 = 5V。図 23 の
「標準的応用例」
に基づく。
SYMBOL
PARAMETER
VIN
Input DC Voltage
l
4.5
15
V
VOUT
Output Voltage
l
0.6
1.8
V
VOUT1(DC),
VOUT2(DC)
Output Voltage, Total Variation with
Line and Load
CIN = 22µF × 3, COUT = 100µF × 1 Ceramic,
470µF POSCAP
VIN = 12V, VOUT = 1.5V, IOUT = 0A to 18A
l
1.477
1.5
1.523
V
VRUN1, VRUN2
RUN Pin On/Off Threshold
RUN Rising
1.1
1.25
1.40
VRUN1HYS, VRUN2HYS
RUN Pin On Hysteresis
入力の仕様
CONDITIONS
MIN
TYP
150
MAX
UNITS
V
mV
4630f
2
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
LTM4630
電気的特性
l は規定された全内部動作温度範囲の規格値を意味する。各出力チャネル 1つに対する規格値。
注記がない限り、TA = 25 C(Note 2)、VIN = 12V、VRUN1 = VRUN2 = 5V。図 23 の
「標準的応用例」
に基づく。
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
IINRUSH(VIN)
Input Inrush Current at Start-Up
IOUT = 0A, CIN = 22µF ×3, CSS = 0.01µF,
COUT = 100µF ×3, VOUT1 = 1.5V, VOUT2 = 1.5V,
VIN = 12V
1
A
IQ(VIN)
Input Supply Bias Current
VIN = 12V, VOUT = 1.5V, Burst Mode Operation
VIN = 12V, VOUT = 1.5V, Pulse-Skipping Mode
VIN = 12V, VOUT= 1.5V, Switching Continuous
Shutdown, RUN = 0, VIN = 12V
3
15
65
50
mA
mA
mA
µA
IS(VIN)
Input Supply Current
VIN = 5V, VOUT = 1.5V, IOUT = 18A
VIN = 12V, VOUT = 1.5V, IOUT = 18A
6
2.6
A
A
Output Continuous Current Range
VIN = 12V, VOUT = 1.5V (Note 7)
Line Regulation Accuracy
ΔVOUT1/VOUT1
ΔVOUT2/VOUT2
Load Regulation Accuracy
VOUT1(AC), VOUT2(AC)
Output Ripple Voltage
For Each Output, IOUT = 0A, COUT = 100µF ×3/
X7R/Ceramic, 470µF POSCAP, VIN = 12V,
VOUT = 1.5V, Frequency = 450kHz
15
mVP-P
fS (Each Channel)
Output Ripple Voltage Frequency
VIN = 12V, VOUT = 1.5V, fSET = 1.25V (Note 4)
500
kHz
fSYNC
(Each Channel)
SYNC Capture Range
∆ VOUTSTART
(Each Channel)
Turn-On Overshoot
COUT = 100µF/X5R/Ceramic, 470µF POSCAP,
VOUT = 1.5V, IOUT = 0A VIN = 12V
10
mV
tSTART
(Each Channel)
Turn-On Time
COUT = 100µF/X5R/Ceramic, 470µF POSCAP,
No Load, TRACK/SS with 0.01µF to GND,
VIN = 12V
5
ms
∆ VOUT(LS)
(Each Channel)
Peak Deviation for Dynamic Load
Load:0% to 50% to 0% of Full Load
COUT = 22µF ×3/X5R/Ceramic, 470µF POSCAP
VIN = 12V, VOUT = 1.5V
30
mV
tSETTLE
(Each Channel)
Settling Time for Dynamic Load Step
Load:0% to 50% to 0% of Full Load,
VIN = 12V, COUT = 100µF, 470µF POSCAP
20
µs
IOUT(PK)
(Each Channel)
Output Current Limit
VIN = 12V, VOUT = 1.5V
30
A
Voltage at VFB Pins
IOUT = 0A, VOUT = 1.5V
出力の仕様
IOUT1(DC), IOUT2(DC)
ΔVOUT1(LINE)/VOUT1
ΔVOUT2(LINE)/VOUT2
MIN
TYP
0
MAX
18
UNITS
A
VOUT = 1.5V, VIN from 4.5V to 15V
IOUT = 0A for Each Output,
l
0.01
0.025
%/V
For Each Output, VOUT = 1.5V, 0A to 18A
VIN = 12V (Note 7)
l
0.5
0.75
%
400
780
kHz
制御セクション
VFB1, VFB2
l
0.592
0.600
l
0.64
1
1.25
(Note 6)
IFB
VOVL
Feedback Overvoltage Lockout
TRACK1 (I),
TRACK2 (I)
Track Pin Soft-Start Pull-Up Current
UVLO
Undervoltage Lockout (Falling)
TRACK1 (I),TRACK2 (I) Start at 0V
UVLO Hysteresis
tON(MIN)
Minimum On-Time
RFBHI1, RFBHI2
Resistor Between VOUTS1, VOUTS2 and
VFB1, VFB2 Pins for Each Output
(Note 6)
VPGOOD1, VPGOOD2
Low
PGOOD Voltage Low
IPGOOD = 2mA
IPGOOD
PGOOD Leakage Current
VPGOOD = 5V
0.606
V
–5
–20
nA
0.66
0.68
V
1.5
µA
3.3
V
0.6
V
90
60.05
ns
60.4
60.75
kΩ
0.1
0.3
V
±5
µA
4630f
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
3
LTM4630
電気的特性 l は規定された全内部動作温度範囲の規格値を意味する。各出力チャネル 1つに対する規格値。
注記がない限り、TA = 25 C(Note 2)、VIN = 12V、VRUN1 = VRUN2 = 5V。図 23 の
「標準的応用例」
に基づく。
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VPGOOD
PGOOD Trip Level
VFB with Respect to Set Output Voltage
VFB Ramping Negative
VFB Ramping Positive
INTVCC リニア・レギュレータ
VINTVCC
Internal VCC Voltage
6V < VIN < 15V
VINTVCC
Load Regulation
INTVCC Load Regulation
ICC = 0mA to 50mA
MIN
TYP
MAX
UNITS
–10
10
4.8
4.5
%
%
5
5.2
V
0.5
2
%
100
mV
VEXTVCC
EXTVCC Switchover Voltage
EXTVCC Ramping Positive
VEXTVCC(DROP)
EXTVCC Dropout
ICC = 20mA, VEXTVCC = 5V
4.7
VEXTVCC(HYST)
EXTVCC Hysteresis
Frequency Nominal
Nominal Frequency
fSET = 1.2V
450
500
550
kHz
Frequency Low
Lowest Frequency
fSET = 0V (Note 5)
210
250
290
kHz
fSET > 2.4V, Up to INTVCC
700
780
860
kHz
9
10
11
µA
50
V
220
mV
発振器とフェーズロック・ループ
Frequency High
Highest Frequency
fSET
Frequency Set Current
RMODE_PLLIN
MODE_PLLIN Input Resistance
CLKOUT
Phase (Relative to VOUT1)
CLK High
CLK Low
Clock High Output Voltage
Clock Low Output Voltage
PHASMD = GND
PHASMD = Float
PHASMD = INTVCC
250
kΩ
60
90
120
Deg
Deg
Deg
2
V
V
0.2
差動アンプ
AV Differential
Amplifier
Gain
RIN
Input Resistance
Measured at DIFFP Input
VOS
Input Offset Voltage
VDIFFP = VDIFFOUT = 1.5V, IDIFFOUT = 100µA
PSRR Differential
Amplifier
Power Supply Rejection Ratio
5V < VIN < 15V
ICL
Maximum Output Current
VOUT(MAX)
Maximum Output Voltage
GBW
Gain Bandwidth Product
VTEMP
Diode Connected PNP
TC
Temperature Coefficient
80
kΩ
mV
90
dB
3
mA
3
MHz
INTVCC – 1.4
I = 100µA
l
0°C~
Note 2:LTM4630はTJ がTA にほぼ等しいパルス負荷条件でテストされる。LTM4630Eは、
125°Cの内部温度で仕様に適合することが保証されている。–40°C ~ 125°Cの内部動作温度
範囲での仕様は設計、特性評価および統計学的なプロセス・コントロールとの相関で確認
されている。LTM4630Iは–40°C ~ 125°Cの内部動作温度範囲全域で動作することが保証さ
れている。これらの仕様を満たす最大周囲温度は、基板レイアウト、パッケージの定格熱イン
ピーダンスおよび他の環境要因と関連した特定の動作条件によって決まることに注意。
V/V
3
IDIFFOUT = 300µA
Note 1:絶対最大定格に記載された値を超えるストレスはデバイスに永続的損傷を与える可
能性がある。長期にわたって絶対最大定格条件に曝すと、デバイスの信頼性と寿命に悪影響
を与える恐れがある。
1
V
0.6
V
–2.2
mV/C
Note 3:2つの出力は別々にテストされ、各出力には同じテスト条件が適用される。
Note 4:スイッチング周波数は400kHz ~ 750kHzにプログラムすることができる。
Note 5:LTM4630デバイスは400kHz ~ 750kHzで動作するように設計されている。
Note 6:これらのパラメータはウェハ選別によってテストされる。
Note 7:異なるVIN、VOUT、および TA については出力電流のディレーティング曲線を参照。
4630f
4
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
LTM4630
標準的性能特性
効率と出力電流
(VIN =5V、fS =450kHz)
EFFICIENCY (%)
EFFICIENCY (%)
95
90
85
VOUT = 1V
VOUT = 1.2V
VOUT = 1.5V
VOUT = 1.8V
75
0
2
4
6
8 10 12 14
LOAD CURRENT (A)
16
95
95
90
90
85
85
EFFICIENCY (%)
100
80
80
75
VOUT = 1V
VOUT = 1.2V
VOUT = 1.5V
VOUT = 1.8V
70
65
18
0
2
4
6
8 10 12 14
LOAD CURRENT (A)
Burst Mode およびパルス・スキップ・
モードの効率
(VIN =12V、VOUT =1.2V、fS =450kHz)
18
75
VOUT = 1V
VOUT = 1.2V
VOUT = 1.5V
VOUT = 1.8V
70
65
0
5
10
15 20 25 30
LOAD CURRENT (A)
35
40
4630 G03
1Vシングル・フェーズ・シングル
出力の負荷トランジェント応答
1.2Vシングル・フェーズ・シングル
出力の負荷トランジェント応答
CCM
Burst Mode OPERATION
PULSE-SKIP MODE
90
80
EFFICIENCY (%)
16
80
4630 G02
4630 G01
100
デュアル・フェーズ・シングル出力の
効率と出力電流
(VIN =12V、fS =450kHz)
効率と出力電流
(VIN =12V、fS =450kHz)
VOUT(AC)
50mV/Div
VOUT(AC)
50mV/Div
LOAD STEP
2A/DIV
LOAD STEP
2A/DIV
70
60
50
40
30
0.01
0.1
500ns/DIV
12VIN, 1VOUT, 450kHz, 4.5A LOAD STEP,
4.5A/µs STEP-UP AND STEP-DOWN
COUT = 1 • 470µF 4V POSCAP + 1 • 100µF
6.3V CERAMIC
1
10
LOAD CURRENT (A)
4630 G06
4630 G05
500ns/DIV
12VIN, 1.2VOUT, 450kHz, 4.5A LOAD STEP,
4.5A/µs STEP-UP AND STEP-DOWN
COUT = 1 • 470µF 4V POSCAP + 1 • 100µF
6.3V CERAMIC
4630 G04
1.5Vシングル・フェーズ・シングル
出力の負荷トランジェント応答
VOUT(AC)
50mV/Div
LOAD STEP
2A/DIV
4630 G07
500ns/DIV
12VIN, 1.5VOUT, 450kHz, 4.5A LOAD STEP,
4.5A/µs STEP-UP AND STEP-DOWN
COUT = 1 • 470µF 4V POSCAP + 1 • 100µF
6.3V CERAMIC
1.8Vシングル・フェーズ・シングル
出力の負荷トランジェント応答
シングル・フェーズの起動、
負荷なし
VOUT(AC)
50mV/Div
VSW
10V/Div
LOAD STEP
2A/DIV
VOUT
0.5V/Div
LIN
0.2A/Div
4630 G08
500ns/DIV
12VIN, 1.8VOUT, 450kHz, 4.5A LOAD STEP,
4.5A/µs STEP-UP AND STEP-DOWN
COUT = 1 • 470µF 4V POSCAP + 1 • 100µF
6.3V CERAMIC
500ns/DIV
12VIN, 1.2VOUT, 450kHz
COUT = 1 • 470µF 4V POSCAP + 1 • 100µF
6.3V CERAMIC, CSS = 0.1µF
4630 G09
4630f
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
5
LTM4630
標準的性能特性
シングル・フェーズの起動、
18A 負荷
VSW
10V/Div
VOUT
0.5V/Div
LIN
1A/Div
500ns/DIV
12VIN, 1.2VOUT, 450kHz
COUT = 1 • 470µF 4V POSCAP + 1 • 100µF
6.3V CERAMIC, CSS = 0.1µF
シングル・フェーズの短絡保護、
18A 負荷
シングル・フェーズの短絡保護、
負荷なし
4630 G10
VSW
10V/Div
VOUT
0.5V/Div
VSW
10V/Div
VOUT
0.5V/Div
LIN
1A/Div
LIN
1A/Div
500ns/DIV
12VIN, 1.2VOUT, 450kHz
COUT = 1 • 470µF 4V POSCAP + 1 • 100µF
6.3V CERAMIC
4630 G11
500ns/DIV
12VIN, 1.2VOUT, 450kHz
COUT = 1 • 470µF 4V POSCAP + 1 • 100µF
6.3V CERAMIC
4630 G12
4630f
6
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
LTM4630
ピン機能(信号ピンの接続をモニタする場合はテスト・ポイントの使用を推奨します)
パッケージの行と列のラベルは μModule 製品間で異な
ります。各パッケージのレイアウトを確認してください。
VOUT1
(A1 ∼ A5、B1 ∼ B5、C1 ∼ C4)
:電源の出力ピン。これら
のピンとGNDピンの間に出力負荷を接続します。出力デカッ
プリング・コンデンサはこれらのピンとGNDピンの間に直接
配置することを推奨します。表 4を参照してください。出力電流
のガイドラインについては
「電気的特性」
のNote 8を参照して
ください。
GND(A6 ∼ A7、B6 ∼ B7、D1 ∼ D4、D9 ∼ D12、E1 ∼ E4、E10 ∼
E12、F1 ∼ F3、F10 ∼ F12、G1、G3、G10、G12、H1 ∼ H7、H9 ∼
H12、J1、J5、J8、J12、K1、K5 ∼ K8、K12、L1、L12、M1、M12)
:
入力リターンと出力リターンの両方の電源グランド・ピン。
VOUT2(A8 ∼ A12、B8 ∼ B12、C9 ∼ C12)
:電源の出力ピン。こ
れらのピンとGNDピンの間に出力負荷を接続します。出力デ
カップリング・コンデンサはこれらのピンとGNDピンの間に直
接配置することを推奨します。表 4を参照してください。出力
電流のガイドラインについては
「電気的特性」
のNote 8を参照
してください。
VOUTS1、VOUTS2
(C5、C8)
:このピンは、各出力の内部トップ帰
還抵抗の上端に接続されています。特定の出力に直接接続す
るか、
リモート検出アンプを使用する場合はDIFFOUTに接続
します。モジュールを並列で使用する構成では、VOUTS ピンの
いずれか一方を、リモート検出を使用する場合はDIFFOUT
ピン、リモート検出を使用しない場合は直接 VOUT ピンに接
続します。これは帰還パスであることから、これらのピンを必
ず DIFFOUTまたはVOUT のいずれかに接続することがきわめ
て重要です。開放のままにすることはできません。
「アプリケー
ション情報」
を参照してください。
fSET(C6)
:周波数設定ピン。このピンからは10μAの電流が供
給されます。このピンとグランドの間に接続された抵抗によっ
て動作周波数をプログラムする電圧が設定されます。これに
代わる方法として、このピンをDC 電圧で駆動して動作周波数
を設定することもできます。
「アプリケーション情報」
を参照して
ください。
SGND(C7、D6、G6 ∼ G7、F6 ∼ F7)
:信号グランド・ピン。すべ
てのアナログ回路と低電力回路のリターン・グランド・パス。ア
プリケーションでは出力コンデンサのGNDに一点接続します。
図 22のレイアウトのガイドラインを参照してください。
VFB1、VFB2(D5、D7)
:各チャネルのエラーアンプの負入力。こ
のピンは内部で60.4kΩの高精度抵抗を介してVOUTS1 また
はVOUTS2 に接続されています。VFB ピンとGNDピンの間に
抵抗を追加して、異なった出力電圧をプログラムすることがで
きます。PolyPhase® 動作では、VFB ピンを相互接続することに
よって並列動作が可能になります。詳細は
「アプリケーション
情報」
を参照してください。
TRACK1、TRACK2(E5、D8)
:出力電圧トラッキングおよびソフト
スタートの入力ピン。各チャネルは1.3μAのプルアップ電流源
を備えています。一方のチャネルを2つのチャネルのマスター
に設定する場合は、このピンとグランドの間のコンデンサに
よってソフトスタートのランプ・レートが決まります。残りのチャ
ネルはスレーブとして設定でき、スレーブ出力トラッキング・ピ
ンには分圧器を介してマスターの出力を印加します。この分
圧器は同時トラッキング用スレーブ出力の帰還分割器と同じ
です。
「アプリケーション情報」
を参照してください。
COMP1、COMP2(E6、E7)
:各チャネルの電流制御しきい値
およびエラーアンプの補償点。電流コンパレータのしきい値
はこの制御電圧に応じて増加します。並列動作を行うには
COMPピンを相互に接続します。このデバイスは内部補償さ
れています。
DIFFP(E8)
:リモート検出アンプの正入力。このピンは、出力
電圧のリモート検出ポイントに接続します。
「アプリケーション
情報」
を参照してください。
DIFFN(E9)
:リモート検出アンプの負入力。このピンは、出力
GNDのリモート検出ポイントに接続します。
「アプリケーション
情報」
のセクションを参照してください。
MODE_PLLIN(F4)
:強制連続モード、Burst Mode 動作、また
はパルス・スキップ・モードの選択ピン、および位相検出器へ
の外部同期入力ピン。両方のチャネルを強制的に強制連続
モード動作に設定するには、このピンをSGNDに接続します。
パルス・スキップ・モード動作をイネーブルするにはINTVCC に
接続します。このピンをフロート状態にしておくとBurst Mode
動作がイネーブルされます。ピンにクロックを印加すると、両
チャネルが強制的に連続動作モードに設定され、印加された
外部クロックに同期します。
4630f
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
7
LTM4630
ピン機能(信号ピンの接続をモニタする場合はテスト・ポイントの使用を推奨します)
RUN1、RUN2(F5、F9)
:実行制御ピン。電圧が 1.25Vを上回る
とモジュールの各チャネルがオンします。RUNピンに1.25Vを
下回る電圧を印加すると対応するチャネルがオフします。各
RUNピンには1μAのプルアップ電流が流れ、
RUNピンが1.2V
に達すると、
このプルアップ電流に更に4.5μA が加えられます。
DIFFOUT(F8)
:内部リモート検出アンプの出力。どちらの出力
チャネルでリモート検出を使用するかに応じて、VOUTS1 また
はVOUTS2 のいずれかに接続します。並列動作でリモート検出
を使用する場合は、VOUTS ピンの一方をDIFFOUTピンに接
続します。
SW1、SW2(G2、G11):テスト目的で使われる各チャネルのス
イッチング・ノード。RCスナバ・ネットワークを接続して、スイッ
チ・ノードのリンギングを低減または除去することもできます。
それ以外の場合はフロート状態のままとします。
「アプリケー
ション情報」
を参照してください。
PHASMD
(G4)
:このピンをSGNDまたはINTVCCに接続するか、
フロート状態にすることで、CLKOUTの位相をそれぞれ 60 、
120 、90 に設定できます。
CLKOUT(G5)
:PHASMDピンによって位相が制御されるク
ロック出力。このクロックによりデバイス間のマルチフェーズ動
作が可能になります。
「アプリケーション情報」
を参照してくだ
さい。
PGOOD1、PGOOD2(G9、G8)
:出力電圧パワーグッド・インジ
ケータ。オープン・ドレインのロジック出力で、出力電圧がレ
ギュレーション・ポイントの 10% 以内にないと、グランドに引
き下げられます。
:内蔵 5Vレギュレータの出力。制御回路と内蔵
INTVCC(H8)
ゲート・ドライバはこの電圧源から電力を供給されます。こ
のピンは、4.7µF、低 ESRのタンタル・コンデンサまたはセラ
ミック・コンデンサを使ってPGNDにデカップリングしてくだ
さい。RUN1またはRUN2のいずれかをアクティブにすると、
INTVCC が有効になります。
TEMP(J6)
:温度に応じたVBE 接合部電圧の変化をモニタ
するオンボード汎用温度検出ダイオード。
「アプリケーション
のセクションを参照してください。
情報」
EXTVCC(J7)
:EXTVCC が 4.7Vを上回ると、INTVCC に接続さ
れたスイッチによって有効になる外部電源入力。この入力は
6Vを超えないようにしてください。また、VIN =5Vで動作させ
る場合は、このピンをVIN に接続します。効率が向上し、その
値は
(VIN - INTVCC)(パワー MOSFETの駆動電流)
で決ま
ります。必要とされる標準電流は30mAです。VIN を印加して
からEXTVCC を印加し、EXTVCC を遮断してからVIN を遮断
する必要があります。
VIN(M2∼M11、L2∼L11、J2∼J4、J9∼J11、K2∼K4、K9∼K11):
電源入力ピン。これらのピンとGNDピンの間に入力電圧を印
加します。入力デカップリング・コンデンサはVIN ピンとGND
ピンの間に直接配置することを推奨します。
4630f
8
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LTM4630
簡略ブロック図
PGOOD1
TRACK1
SS CAP
VIN
= 100µA VIN
RT
OR TEMP
MONITORS
VIN
4.5V TO 15V
VIN
CIN1
22µF
25V
0.1µF
GND
RT
TEMP
MTOP1
SW1
CLKOUT
0.33µH
RUN1
MODE_PLLIN
VOUT1
1.5V
18A
VOUT1
0.22µF
MBOT1
PHASEMD
CIN2
22µF
25V
+
GND
COUT1
VOUTS1
COMP1
60.4k
VFB1
INTERNAL
COMP
SGND
RFB1
40.2k
POWER
CONTROL
PGOOD2
TRACK2
VIN
INTVCC
SS CAP
CIN3
22µF
25V
0.1µF
4.7µF
GND
EXTVCC
MTOP2
SW2
0.33µH
RUN2
CIN4
22µF
25V
VOUT2
0.22µF
MBOT2
GND
+
VOUT2
1.2V
18A
COUT2
VOUTS2
60.4k
COMP2
fSET
RFSET
SGND
+ –
VFB2
RFB2
60.4k
INTERNAL
COMP
INTERNAL
FILTER
DIFFOUT
DIFFN
DIFFP
4630 BD
図 1.LTM4630 の簡略ブロック図
デカップリングの要件 TA = 25 C。図 1 の構成を使用。
SYMBOL
CIN1, CIN2
CIN3, CIN4
COUT1
COUT2
PARAMETER
External Input Capacitor Requirement
(VIN1 = 4.5V to 15V, VOUT1 = 1.5V)
(VIN2 = 4.5V to 15V, VOUT2 = 1.2V)
External Output Capacitor Requirement
(VIN1 = 4.5V to 15V, VOUT1 = 1.5V)
(VIN2 = 4.5V to 15V, VOUT2 = 1.2V)
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
IOUT1 = 18A
IOUT2 = 18A
44
44
µF
µF
IOUT1 = 18A
IOUT2 = 18A
400
400
µF
µF
4630f
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9
LTM4630
動作
電源モジュールの概要
LTM4630はデュアル出力の独立型非絶縁スイッチング・モー
ドDC/DC 電源です。数個の入力コンデンサと出力コンデンサ、
および設定用の部品を外付けするだけで18Aの出力を2 系統
供給できます。このモジュールは、入力電圧範囲 4.5V ∼ 15V
に対して、外付け抵抗によって設定可能な0.6VDC ∼ 1.8VDC
の高精度で安定化された出力電圧を供給します。標準的応
用回路を図 23に示します。
LTM4630は固定周波数電流モード・レギュレータと高速ス
イッチングが可能な内蔵パワー MOSFETデバイスを集積化
しています。標準スイッチング周波数は500kHzです。また、
400kHz ∼ 780kHzの範 囲で外 部同期 可 能なので、スイッ
チング・ノイズに敏感なアプリケーションに対応できます。
FSETピンに抵抗を接続することで、自走周波数をプログラム
できます。
「アプリケーション情報」
のセクションを参照してくだ
さい。
電流モード制御と内部帰還ループ補償により、LTM4630モ
ジュールは、広範囲の出力コンデンサを使って
(すべてセラ
ミック出力コンデンサを使用する場合でも)十分に余裕のある
安定性と良好な過渡性能を達成します。
電流モード制御により、サイクルごとの高速電流制限および
過電流状態でのフォールドバック電流制限が実現されます。
内蔵されている過電圧コンパレータと低電圧コンパレータは、
出力帰還電圧がレギュレーション・ポイントの上下 10%の
範囲を外れると、オープン・ドレインのPGOOD出力を L に引
き下げます。出力電圧がレギュレーション電圧より10% 以上
高くなると、ボトムMOSFET がオンして、出力電圧をクランプ
します。
トップ MOSFETはオフします。過電圧保護は、帰還電
圧を参照します。
RUNピンを1.1Vより下げると、両方のMOSFETをオフして
レギュレータを強制的にシャットダウン状態に移行させます。
TRACKピンは、起動時の出力電圧のランプと電圧トラッキン
グをプログラムするのに使われます。また、レギュレータのソフ
トスタートにも使われます。
「アプリケーション情報」
を参照し
てください。
LTM4630は内部補償され、あらゆる動作条件で安定してい
ます。いくつかの動作条件での入力容量と出力容量のガイ
ドラインを表 4に示します。リニアテクノロジーからμModule
Power Design Tool が過渡と安定性の解析のために提供され
ています。VFB ピンは、グランドとの間に1 本の外付け抵抗を
接続して、出力電圧の設定に使用します。負荷の直近で、出力
電圧のいずれか一方、または並列動作の場合ならば出力電
圧を、高精度で計測可能な差動リモート検出アンプを搭載し
ています。
また、MODE_PLLIN、PHASMD、CLKOUTピンを使って、マ
ルチフェーズ動作を簡単に利用できます。PHASMDピンを異
なったレベルにプログラムすることにより、最大 12フェーズを
カスケード接続し、相互に同時に動作させることができます。
「アプリケーション情報」
を参照してください。
MODE_PLLINピンを使って選択可能なBurst Mode 動作ま
たはパルス・スキップ動作により、負荷が軽い場合も高い効
率を実現できます。これらの軽負荷に対応する機能はバッテ
リ動作に適しています。
「 標準的性能特性」に軽負荷動作で
の効率のグラフが掲載されています。詳細については
「アプリ
ケーション情報」
を参照してください。
モジュールに内蔵された汎用温度検出ダイオードによって、モ
ジュールの温度をモニタできます。詳細については、
「アプリ
ケーション情報」
のセクションを参照してください。
機能や動作をモニタリングするために、スイッチ・ピンが利用
可能です。また、このスイッチ・ピンとグランドの間に抵抗とコ
ンデンサによるスナバ回路を適切に接続することで、遷移エッ
ジにおけるあらゆる高周波リンギングを減衰できます。詳細に
ついては、
「アプリケーション情報」
のセクションを参照してく
ださい。
4630f
10
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
LTM4630
アプリケーション情報
並列動作の場合、VFB ピンにはチャネルあたり最大 20nAの
IFB 電流が流れます。この電流による出力電圧の誤差を低減
するには、他のVOUTS ピンもVOUT ピンに接続し、RFB 抵抗
も増やすことで、この電流に対する総テブナン等価抵抗を低
減します。図 2の例では、VFB ピンの総テブナン等価抵抗は
VIN からVOUT への降圧比
(60.4k//RFB)で表され、1.2V出力の場合 RFB は60.4kである
ことから、その値は30.2kになります。4フェーズを並列接続し
実現可能なVIN からVOUT への最大降圧比には、与えられた
た場合は帰還電流が増加し、最大で4・IFB =80nAとなるこ
入力電圧に応じた制約があります。LTM4630の各出力は98%
とから、
電圧誤差は、80nA・30.2k =2.4mVと計算されます。
のデューティ・サイクルを実現する能力がありますが、VIN から
VOUT の間には負荷電流で決まる最小ドロップアウトが発生し、 図 2のようにVOUTS2 もVOUT に接続して、VFB2とグランドの間
に60.4k 抵抗をもう1つ接続すれば、電圧誤差は1.2mVに改善
トップ側スイッチの高デューティ・サイクルに関連した出力電
します。
電圧誤差が許容できる場合は、追加の接続は必要あり
流能力を制限します。tON(MIN)< D/fSW であることから、特定
ません。60.4kの内蔵抵抗の精度は0.5%であり、VFB 抵抗は、
の周波数での動作時に規定されたデューティ・サイクルで動
必要な精度に応じてユーザーが選択できます。フェーズ間の
作させる場合は、最小オン時間 tON(MIN)についても考慮する
電流分担のために、COMPピンはすべて相互に接続します。
必要があります。ここで、Dはデューティ・サイクル、fSW はスイッ
TRACK/SSピンを相互に接続すれば、ソフトスタート・コンデ
チング周波数です。tON(MIN)は電気的パラメータで90nsに規
ンサ1 個で、レギュレータのソフトスタートを実現できます。ソ
定されています。
フトスタートの式には、並列接続されたチャネル数に応じて増
加する、ソフトスタート電流のパラメータが必要です。
「出力電
出力電圧の設定
圧ト
ラッキング」
のセクションを参照し
て
く
ださい。
PWMコントローラには0.6Vの内部リファレンス電圧があり
ます。ブロック図に示したとおり、60.4kΩの内部帰還抵抗が、
4 PARALLELED OUTPUTS
VOUTS1とVFB1 の間、およびVOUTS2とVFB2 の間に接続され
VOUT1
COMP1 LTM4630
FOR 1.2V AT 70A
ています。帰還レギュレーションを適切に動作させるには、これ
VOUT2
COMP2
らのピンを対応する出力に接続することがきわめて重要です。
60.4k VOUTS1
独立したレギュレータとして使用する場合、または1 個以上を
VOUTS2
OPTIONAL CONNECTION
並列レギュレータの一部として使用する場合に、VOUTS1 や
VFB1
VOUTS2 ピンをフロートのままにすると、過電圧が発生する可
60.4k
TRACK1
能性があります。VFB1 またはVFB2 のどちらも、帰還抵抗なし
VFB2
TRACK2
の場合は、出力電圧がデフォルト値の0.6Vになります。VFB ピ
OPTIONAL
ンとGNDの間に抵抗 RFB を追加すると、出力電圧が次のよう
RFB
60.4k
VOUT1
に設定されます。
COMP1 LTM4630
LTM4630の代表的なアプリケーション回路を図23に示します。
外付け部品の選択は主に最大負荷電流と出力電圧で決まり
ます。個々のアプリケーションに対する外付けコンデンサの具
体的な要件については、表 4を参照してください。
VOUT = 0.6V •
60.4k
0.6V
Open
1.0V
90.9k
USE TO LOWER
TOTAL EQUIVALENT
RESISTANCE TO LOWER
IFB VOLTAGE ERROR
VOUTS1
VOUTS2
表 1.各種出力電圧に対するVFB 抵抗
VOUT
RFB
VOUT2
COMP2
60.4k +RFB
RFB
1.2V
60.4k
VFB1
1.5V
40.2k
1.8V
30.2k
TRACK1
0.1µF
TRACK2
複数チャネルの並列動作では、並列デザインにも同じ帰還設
定抵抗を使用できます。それには、図 2に示すようにVOUTS1
と出力を接続することで、内部の60.4k 抵抗の1つが出力に接
続されます。図 2に示すとおり、すべてのVFB ピンが共通のプ
ログラミング抵抗に接続されます。
60.4k
VFB2
4630 F02
RFB
60.4k
図 2.4フェーズ並列構成
4630f
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
11
LTM4630
アプリケーション情報
入力コンデンサ
LTM4630モジュールは低 ACインピーダンスのDCソースに接
続する必要があります。RMSリップル電流に対応するために、
レギュレータの入力には22μFのセラミック・コンデンサを4 個
接続します。より大きな入力バルク容量には、47μF ∼ 100μF
の表面実装アルミ電解バルク・コンデンサを使うことができ
ます。このバルク入力コンデンサは、長い誘導性のリードや
トレースまたはソースの容量不足によって入力のソース・イン
ピーダンスが損なわれる場合にだけ必要です。低インピーダ
ンスの電源プレーンを使用している場合は、このバルク・コン
デンサは不要です。
降圧コンバータの場合、スイッチングのデューティ・サイクルは
次のように推定することができます。
D=
VOUT
VIN
インダクタの電流リップルを考慮しなければ、入力コンデンサ
のRMS 電流は、各出力に対して次のように概算できます。
IOUT(MAX)
ICIN(RMS) =
• D • (1−D)
η%
上の式で、η%は電源モジュールの推定効率です。バルク・コ
ンデンサは、スイッチャ定格のアルミ電解コンデンサ、またはポ
リマー・コンデンサにすることができます。
出力コンデンサ
LTM4630は出力電圧リップル・ノイズを小さくし、優れたトラン
ジェント応答が得られるように設計されています。COUTとして
定義されているバルク出力コンデンサは、出力電圧リップルとト
ランジェントの要件を満たすために、実効直列抵抗(ESR)が
十分に小さいものを選択します。COUT には低 ESRのタンタル・
コンデンサ、低 ESRのポリマー・コンデンサまたはセラミック・コ
ンデンサを使うことができます。各出力の標準的な出力容量
の範囲は200μF ∼ 470μFです。出力リップルや動的トランジェ
ント・スパイクを更に低減するために、システム設計者による
出力フィルタの追加が必要になる場合があります。4.5A/μsの
トランジェントでの電圧の垂下やオーバーシュートを最小限
に抑えるための、さまざまな出力電圧と出力コンデンサのマト
リックスを表 4に示します。この表では、最適のトランジェント
性能を得るために、全等価 ESRと全バルク容量が最適化され
ています。表 4のマトリックスでは安定性の判定基準が考慮さ
れており、リニアテクノロジーからµModule Power Design Tool
が安定性の解析のために提供されています。マルチフェーズ
動作では、位相数に応じて実効出力リップルが低減されます。
このノイズ低減と出力リップル電流の相殺については
「アプリ
ケーションノート77」
で解説していますが、出力容量と安定性
やトランジェント応答の関係を注意深く検討する必要があり
ます。リニアテクノロジーのµModule Power Design Toolは、実
装する位相数をN 倍に増やしたときの出力リップルの減少を
計算できます。10Ω ∼ 50Ωの小さな抵抗をVOUTとVOUTS ピ
ンの間に直列に挿入することで、ボード・プロット・アナライザ
が制御ループに信号を注入して、レギュレータの安定性を検
証できるようにします。同じ抵抗をVOUTとDIFFPの間に直列
に挿入しても、ボード・プロット・アナライザは制御ループに信
号を注入してレギュレータの安定性を検証できます。
Burst Mode 動作
LTM4630は、パワー MOSFET が負荷要件に応じて間欠的に
動作するBurst Mode 動作を、レギュレータごとに実行できる
ため、静止電流が節減されます。非常に軽い負荷での効率最
大化を重視するアプリケーションでは、Burst Mode 動作を使
用します。MODE_PLLINピンをフロートさせると、Burst Mode
動作がイネーブルされます。この動作の間、COMPピンの電
圧が低い値を示しても、
インダクタのピーク電流は通常動作に
おける最大ピーク電流値の約 1/3に設定されます。インダクタ
の平均電流が負荷の要求値より大きいと、COMPピンの電圧
は下がります。COMPピンの電圧が 0.5Vを下回ると、BURST
コンパレータがトリップし、内部のスリープ・ラインが H に
なって両方のパワー MOSFETをオフします。
スリープ・モードでは、内部回路は部分的にオフしており、各
出力の静止電流は約 450μAに減少します。このとき、負荷電
流は出力コンデンサから供給されます。出力電圧が低下して、
COMPが0.5Vを超えると、
内部のスリープ・ラインは L になり、
LTM4630は通常動作を再開します。次の発振器サイクルで
トップ・パワー MOSFET がオンし、スイッチング・サイクルを繰
り返します。Burst Mode 動作は、両レギュレータのいずれに対
しても設定できます。
4630f
12
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
LTM4630
アプリケーション情報
パルス・スキップ・モードの動作
低出力リップルおよび中程度の電流での高い効率が望まれる
アプリケーションでは、パルス・スキップ・モードを使います。
パルス・スキップ動作では、LTM4630は低出力負荷時にサイ
クルをスキップすることができるので、スイッチング損失が減
少して効率が向上します。MODE_PLLINピンをINTVCC に
接続すると、パルス・スキップ動作がイネーブルされます。軽
い負荷では、内部電流コンパレータが数サイクルにわたってト
リップしたままになることがあり、トップ MOSFETを数サイクル
にわたってオフする
(つまり、サイクルをスキップする)
ことがあ
ります。このモードでは、インダクタ電流が反転せず、実効周
波数が高く保たれるため、Burst Mode 動作に比べて出力リッ
プルとノイズが低減されます。パルス・スキップ・モードは、両レ
ギュレータのいずれに対しても設定できます。
強制連続動作
低電流での効率より周波数固定の動作が重要で、更に出力
リップルを最小限に抑える必要があるアプリケーションでは、
強制連続動作を使います。MODE_PLLINピンをGNDに接続
すると、強制連続動作をイネーブルできます。このモードでは、
インダクタ電流が低出力負荷の間反転可能で、常にCOMP 電
圧が電流コンパレータのしきい値を制御し、トップ MOSFETは
発振器のパルスごとに必ずオンします。起動時には、LTM4630
の出力電圧が安定化されるまで、強制連続モードがディスエー
ブルされ、インダクタ電流の反転が防止されます。強制連続
モードは、両レギュレータのいずれに対しても設定できます。
マルチフェーズ動作
出力負荷が 18Aを超える電流を必要とする場合、LTM4630の
2つの出力または複数のLTM4630を並列接続した上で、位相
をずらして動作させ、入力と出力の電圧リップルを抑えたまま
出力電流を増やすことができます。MODE_PLLINピンによっ
てLTM4630を外部クロック
(400kHz ∼ 780kHz)
に同期させる
ことができ、内部フェーズロック・ループによってLTM4630を
入力クロックの位相にロックさせることができます。CLKOUT
信号を、次段のMODE_PLLINピンに接続し、システム全体
の周波数と位相の両方を揃えることができます。PHASMD
ピンを、INTVCC またはSGNDに接続するか、フロート状態
とすると、それぞれ 120 、60 、90 の位相差(MODE_PLLIN
とCLKOUT 間)
を発生できます。LTM4630のチャネルごとに
PHASMDピンを異なったレベルにプログラムすることにより、
合計 12フェーズをカスケード接続し、相互に同時に動作させ
ることができます。図 3は、クロックの位相制御の設計例とし
て2フェーズ、4フェーズ、6フェーズの構成をPHASMDの表
と併せて示したものです。
マルチフェーズ電源では、入力と出力のどちらのコンデンサの
リップル電流の量も大幅に減少します。RMS 入力リップル電
流は使用する位相数が増えると低減され、実効リップル周波
数は位相数倍されます
(入力電圧が、使用される位相数 出
力電圧より大きいと仮定)。すべての出力を互いに接続した高
電流のシングル出力デザインでは、使用する位相数によって
出力リップルの振幅を低減することができます。
LTM4630は本来、電流モードで制御されるデバイスである
ため、並列モジュールでは優れた電流分担特性を示し、デザ
インの発熱バランスがよくなります。図 26に、並列動作とピン
接続の例を示します。
入力 RMSリップル電流の相殺
マルチフェーズ動作は
「アプリケーションノート77」
で詳細に説
明されています。入力RMSリップル電流の相殺を数学的に導
出し、RMSリップル電流の減少を、インタリーブされた位相の
数の関数として表したグラフを掲載しています。図 4に、そのグ
ラフを再録します。
周波数の選択とフェーズロック・ループ
(MODE_PLLINピンとfSET ピン)
LTM4630デバイスは、電力変換効率を高めるために、広い周
波数範囲で動作します。最善の効率とインダクタ電流リップル
が得られるように、出力範囲全体で500kHzで動作させること
を推奨します。
LTM4630のスイッチング周波数は、fSET ピンとSGND 間の外
付け抵抗によって設定できます。高精度の10μA 電流源から
抵抗に供給される電流によって、周波数をプログラムする電
圧を設定します。DC 電圧を直接印加して設定することもでき
ます。図 5にプログラム電圧に対する周波数設定のグラフを示
4630f
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
13
LTM4630
アプリケーション情報
2-PHASE DESIGN
PHASMD
FLOAT
CLKOUT
0 PHASE
MODE_PLLIN
VOUT1
VOUT2
SGND
FLOAT
CONTROLLER1
0
0
0
CONTROLLER2
180
180
240
CLKOUT
60
90
120
180 PHASE
INTVCC
PHASMD
4-PHASE DESIGN
90 DEGREE
CLKOUT
0 PHASE
FLOAT
CLKOUT
MODE_PLLIN
VOUT1
VOUT2
180 PHASE
90 PHASE
FLOAT
PHASMD
MODE_PLLIN
VOUT1
VOUT2
270 PHASE
PHASMD
6-PHASE DESIGN
60 DEGREE
60 DEGREE
CLKOUT
0 PHASE
SGND
CLKOUT
MODE_PLLIN
VOUT1
VOUT2
180 PHASE
60 PHASE
SGND
PHASMD
CLKOUT
MODE_PLLIN
VOUT1
VOUT2
240 PHASE
PHASMD
120 PHASE
FLOAT
MODE_PLLIN
VOUT1
VOUT2
300 PHASE
PHASMD
4630 F03
図 3.2フェーズ、4フェーズ、6フェーズ動作の例(PHASMD の表を併記)
0.60
1-PHASE
2-PHASE
3-PHASE
4-PHASE
6-PHASE
0.55
0.50
RMS INPUT RIPPLE CURRENT
DC LOAD CURRENT
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.1 0.15
0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0.8 0.85 0.9
DUTY FACTOR (VOUT/VIN)
4630 F04
図 4.DC 負荷電流に対する入力 RMS 電流の比率のデューティ・サイクル依存性
14
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
4630f
LTM4630
アプリケーション情報
します。周波数範囲 400kHz ∼ 780kHzについては、MODE_
PLLINピンに0V からINTVCC の外部クロックを入力すること
もできます。クロック入力のHigh 側しきい値は1.6V、Low 側し
きい値は1Vです。LTM4630はPLLループ・フィルタの部品を
内蔵しています。外部クロックにロックするまでの初期スイッチ
ング周波数を設定するために、周波数設定抵抗は必ず接続し
てください。両レギュレータは、外部クロックによる駆動中、連
続モードで動作します。
PLL 位相検出器の出力は、内部フィルタ・ネットワークを充
放電する1 対の相補型電流源です。外部クロックを印加する
場合、fSET 周波数抵抗は内部スイッチによって切り離され、入
力される外部クロックにロックするための周波数調整は電流
源によって制御されます。外部クロックが印加されないと、内
部スイッチがオンになり、外付けのfSET 周波数設定抵抗が接
続されて自走動作になります。
900
800
FREQUENCY (kHz)
700
600
500
VOUT
> tON(MIN)
VIN • FREQ
デューティ・サイクルが最小オン時間で対応可能な値より低く
なると、コントローラはサイクル・スキップを開始します。出力
電圧は引き続き安定化されますが、出力リップルと電流が増
加します。
トップ MOSFETのオン時間は、スイッチング周波数
を低くすると増加します。経験則から、オン時間は110nsより
も長くすることを推奨します。
出力電圧のトラッキング
出力電圧のトラッキングはTRACKピンを使って外部よりプ
ログラムできます。出力を別のレギュレータによってトラッキン
グアップおよびトラッキングダウンさせることができます。マス
ター・レギュレータの出力は、スレーブ・レギュレータの帰還分
割器と同じ外部抵抗分割器によって分割され、同時トラッキ
ングを実装します。LTM4630は、各チャネルにトップ帰還抵抗
用として60.4kの高精度抵抗を内蔵しています。同時トラッキ
ングの例を図 6に示します。式は次のようになります。
 60.4k 
SLAVE = 1+
 • VTRACK
RTA 

400
300
200
100
0
リケーションでは、この最小オン時間のリミットに接近する可
能性があるので、次の条件を満たすように注意してください。
0
0.5
1
1.5
fSET PIN VOLTAGE (V)
2
2.5
4630 F05
図 5. 動作周波数の fSET ピン電圧依存性
最小オン時間
最小オン時間 tON は、LTM4630 がいずれかのチャネルのトッ
プ MOSFETをオンすることができる最小時間です。これは内
部タイミング遅延とトップMOSFETをオンするのに必要なゲー
ト電荷の量によって決まります。低デューティ・サイクルのアプ
VTRACK はスレーブのトラック・ピンに印加するトラック・ランプ
です。VTRACK の制御範囲は0V ∼ 0.6V(内部リファレンスの
電圧)
です。スレーブの出力を設定するのに使われる抵抗値と
同じ値でマスターの出力が分圧されると、スレーブはその最
終値に達するまでマスターを同時トラッキングします。マスター
はスレーブのレギュレーション・ポイントからその最終値まで
上昇を続けます。VTRACK が 0.6Vを超えると、電圧トラッキン
グがディスエーブルされます。同時トラッキングの場合、図 6の
RTA はRFB に等しくなります。同時トラッキングの波形を図 7に
示します。
マスタ・レギュレータのTRACKピンは、グランドとの間に接続
したコンデンサによって制御できます。TRACKピンは、1.3μA
の電流源によってリファレンス電圧まで充電され、更に最大
INTVCC まで電圧が高くなります。0.6Vまでランプアップした
4630f
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
15
LTM4630
アプリケーション情報
INTVCC
C10
4.7µF
R2
10k
PGOOD
MODE_PLLIN
4V TO 15V INTERMEDIATE BUS
C4
22µF
25V
D1*
5.1V ZENER
R1*
10k
C3
22µF
25V
C2
22µF
25V
C1
22µF
25V
R6
100k
CLKOUT INTVCC EXTVCC
VOUT1
TEMP
VOUTS1
RUN1
SW1
RUN2
VFB1
TRACK1
MASTER
RTB
60.4k
RTA
60.4k
1.5V
RFB
60.4k
COMP1
f SET
COMP2
PHASMD
VOUTS2
VOUT2
R4
121k
1.2V AT 18A
PGOOD2
GND
DIFFP
DIFFN
DIFFOUT
40.2k
SLAVE
SW2 PGOOD
SGND
1.5V AT 18A
C8
470µF
6.3V
C6
100µF
6.3V
VFB2
LTM4630
TRACK2
CSS
0.1µF
PGOOD1
VIN
C5
100µF
6.3V
C7
470µF
6.3V
INTVCC
R9
10k
RAMP TIME
tSOFTSTART = (CSS /1.3µA) • 0.6
* PULL-UP RESISTOR AND ZENER ARE OPTIONAL.
4630 F06
図 6. 出力トラッキング・アプリケーション回路の例
MODE_PLLINピンで 選 択 され たモ ードには 関 係 なく、
TRACK=0.5Vまではレギュレータ・チャネルが常にパルス・
スキップ・モードで起動します。TRACK=0.5V ∼ 0.54Vでは
強制連続モードで動作し、TRACK > 0.54Vになると選択され
たモードに復帰します。LTM4630は、定常状態の動作に移行
すると、
もう一方のチャネルをトラックするために、
VFB が0.54V
を下回った時点で、MODE_PLLINピンの設定に関係なく、
強制的に連続モード動作に切り替わります。
OUTPUT VOLTAGE
MASTER OUTPUT
SLAVE OUTPUT
TIME
4630 F07
図 7. 出力同時トラッキングの波形
後は、TRACKピンに対する制御は解除され、内部電圧リファ
レンスが帰還分圧器を介して出力レギュレーションを制御し
ます。
トラッキングまたはソフトスタートに含まれる上記のシー
ケンス実行中は、フォールドバック電流制限はディスエーブル
されます。RUNピンが 1.2Vを下回ると、TRACKピンはLow
に引き下げられます。合計ソフトスタート時間は次のように計
算できます。
レシオメトリック・トラッキングはいくつかの簡単な計算とマス
ターのTRACKピンに与えられるスルーレートの値によって達
成することができます。前述のとおり、TRACKピンの制御範
囲は0V ∼ 0.6Vです。マスターのTRACKピンのスルーレート
はボルト/ 時間で表したマスターの出力スルーレートにそのま
ま等しくなります。式は次のようになります。
MR
• 60.4k = RTB
SR
ここで、MRはボルト/ 時間で表したマスターの出力スルー
レート、SRはスレーブの出力スルーレートです。同時トラッ
 C 
tSOFT-START =  SS  • 0.6
 1.3µA 
4630f
16
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
LTM4630
アプリケーション情報
キングが必要な場合には、MRとSR が等しくなるのでRTB は
60.4kに等しくなります。RTA は次式から求められます。
RTA =
0.6V
VFB VTRACK
VFB
+
−
60.4k RFB
RTB
ここで、VFB はレギュレータの 帰 還 電 圧リファレンスで、
VTRACK は0.6Vです。RTB はスルーレートが等しい
(つまり同
時トラッキング時の)
スレーブ・レギュレータの60.4kのトップ
帰還抵抗に等しいので、VFB =VTRACK のとき、RTA はRFB に
等しくなります。したがって、図 6のRTB =60.4k、RTA =60.4k
になります。
レシオメトリック・トラッキングでは、スレーブ・レギュレータに
異なるスルーレートが必要になる可能性があります。SR が
MRより低いときのRTB を求めることができます。マスターの出
力より前にスレーブの出力電圧がその最終値に達するように、
十分速いスレーブ電源のスルーレートが選択されていること
を確認してください。
例えば、MR=1.5V/1ms、およびSR=1.2V/1msとした場合、
RTB=76.8kになります。RTAについて解くと、49.9kが得られます。
各 TRACKピンは、その特定のチャネルのトラッキングを抵抗
分割器によって実装している場合、1.3µAの電流源をオンし
ます。このため、TRACKピン入力にオフセットが生じます。上
式で計算した抵抗値と比が同じで、値がもっと小さな抵抗を
使うことができます。例えば、60.4k が使われている場合、6.04k
を使ってTRACKピンのオフセットを無視できる値に下げるこ
とができます。
パワーグッド
PGOODピンはオープン・ドレインのピンで、有効な出力電圧
レギュレーションをモニタするのに使うことができます。このピ
ンはレギュレーション・ポイントの上下 10%の範囲をモニタし
ます。モニタ用の抵抗を、最大 6Vを超えない特定の電源電
圧でプルアップできます。
安定性補償
モジュールはあらゆる出力電圧に対して内部で補償済みです。
ほとんどのアプリケーションの要件に対して表 4 が与えられて
います。その他の制御ループの最適化のためには、リニアテク
ノロジーよりμModule Power Design Toolが提供されています。
実行イネーブル
RUNピンは、最大 1.4V、代表値 1.25Vのイネーブルしきい
値を持ち、150mVのヒステリシスが付加されています。各
チャネルとINTVCC のターンオンを制御します。5V 動作の
場合、これらのピンはVIN にプルアップすることができます。
入力が 5Vを超える場 合は、5Vのツェナー・ダイオードと
10k ∼ 100kの抵抗を接続してチャネルをイネーブルできます。
RUNピンは、出力電圧のシーケンス制御にも使用できます。
並列動作では、RUNピンを相互に接続して1つの信号で制
御できます。図 23の
「標準的応用回路」
を参照してください。
INTVCC とEXTVCC
LTM4630モジュールは、入力電圧から5Vを発生する、低ド
ロップアウト・レギュレータを内蔵しています。このレギュレー
タは制御回路とパワー MOSFETのドライバの電源として使わ
れます。最大 70mAを供給でき、通常は∼ 30mAの消費電流
によって最大周波数で動作するデバイスに給電します。この内
部 5V 電源は、RUN1またはRUN2のいずれかによってイネー
ブルされます。
EXTVCC を使用すると、LTM4630に外部 5V 電源から電力を
供給できるため、内蔵低ドロップアウト5Vレギュレータによる
電力損失を低減できます。電力損失の節減量は次式で計算
することができます。
(VIN – 5V)・30mA = PLOSS
EXTVCC には、
アクティブ化するために4.7Vのしきい値があり、
最大定格は6Vです。入力が 5Vの場合、これをEXTVCC に
接続してゲート駆動レベルを5Vに維持することも可能です。
EXTVCC はVINより後にオンさせ、VINより前にオフさせる必
要があります。
差動リモート検出アンプ
離れた負荷ポイントで低い出力電圧を正確に検出するために、
高精度の差動リモート検出アンプを搭載しています。大電流
の負荷には特に役立ちます。アンプは、2つのチャネルのいず
れか一方、または並列構成のシングル出力に対して使用で
きます。DIFFPとDIFFNを出力に、DIFFOUTをVOUTS1 また
はVOUTS2 のいずれかに適切に接続することが重要です。並
列 動 作 の 場 合は、DIFFPとDIFFNを出力に、DIFFOUTを
VOUTS ピンのいずれか一方に適切に接続します。図 24の並
列構成の回路図と、図 2を参照してください。
4630f
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
17
LTM4630
アプリケーション情報
SWピン
通常、SWピンはテスト時のモニタリング目的で使用します。
また、スイッチング動作する電流パスのLC 寄生素子によって
発生する、スイッチ・ノード・リンギングを減衰させる目的でも
使用します。これには通常、スナバ回路と呼ばれる直列 RC 回
路を使用します。抵抗が共振を減衰させ、コンデンサには、抵
抗両端の高周波リンギングだけに作用する値を選択します。
浮遊インダクタンスまたは容量を測定できる場合、または近
似値が既知の場合は、スナバ回路の値を選択するのにある
程度解析的な手法を適用できます。通常は、インダクタンス
の方が予測が容易です。電源パスのボード・インダクタンスと
MOSFETインターコネクトのボンディング・ワイヤのインダクタ
ンスを組み合わせた値になります。
はじめに、高帯域幅のオシロスコープと高周波のプローブに
よってSWピンをモニタします。これによって、その回路定数で
のリンギング周波数を測定できます。周波数から、次式によっ
てインピーダンスZを計算できます。
ZL = 2πfL
セスに依存するパラメータです。VT は、次のように書き換えら
れます。
VT =
k•T
q
ここでTはダイオードの接合部温度(単位:K)、
qは電子電荷、
kはボルツマン定数です。VT は室温(298K)で約 26mVであ
り、絶対温度に対して線形に変化します。ダイオードが温度セ
ンサに適しているのは、この温度に対する線形性のためです。
上式のIS の項はダイオードの接合を通して流れる電流を、ダ
イオード端子間の電圧が 0Vになる点まで外挿した値です。IS
の項はプロセス間や温度によってばらつきますが、
その定義か
ら常にID より小さくなければなりません。すべての定数を1つ
の項にまとめると、次のようになります。
KD =
η•k
q
ここでKD =8.62–5 であり、ID が常にISより大きいため、ln(ID/IS)
は常に正になることがわかります。これらのことから、次の式
が得られます。
ここで、fはリンギングの共振周波数、Lはスイッチング・パスの
寄生インダクタンスの合計値です。この式のZに等しい抵抗を
I
選べば、リンギングは減衰するはずです。スナバのコンデンサの
VD = T(KELVIN) • KD • ln D
IS
値は、インピーダンスがリンギング周波数における抵抗に等しく
なるように選択されます。次式で計算されます。ZC=1/(2πfC) この式から、VD が温度とともに増加するのがわかります。し
これらの値は、検討を始める初期値として妥当です。最小限
かし、電流源によってバイアスされたシリコン・ダイオードの
の電力損失でリンギングを減衰できるように、これらの部品の
温度係数が約–2mV/ Cになることは広く知られた事実であり
値は変更する必要があります。
(図 8)
、これは上式と一致しません。実際には、IS の項は温
温度のモニタリング
ダイオードの絶対温度は、次に示す古典的なダイオードの式
によって表される、電流、電圧、温度間の関係を使って測定
できます。
 V 
ID = IS • e  D 
 η • VT 
DIODE VOLTAGE (V)
1.0
100µA
0.8
∆VD
0.6
or
I
VD = η • VT • ln D
IS
0.4
100
ここで、ID はダイオードの電流、VD はダイオードの電圧、ηは
理想係数(通常は1.0に近い値)
であり、IS(飽和電流)
はプロ
200
300
400
TEMPERATURE (K)
4630 F08
図 8. 異なるバイアス電流に対するダイオード
電圧 VD の温度(K)依存性
4630f
18
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
LTM4630
アプリケーション情報
度ともに増加し、ln(ID/IS)
の絶対値が減少します。この効果
が複合されることで、約 –2mV/degというダイオードの電圧ス
ロープが得られます。
ダイオード接続したPNPトランジスタを抵抗によって最大 VIN
までプルアップし、電流を100µAに設定すれば、温度の変化
に伴うダイオード電圧降下をモニタすることにより、このダイ
オード接続トランジスタを一般的な温度モニタとして使用でき
ます。一例としては、図 24を参照してください。
熱に関する検討事項と出力電流のディレーティング
データシートの
「ピン配置」に記載された熱抵抗は、JESD
51-9に定義されたパラメータに準拠しています。これらのパ
ラメータは、有限要素解析(FEA)
ソフトウェアのモデリング・
ツールでの使用を意図したものです。モデリング・ツールでは、
JESD 51-9( Test Boards for Area Array Surface Mount
Package Thermal Measurements )によって定義されたハード
ウェア・テストボードにμModule パッケージを実装して行われ
たハードウェア評価で得られた熱的モデリング、シミュレーショ
ン、相関の結果を使用します。これらの熱係数を示す目的は、
JESD51-12( Guidelines for Reporting and Using Electronic
Package Thermal Information )
に記載されています。
多くの設計者は、さまざまな電気的および環境的動作条件で
動作する実際のアプリケーションにおけるμModuleレギュレー
タの熱性能を予測するのに、実験室の装置およびデモボード
のようなテスト手段の使用を選択して、FEAの作業を補強で
きます。FEAソフトウェアを使用しない場合、
「ピン配置」
に記
載された熱抵抗は、それだけでは熱性能のガイダンスにはな
りません。むしろ、データシートに示されたディレーティング曲
線を使った方が、アプリケーションへの適用方法に沿った洞
察とガイダンスを得られ、特定のアプリケーションにおける熱
性能との相関に適合させることができます。
1. θJA(接合部から周囲までの熱抵抗)
は、1 立方フィートの
密閉された筐体内で測定された、接合部から自然対流す
る周囲の空気までの熱抵抗です。この環境は、自然対流に
より空気が移動しますが、
「静止空気」
と呼ばれることがあ
ります。この値は、JESD 51-9で定義されているテストボー
ドに実装したデバイスを使って決定されます。このテスト
ボードは実際のアプリケーションまたは実現可能な動作
条件を反映するものではありません。
2. θJCbottom(接合部から製品のケースの底部までの熱抵抗)は、
部品の全電力損失がパッケージの底部を通って流れ出す場
合の接合部から基板までの熱抵抗です。標準的なμModule
では、熱の大半がパッケージの底面から流出しますが、周囲
の環境への熱の流出が必ず発生します。その結果、この熱
抵抗値はパッケージの比較には役立ちますが、このテスト条
件は一般にユーザーのアプリケーションに合致しません。
3. θJCTOP( 接合部から製品のケースの頂部までの熱抵抗)
は、部品のほぼ全電力損失がパッケージの頂部を通って
流れ出す状態で決定されます。標準的 μModuleの電気的
接続はパッケージの底部なので、接合部からデバイスの頂
部に熱の大半が流れるようにアプリケーションが動作する
ことは稀です。θJCBOTTOM の場合のように、この値はパッ
ケージの比較には役立ちますが、このテスト条件は一般に
ユーザーのアプリケーションに合致しません。
4. θJB(接合部からプリント回路基板までの熱抵抗)
は、熱の大
部分が μModuleの底部を通って基板に流れ出すときの接
合部から基板までの熱抵抗であり、実際には、θJCbottomと、
デバイスの底部から半田接合部を通り、基板の一部までの
熱抵抗の和です。基板の温度は、両面の2層基板を使って、
パッケージからの規定された距離で測定されます。この基
板はJESD 51-9に記述されています。
「ピン配置」
には、通常はJESD 51-12に明示的に定義された
4つの熱係数が記載されています。以下に、これらの係数の定
義の引用または説明を示します。
4630f
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
19
LTM4630
アプリケーション情報
前述の熱抵抗を図式化したものが図 9です。青色で示された
部分はμModuleレギュレータ内部の熱抵抗、緑色で示された
部分はμModuleの外部に存在する熱抵抗です。
実際には、JESD51-12または
「ピン配置」
で定義されている4
種類の熱抵抗パラメータの個々のものまたはサブグループは、
μModuleの通常の動作条件を再現または表現するものでは
ないことに注意してください。例えば、基板に実装された通常
のアプリケーションでは、標準規格が θJCtop および θJCbottom
をそれぞれ定義しているように、デバイスの全電力損失(熱)
の100% がパッケージの頂部だけを通って、または底部だけ
を通って熱的に伝わることは決してありません。実際には、電
力損失は熱的にパッケージの両面へと放出されます。確かに、
ヒートシンクまたはエアフローがなければ、熱流の大部分は
基板へと流れます。
SIP(System-In-Package)
モジュール内部では、電力損失を生じ
る複数のパワーデバイスや部品が存在し、その結果、部品やダ
イの異なる接合部を基準にした熱抵抗は、パッケージの全電
力損失に対して正確にリニアではないことに注意してください。
この複雑さを
(モデリングの簡単さを犠牲にすることなく、
しかも実用的な現実性を無視せずに)調和させるため、制御さ
れた環境室でのラボ・テストとともにFEAソフトウェア・モデリ
ングを使うアプローチが取られ、このデータシートで与えられ
ている熱抵抗値の定義と相関が得られました。
(1)
はじめに、
FEAソフトウェアによってμModuleと指定のPCBの機械的
形状モデルを、正確な材料係数と正確な電力損失源の定義
とともに、高い精度で構築しました。
(2)
このモデルによって、
JESD 51-9に準拠したソフトウェア定義のJEDEC環境をシミュ
レートして、さまざまな界面における電力損失熱流と温度測
定値を予測します。その値からJEDEC 定義の熱抵抗値を計
算できます。
(3)
モデルとFEAソフトウェアを使ってヒートシン
クとエアフローがある場合のμModuleの熱性能を評価します。
(4)
これらの熱抵抗値を計算、解析し、ソフトウェア・モデル
内でさまざまな動作条件によるシミュレーションを行った上
で、これを再現する徹底した評価実験を実施します。具体的
には、制御環境チャンバ内で、シミュレーションと同じ電力損
失でデバイスを動作させながら、熱電対を使って温度を測定
します。このプロセスと必要な作業の結果、このデータシート
の別のセクションに示されているディレーティング曲線が得ら
れました。これらの実験室での評価を行い、μModuleモデルと
相関を得てからθJBとθBA を合計すると、適切な環境のチャン
バ内におけるエアフローおよびヒートシンクなしのμModuleモ
デルと、きわめてよい相関が得られました。このθJB +θBA の
値は
「ピン配置」
に示されており、エアフローや頂部に実装し
たヒートシンクがない状態では、電力損失のほぼ 100% が接
合部から基板を通って周囲に流れるので、この値はθJA の値
に正確に等しくなります。熱特性はシステムごとに異なるため、
特定のシステムに対してユーザーが熱解析を実施する必要が
あります。
JUNCTION-TO-AMBIENT RESISTANCE (JESD 51-9 DEFINED BOARD)
JUNCTION-TO-CASE (TOP)
RESISTANCE
JUNCTION
CASE (TOP)-TO-AMBIENT
RESISTANCE
JUNCTION-TO-BOARD RESISTANCE
JUNCTION-TO-CASE
CASE (BOTTOM)-TO-BOARD
(BOTTOM) RESISTANCE
RESISTANCE
AMBIENT
BOARD-TO-AMBIENT
RESISTANCE
4630 F10
µMODULE DEVICE
図 9.JESD51-12 の熱係数の図解
4630f
20
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
LTM4630
アプリケーション情報
LTM4630モジュールは、パッケージの上下両面から効率的
に放熱できるように設計されています。下面の基板材料はプリ
ント回路基板への熱抵抗がきわめて低くなっています。エアフ
ローへの良好な放熱が可能な外付けのヒートシンクをデバイ
スの上面に取り付けることができます。
図 10と図 11に、
ヒートシンクなしのLTM4630を200LFMのエ
アフローで冷却した場合の温度プロットを示します。
これらのプロットは、84.5%の効率で動作する並列接続の
12V 入力、1.0V/36A出力のデザイン、および 86%の効率で動
作する12V 入力、1.2V/36A出力のデザインと同等です。
安全性に関する検討事項
LTM4630モジュールはVINとVOUT の間が絶縁されていま
せん。内部にヒューズはありません。必要に応じて、最大入力
電流の2 倍の定格の低速溶断ヒューズを使って各ユニットを
致命的損傷から保護してください。デバイスも過電流保護機
能を備えています。内部温度をモニタする温度検出ダイオード
を搭載しているため、これを使ってRUNピン制御によるサー
マル・シャットダウンが必要であるかどうかを検出できます。
図 10.12V 入力、1.0V 出力 /36A の LTM4630
の熱イメージ
(ヒートシンクなし、200LFM
のエアフロー)
電力ディレーティング
図 13と図 14の1.0Vと1.5Vの電力損失曲線を図 15 ∼図 22
の負荷電流ディレーティング曲線とともに使って、さまざまな
ヒートシンクおよびエアフロー条件でのLTM4630のおおよそ
のθJA 熱抵抗を計算することができます。電力損失曲線を室
温で測定し、その値を125 Cでは倍率 1.35 ∼ 1.4で増加させ
ます。この値の増加は、レギュレータの電力損失が 25 Cから
150 Cで約 45% 増加することが原因です。50%の変化を温度
差 125 Cに均等に振り分ければ、損失の増加は約 0.35%/ Cに
なります。最大接合部温度の125 Cから室温の25 Cを引くと、
温度増は100 Cです。この100 Cの温度増に0.35%/ Cを掛け
ると、125 Cの接合部では損失が 35% 増大することになり、こ
こから倍率の1.35 が得られます。
ディレーティング曲線は、CH1とCH2を並列接続したシングル
出力動作を、負荷電流 36A から測定しはじめます。周囲温度
は常温です。出力電圧は1.0Vと1.5Vです。これらの電圧は熱
抵抗との相関を取るため、低い方と高い方の出力電圧範囲を
含むように選択されています。サーマルモデルは恒温室を使っ
たいくつかの温度測定とサーマルモデル解析から得られます。
図 11.12V 入力、1.2V 出力 /36A の LTM4630
の熱イメージ
(ヒートシンクなし、200LFM
のエアフロー)
4630f
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
21
LTM4630
アプリケーション情報
エアフローありとエアフローなしの条件で周囲温度を上げな
がら接合部温度をモニタします。周囲温度の変化による電力
損失の増加はディレーティング曲線に加味されています。周囲
温度を上げながら、他方、出力電流つまり電力は減らして、接
合部温度を最大∼ 120 Cに維持します。周囲温度を上げなが
ら出力電流を減らすと、内部モジュールの損失が減少します。
モニタされた120 Cの接合部温度から周囲動作温度を差し
引いた値は、どれだけのモジュール温度の上昇を許容できる
かを規定します。図 15の例では、エアフローやヒートシンクな
しで約 86 Cのとき負荷電流が約 25Aにディレーティングされ、
12V から1.0V/25A出力の電力損失は5.5Wです。5.5Wの損
失は、12V から1.0V への25Aでの電力損失曲線から得られ
る約4.1Wの室温での損失、
および125 Cの周囲温度での1.35
の増加係数を使って計算されます。120 Cの接合部温度から
86 Cの周囲温度を差し引き、その差の34 Cを5.5Wで割ると
6.2 C/Wの熱抵抗 θJA が得られます。表 2はこれと非常に近い
7 C/Wの値を規定しています。エアフローありのグラフは、
これ
より更に正確です。周囲温度環境が、エアフローによってより
適切に管理されているためです。図 19の例からは、200LFMの
エアフローのもとで約72 Cのとき負荷電流が約30Aにディレー
ティングされ、12Vから1.5V/30A出力の電力損失は7.9Wであ
ることがわかります。7.9Wの損失は、12V 入力、1.5V/22A出力
での電力損失曲線から得られる約 5.9Wの室温での損失、お
よび125 Cの周囲温度での1.35の増加係数を使って計算され
ます。120 Cの接合部温度から72 Cの周囲温度を差し引き、そ
の差の48 Cを7.9Wで割ると6.0 C/Wの熱抵抗 θJA が得られ
ます。表 2はこれと非常に近い6.0 C/Wの値を規定しています。
表 2と表 3にエアフローとヒートシンクのありとなしの1.0V出
力と1.5V出力の等価熱抵抗を示します。
さまざまな条件で得られた表 2と表 3の熱抵抗に、周囲温度
の関数として計算された電力損失を掛けて、周囲温度を超え
る温度上昇(したがって最大接合部温度)
を求めることができ
ます。室温での電力損失は効率曲線から求め、上記の周囲温
度の増加係数を使って調整することができます。プリント回路
基板は1.6mm 厚の4 層構造で、外側 2 層には2オンス銅箔、
内側 2 層には1オンス銅箔を使用しています。PCBの寸法は
101mm 114mmです。BGAヒートシンクを表 3に示します。
レイアウトのチェックリスト/ 例
LTM4630は高度に集積化されているため、
PCB 基板レイアウ
トが非常に簡単です。ただし、電気的性能と熱的性能を最適
化するにはいくつかのレイアウト上の配慮が依然として必要
です。
• VIN、GND、VOUT1、VOUT2 を含む高電流経路にはPCB 銅
箔面積を広く確保します。PCBの導通損失と熱ストレスを
最小に抑えるのに役立ちます。
• 入力と出力の高周波 用セラミック・コンデンサをVIN、
PGNDおよび VOUT の各ピンに隣接させて配置し、高周波
ノイズを最小に抑えます。
• ユニットの下に専用の電源グランド・レイヤを配置します。
• ビアの導通損失を最小に抑え、モジュールの熱ストレスを
減らすため、トップ・レイヤと他の電源レイヤの間の相互接
続に多数のビアを使います。
• 充填ビアまたはメッキビアでない限り、パッドの上に直接ビ
アを置かないでください。
• 信号ピンに接続された部品には、別のSGNDグランド銅
領域を使います。SGNDとGNDをユニットの下で接続し
ます。
• 並列モジュールの場合は、VOUT、VFB、COMPピンを互い
に接続します。内部層を使ってこれらのピンを互いに近づ
けて接続します。TRACKピンはレギュレータのソフトスター
ト用に共通のコンデンサを接続できます。
• 信号ピンからは、モニタリング用にテスト・ポイントを引き出
してください。
推奨レイアウトの良い例を図 12に示します。
4630f
22
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
LTM4630
アプリケーション情報
CIN1
CIN2
VIN
M
L
K
GND
GND
J
H
G
COUT1
SGND
F
COUT2
E
D
C
B
A
1
2
3
4
5
VOUT1
6
7
8
9
10
11
GND
12
VOUT2
4630 F12
CNTRL
CNTRL
図 12. 推奨されるPCBレイアウト
表 2.1.0V 出力
ディレーティング曲線
Figures 15, 16
Figures 15, 16
Figures 15, 16
Figures 17, 18
Figures 17, 18
Figures 17, 18
表 3.1.5V 出力
ディレーティング曲線
Figures 19, 20
Figures 19, 20
Figures 19, 20
Figures 21, 22
Figures 21, 22
Figures 21, 22
VIN(V)
5, 12
5, 12
5, 12
5, 12
5, 12
5, 12
電力損失曲線
Figure 13
Figure 13
Figure 13
Figure 13
Figure 13
Figure 13
エアフロー(LFM)
0
200
400
0
200
400
ヒートシンク
None
None
None
BGA Heat Sink
BGA Heat Sink
BGA Heat Sink
θJA( C/W)
7
6
5.5
6.5
5
4
VIN(V)
5, 12
5, 12
5, 12
5, 12
5, 12
5, 12
電力損失曲線
Figure 14
Figure 14
Figure 14
Figure 14
Figure 14
Figure 14
エアーフロー(LFM)
0
200
400
0
200
400
ヒートシンク
None
None
None
BGA Heat Sink
BGA Heat Sink
BGA Heat Sink
θJA( C/W)
7
6
5.5
6.5
4
3.5
ヒートシンクのメーカー
製品番号
Webサイト
Aavid Thermalloy
375424B00034G
www.aavid.com
4630f
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
23
LTM4630
アプリケーション情報
表 4.出力電圧応答と部品のマトリックス
(図 23を参照)、0A から7A への負荷ステップ時の標準的測定値
メーカー
TDK, COUT1 Ceramic
Murata, COUT1 Ceramic
値
100µF 6.3V
100µF 6.3V
製品番号
C4532X5R0J107MZ
GRM32ER60J107M
AVX, COUT1 Ceramic
100µF 6.3V
18126D107MAT
Sanyo POSCAP, COUT2 Bulk
470µF 2R5
2R5TPD470M5
Sanyo POSCAP, COUT2 Bulk
470µF 6.3V
6TPD470M
Sanyo, CIN Bulk
56µF 25V
25SVP56M
8
40
7
7
35
6
6
30
5
VIN = 12V
4
VIN = 5V
3
5
LOAD CURRENT (A)
8
EFFICIENCY (%)
EFFICIENCY (%)
VOUT
COUT
VIN
DROOP P-P 偏差 回復時間 負荷ステップ 負荷ステップ RFB 周波数
CIN
CIN
COUT
CFF
(A)
(A/µs)
(kΩ) (kHz)
(V)(セラミック)(バルク)(セラミック)(バルク) (pF) (V) (mV) (mV) (µs)
1
22uF × 2
150µF
100µF
470µF
None 5, 12
0
120
25
4.5
4.5
90.9
450
1
22uF × 2
150µF
100μF × 4
None
None 5, 12
0
130
20
4.5
4.5
90.9
450
1.2
22uF × 2
150µF
100µF
470µF
None 5, 12
0
140
25
4.5
4.5
60.4
450
1.2
22uF × 2
150µF
100μF × 4
None
None 5, 12
0
160
20
4.5
4.5
60.4
450
1.5
22uF × 2
150µF
100µF
470µF
None 5, 12
0
160
25
4.5
4.5
40.2
450
1.5
22uF × 2
150µF
100μF × 4
None
None 5, 12
0
190
25
4.5
4.5
40.2
450
1.8
22uF × 2
150µF
100µF
470µF
None 5, 12
0
170
30
4.5
4.5
30.2
450
1.8
22uF × 2
150µF
100μF × 4
None
None 5, 12
0
210
25
4.5
4.5
30.2
450
VIN = 12V
4
VIN = 5V
3
25
20
15
2
2
10
1
1
5
0
0
5
10
15 20 25 30
LOAD CURRENT (A)
35
40
0
0
5
10
15 20 25 30
LOAD CURRENT (A)
4630 F13
図 13.1.0V 出力の電力損失曲線
35
40
4630 F14
図 14.1.5V 出力の電力損失曲線
0
0LFM
200LFM
400LFM
30
40
50 60 70 80 90 100 110 120
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
4630 F15
図 15.12V 入力、1V 出力のディレー
ティング曲線、ヒートシンクなし
4630f
24
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
LTM4630
40
35
35
35
30
30
30
25
20
15
10
25
20
15
10
0LFM
200LFM
400LFM
5
40
50 60 70 80 90 100 110 120
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
5
0
30
40
50 60 70 80 90 100 110 120
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
4630 F16
図 16.5V 入力、1V 出力の
ディレーティング曲線、
ヒートシンクなし
35
35
30
30
LOAD CURRENT (A)
40
25
20
15
10
0
40
0LFM
200LFM
400LFM
5
0
30
40
50 60 70 80 90 100 110 120
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
25
20
15
0LFM
200LFM
400LFM
5
0
50 60 70 80 90 100 110 120
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
30
40
50 60 70 80 90 100 110 120
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
4630 F20
図 19.12V 入力、1.5V 出力のディレー
ティング曲線、ヒートシンクなし
図 20.5V 入力、1.5V 出力のディレー
ティング曲線、ヒートシンクなし
40
40
35
35
30
30
25
20
15
10
4630 F18
図 18.5V 入力、1V 出力の
ディレーティング曲線、
BGAヒートシンク
4630 F19
25
20
15
10
0LFM
200LFM
400LFM
5
0
15
10
0LFM
200LFM
400LFM
30
20
4630 F1t
図 17.12V 入力、1V 出力の
ディレーティング曲線、
BGAヒートシンク
40
5
25
10
0LFM
200LFM
400LFM
LOAD CURRENT (A)
30
LOAD CURRENT (A)
0
LOAD CURRENT (A)
40
LOAD CURRENT (A)
40
LOAD CURRENT (A)
LOAD CURRENT (A)
アプリケーション情報
30
40
50 60 70 80 90 100 110 120
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
0LFM
200LFM
400LFM
5
0
30
40
50 60 70 80 90 100 110 120
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
4630 F21
図 21.12V 入力、1.5V出力のディレー
ティング曲線、BGAヒートシンク
4630 F22
図 22.5V 入力、1.5V 出力のディレー
ティング曲線、BGAヒートシンク
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
4630f
25
VIN
4.5V TO 15V
+
CIN
(OPT)
C4
22µF
25V
26
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
*SEE TABLE 4
D1
5.1V ZENER
R1
10k
C3
22µF
25V
C5
0.1µF
TRACK1
C2
22µF
25V
R4
121k
R7
100k
SGND
DIFFP
VOUTS2
PHASMD
PGOOD2
DIFFOUT
SW2
VOUT2
COMP2
fSET
DIFFN
VFB2
TRACK1
GND
VFB1
RUN2
COMP1
SW1
RUN1
LTM4630
VOUTS1
TEMP
TRACK2
VOUT1
VIN
EXTVCC PGOOD1
R2
10k
INTVCC
図 23. 標準的な 4.5VIN ∼ 15VIN、1.5V および 1.2V/18A 出力
C9
0.1µF
TRACK2
C1
22µF
25V
4.5V TO 15V INTERMEDIATE BUS
MODE_PLLIN CLKOUT INTVCC
C10
4.7µF
INTVCC
R3
10k
PGOOD2
CCOMP*
PGOOD1
COUT1
100µF
6.3V
RFB2
60.4k
+
RFB1
40.2k
CFF*
CBOT*
+
COUT2
470µF
6.3V
VOUT1
1.5V AT 18A
COUT2
470µF
6.3V
4630 F23
VOUT2
1.2V AT 18A
COUT1
100µF
6.3V
LTM4630
アプリケーション情報
4630f
VIN
4.5V TO 15V
C3
22µF
25V
D1
5.1V ZENER
R1
10k
TRACK1
C11
22µF
25V
C2
22µF
25V
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
R4
121k
C1
22µF
25V
RT
VIN
VIN
100µA
R2
10k
SGND
PHASMD
fSET
TRACK2
TRACK1
RUN1
RUN2
GND
DIFFP
LTM4630
DIFFN
DIFFOUT
PGOOD2
SW2
VOUT2
VOUTS2
COMP2
COMP1
VFB2
VFB1
SW1
VOUT1
VOUTS1
EXTVCC PGOOD1
C10
4.7µF
INTVCC
TEMP
CLKOUT INTVCC
INTVCC
VIN
MODE_PLLIN
RT =
図 24.LTM4630 による2フェーズ、1.5V/36Aデザイン
C9
0.1µF
5V TO 15V INTERMEDIATE BUS
A/D
µC
PGOOD1
R5
40.2k
PGOOD1
COUT1
100µF
6.3V
COUT1
100µF
6.3V
+
+
4630 F24
COUT2
470µF
6.3V
COUT2
470µF
6.3V
VOUT
1.5V
36A
LTM4630
標準的応用例
4630f
27
28
VIN
4.5V TO 15V
D1
5.1V ZENER
C4
22µF
25V
R1
10k
C5
0.1µF
C3
22µF
25V
1.2V
R9
60.4k
C2
22µF
25V
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
R4
121k
R6
100k
SGND
DIFFN
VOUTS2
DIFFOUT
PGOOD2
SW2
VOUT2
COMP2
fSET
PHASMD
DIFFP
VFB2
TRACK1
GND
VFB1
RUN2
COMP1
SW1
RUN1
LTM4630
VOUTS1
TEMP
TRACK2
VOUT1
VIN
図 25.LTM4630 による1.2V/1V 出力トラッキング
R7
90.9k
C1
22µF
25V
4.5V TO 15V INTERMEDIATE BUS
R2
10k
INTVCC
MODE_PLLIN CLKOUT INTVCC EXTVCC PGOOD1
C10
4.7µF
INTVCC
R3
10k
PGOOD2
R8
90.9k
PGOOD1
COUT1
100µF
6.3V
R5
60.4k
COUT1
100µF
6.3V
+
+
4630 F25
COUT2
470µF
6.3V
VOUT2
1V AT 18A
VOUT1
1.2V
COUT2 18A
470µF
6.3V
LTM4630
標準的応用例
4630f
LTM4630
標準的応用例
INTVCC
C10
4.7µF
CLK1
VIN
4.5V TO 15V
R1
10k
RUN
R2
5k
PGOOD1
EXTVCC PGOOD1
4.5V TO 15V INTERMEDIATE BUS
MODE_PLLIN CLKOUT INTVCC
C3
22µF
25V
TEMP
VOUTS1
RUN1
RUN2
SW1
VFB1
TRACK1
VFB2
C2
22µF
25V
C1
22µF
25V
R6
100k
TRACK1
D1
5.1V ZENER
VIN
VOUT1
LTM4630
TRACK2
COMP1
fSET
COMP2
PHASMD
VOUTS2
PGOOD2
GND
DIFFP
DIFFN
COUT2
470µF
6.3V
COUT1
100µF
6.3V
+
COUT2
470µF
6.3V
R5
60.4k
COMP
SW2
SGND
+
VFB
VOUT2
R4
121k
COUT1
100µF
6.3V
PGOOD1
DIFFOUT
VOUT
1.2V
70A
C16
4.7µF
CLK1
MODE_PLLIN CLKOUT INTVCC
4.5V TO 15V INTERMEDIATE BUS
C12
22µF
25V
C15
22µF
25V
C5
22µF
25V
R9
100k
EXTVCC PGOOD1
VOUT1
VIN
RUN1
TRACK1
TEMP
VOUTS1
RUN1
SW1
RUN2
VFB1
TRACK1
VFB2
LTM4630
TRACK2
C19
0.22µF
PGOOD1
COMP1
fSET
COMP2
PHASMD
VOUTS2
PGOOD2
GND
DIFFP
DIFFN
COUT2
470µF
6.3V
COUT1
100µF
6.3V
+
COUT2
470µF
6.3V
COMP
SW2
SGND
+
VFB
VOUT2
R10
121k
COUT1
100µF
6.3V
PGOOD1
DIFFOUT
4630 F26
INTVCC
図 26.LTM4630 による4フェーズ、1.2V/70Aデザイン
4630f
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
29
LTM4630
パッケージ
LTM4630コンポーネントLGAピン配置
ピンID
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
機能
VOUT1
VOUT1
VOUT1
VOUT1
VOUT1
GND
GND
VOUT2
VOUT2
VOUT2
VOUT2
VOUT2
ピンID
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
B10
B11
B12
機能
VOUT1
VOUT1
VOUT1
VOUT1
VOUT1
GND
GND
VOUT2
VOUT2
VOUT2
VOUT2
VOUT2
ピンID
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C11
C12
機能
VOUT1
VOUT1
VOUT1
VOUT1
VOUT1S
fSET
SGND
VOUT2S
VOUT2
VOUT2
VOUT2
VOUT2
ピンID
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
D10
D11
D12
機能
GND
GND
GND
GND
VFB1
SGND
VFB2
TRACK2
GND
GND
GND
GND
ピンID
E1
E2
E3
E4
E5
E6
E7
E8
E9
E10
E11
E12
機能
GND
GND
GND
GND
TRACK1
COMP1
COMP2
DIFFP
DIFFN
GND
GND
GND
ピンID
F1
F2
F3
F4
F5
F6
F7
F8
F9
F10
F11
F12
機能
GND
GND
GND
MODE_PLLIN
RUN1
SGND
SGND
DIFFOUT
RUN2
GND
GND
GND
ピンID
G1
G2
G3
G4
G5
G6
G7
G8
G9
機能
GND
SW1
GND
PHASEMD
CLKOUT
SGND
SGND
PGOOD2
PGOOD1
ピンID
H1
H2
H3
H4
H5
H6
H7
H8
H9
機能
GND
GND
GND
GND
GND
GND
GND
INTVCC
GND
ピンID
J1
J2
J3
J4
J5
J6
J7
J8
J9
機能
GND
VIN
VIN
VIN
GND
TEMP
EXTVCC
GND
VIN
ピンID
K1
K2
K3
K4
K5
K6
K7
K8
K9
機能
GND
VIN
VIN
VIN
GND
GND
GND
GND
VIN
ピンID
L1
L2
L3
L4
L5
L6
L7
L8
L9
機能
GND
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
ピンID
M1
M2
M3
M4
M5
M6
M7
M8
M9
機能
GND
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
G10
GND
H10
GND
J10
VIN
K10
VIN
L10
VIN
M10
VIN
G11
G12
SW2
GND
H11
H12
GND
GND
J11
J12
VIN
GND
K11
K12
VIN
GND
L11
L12
VIN
GND
M11
M12
VIN
GND
4630f
30
詳細:www.linear-tech.co.jp/LTM4630
aaa Z
0.630 ±0.025 SQ. 143x
3.1750
3.1750
SUGGESTED PCB LAYOUT
TOP VIEW
1.9050
PACKAGE TOP VIEW
E
0.6350
0.0000
0.6350
4
1.9050
PAD “A1”
CORNER
6.9850
5.7150
4.4450
4.4450
5.7150
6.9850
6.9850
5.7150
4.4450
3.1750
1.9050
0.6350
0.0000
0.6350
1.9050
3.1750
4.4450
5.7150
6.9850
Y
X
D
aaa Z
// bbb Z
0.36
3.95
MIN
4.31
0.60
NOM
4.41
0.63
16.0
16.0
1.27
13.97
13.97
0.41
4.00
DIMENSIONS
Ø eee S Z X Y
H1
SUBSTRATE
0.46
4.05
0.15
0.10
0.05
MAX
4.51
0.66
DETAIL B
A
TOTAL NUMBER OF LGA PADS: 144
SYMBOL
A
b
D
E
e
F
G
H1
H2
aaa
bbb
eee
DETAIL A
0.630 ±0.025 SQ. 143x
DETAIL B
H2
MOLD
CAP
Z
NOTES
(Reference LTC DWG # 05-08-1901 Rev B)
LGA Package
144-Lead (16mm × 16mm × 4.41mm)
e
L
b
K
J
G
G
F
E
e
PACKAGE BOTTOM VIEW
H
D
パッド #1 の識別マークの詳細はオプションだが、
示された領域内になければならない。
パッド #1 の識別マークはモールドまたは
マーキングにすることができる
リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、その使用に関する責務は
一切負いません。また、ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。なお、日本語の資料は
あくまでも参考資料です。訂正、変更、改版に追従していない場合があります。最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。
TRAY PIN 1
BEVEL
COMPONENT
PIN “A1”
7
!
B
DETAIL A
A
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
PACKAGE IN TRAY LOADING ORIENTATION
LTMXXXXXX
µModule
LGA 144 0213 REV B
3
SEE NOTES
DIA 0.630
PAD 1
7
SEE NOTES
パッケージの行と列のラベルは µModule 製品間で異なります。
各パッケージのレイアウトを十分に確認してください。
6. パッドの総数:144
5. 主データム -Z- はシーティングプレーン
ランドの指定は JESD MO-222、SPP-010 による
4
C
3
2. 全ての寸法はミリメートル
注記:
1. 寸法と許容誤差は ASME Y14.5M-1994 による
3x, C (0.22 x45°)
F
b
M
LTM4630
パッケージ
最新のパッケージ図面については、http://www.linear-tech.co.jp/designtools/packaging/を参照してください。
4630f
31
LTM4630
パッケージの写真
デザイン・リソース
主題
μModuleのデザイン/ 製造リソース
μModuleレギュレータ製品の検索
TechClipビデオ
デジタル・パワー・システム管理
説明
デザイン:
製造:
• 選択ガイド
• クイック・スタート・ガイド
• デモボードおよび Gerberファイル
• PCBのデザイン、組立、および製造ガイドライン
• 無料シミュレーション・ツール
• パッケージおよびボード・レベルの信頼性
1. 製品の表をパラメータによって並べ替え、結果をスプレッドシートとしてダウンロードする
2. Quick Power Searchパラメトリック・テーブルを使って検索を実行する
μModule 製品の電気的特性と熱特性のベンチマーク・テストの方法を詳しく説明した短いビデオ
リニアテクノロジーのデジタル電源管理デバイス・ファミリは、電源の監視、管理、マージン制御および
シーケンス制御などの基本機能を提供する高度に集積されたソリューションであり、ユーザーの構成と
フォルト・ログを保存するEEPROMを搭載しています。
関連製品
製品番号
説明
注釈
LTM4620
デュアル13Aまたはシングル26A μModuleレギュレータ
LTM4628
デュアル8Aまたはシングル16A μModuleレギュレータ
LTM4627
15A µModuleレギュレータ
4.5V ≤ VIN ≤ 20V、0.6V ≤ VOUT ≤ 5.5V、15mm 15mm 4.32mm
LTM4611
超低電圧 VIN の15A µModuleレギュレータ
1.5V ≤ VIN ≤ 5.5V、0.8V ≤ VOUT ≤ 5V、15mm 15mm 4.32mm
LTM4619
デュアル26VIN、4A DC/DC μModuleレギュレータ
4.5V ≤ VIN ≤ 26.5V、0.8V ≤ VOUT ≤ 5V
LTM4615
トリプル低電圧 VIN、4A DC/DC µModuleレギュレータ
2.375 ≤ VIN ≤ 5.5V、4A x 2出力および 1.5A x 1出力
LTM4616
デュアル8A、低 VIN DC/DC μModuleレギュレータ
2.7V ≤ VIN ≤ 5.5V、0.6V ≤ VOUT ≤ 5V
LTM8062/
LTM8062A
LTM8027
LTM4613
(MPPT)
32VのVIN、最大ピーク・パワー・トラッキング
機能を備えた2A µModule バッテリ・チャージャ
VIN =60V、4A DC/DC 降圧 µModuleレギュレータ
LTM4630とピン互換、4.5V ≤ VIN ≤ 16V、0.6V ≤ VOUT ≤ 2.5V、
15mm 15mm 4.32mm
LTM4630とピン互換、4.5V ≤ VIN ≤ 26.5V、0.6V ≤ VOUT ≤ 5.5V、
15mm 15mm 4.32mm
最大14.4Vまで調整可能なVBATT(LTM8062Aの場合18.8Vまで)、
C/10またはタイマ終了、9mm 15mm 4.32mm LGA パッケージ
4.5V ≤ VIN ≤ 60V、2.5V ≤ VOUT ≤ 24V、15mm 15mm 4.32mm
LGA パッケージ
EN55022B 準拠の36VIN、8A 降圧 μModuleレギュレータ 5V ≤ VIN ≤ 36V、3.3V ≤ VOUT ≤ 15V、同期可能、並列接続可能、
15mm 15mm 4.32mm LGA パッケージ
4630f
32
リニアテクノロジー株式会社
〒102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6紀尾井町パークビル8F
TEL 03-5226-7291 ● FAX 03-5226-0268 ● http://www.linear-tech.co.jp/LTM4630
LT 0813 • PRINTED IN JAPAN
 LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2013