4V Drive Pch MOSFET RQ1E050RP Structure Silicon P-channel MOSFET Dimensions (Unit : mm) TSMT8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. 3) 4V drive. (1) (2) (3) (4) Abbreviated symbol :UD Application Switching Inner circuit (8) (7) (6) (5) (3) (4) Packaging specifications Type Package Code Basic ordering unit (pieces) RQ1E050RP Taping TR 3000 ○ ∗2 (1) Source (2) Source (3) Source (4) Gate (5) Drain (6) Drain (7) Drain (8) Drain ∗1 (1) (2) ∗1 ESD PROTECTION DIODE ∗2 BODY DIODE Absolute maximum ratings (Ta = 25C) Limits Unit 30 Drain current Continuous Pulsed Symbol VDSS VGSS *1 ID IDP V V A A Source current (Body Diode) Continuous Pulsed IS ISP *1 1 20 PD *2 Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage 1.5 A A W Tch Tstg 150 55 ~ +150 C C Symbol Limits Unit 83.3 C / W Power dissipation Channel temperature Range of storage temperature 20 5 20 *1 Pw10s, Duty cycle1% Thermal resistance Parameter Channel to Ambient Rth (ch-a)* *Mounted on a ceramic board. www.rohm.com ©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/5 2010.07 - Rev.A RQ1E050RP Data Sheet Electrical characteristics (Ta = 25C) Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit IGSS - - 10 A Gate-source leakage VGS=20V, VDS=0V 30 - - V ID=1mA, V GS=0V IDSS - - 1 A VDS=30V, VGS=0V VGS (th) 1.0 - 2.5 V - 22 31 Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS Zero gate voltage drain current Gate threshold voltage Conditions VDS=10V, ID=1mA ID=5A, VGS=10V Static drain-source on-state resistance * RDS (on) - 32 45 - 36 50 Forward transfer admittance l Yfs l * 3.1 - - S ID=5A, VDS=10V Input capacitance Ciss - 1300 - pF VDS=10V Output capacitance Coss - 180 - pF VGS=0V Reverse transfer capacitance Crss - 160 - pF f=1MHz Turn-on delay time td(on) * - 10 - ns ID=2.5A, VDD 15V m ID=2.5A, VGS=4.5V ID=2.5A, VGS=4.0V tr * - 15 - ns VGS=10V td(off) * - 90 - ns RL 6.0 tf * - 50 - ns RG=10 Total gate charge Qg * - 13 - nC ID=5A, VDD 15V Gate-source charge Qgs * Gate-drain charge Qgd * - 3.5 4.5 - nC nC VGS=5V RL 3 RG=10 Rise time Turn-off delay time Fall time *Pulsed Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta = 25C) Parameter Forward Voltage Symbol VSD * Min. Typ. Max. Unit Conditions - - 1.2 V Is=5A, VGS=0V *Pulsed www.rohm.com ©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/5 2010.07- Rev.A Data Sheet RQ1E050RP Electrical characteristic curves VGS= -10V 2 VGS= -2.8V 1 VGS= -4.5V VGS= -4.0V VGS= -2.5V 4 DRAIN CURRENT : -ID[A] DRAIN CURRENT : -ID[A] 4 VGS= -2.8V 3 VGS= -10V VGS= -4.5V VGS= -4.0V 2 1 VDS= -10V Pulsed 1 Ta= 125°C Ta= 75°C Ta= 25°C Ta= - 25°C 0.1 0.01 VGS= -2.5V 0.001 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V] Fig.1 Typical Output Characteristics( Ⅰ) 1000 Ta=25°C Pulsed STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[mΩ] STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[mΩ] 1000 VGS= -4.0V VGS= -4.5V VGS= -10V 100 10 1 0.1 1 2 10 DRAIN-CURRENT : -ID[A] Fig.7 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current(Ⅳ) www.rohm.com ©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1000 VGS= -10V Pulsed Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta= -25°C 1 0.1 FORWARD TRANSFER ADMITTANCE : |Yfs| [S] 1 2 3 Fig.3 Typical Transfer Characteristics 1 VGS= -4.5V Pulsed 10 1 0.1 1 10 DRAIN-CURRENT : -ID[A] 10 VDS= -10V Pulsed 1 Ta= -25°C Ta=25°C Ta=75°C Ta=125°C 0.1 0.01 Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta= -25°C 100 10 Fig.5 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current(Ⅱ) 10 1 Fig.2 Typical Output Characteristics( Ⅱ) DRAIN-CURRENT : -ID[A] Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta= -25°C 1 0 10 10 10 1000 0.1 8 GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS[V] 100 Fig.4 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current(Ⅰ) 100 6 DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V] DRAIN-CURRENT : -ID[A] VGS= -4.0V Pulsed 4 Fig.6 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current(Ⅲ) SOURCE CURRENT : -Is [A] 0 STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[mΩ] 0 STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[mΩ] Ta=25°C Pulsed VGS= -3.0V Ta=25°C Pulsed 3 10 5 VGS= -3.0V DRAIN CURRENT : -ID[A] 5 10 VGS=0V Pulsed 1 Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta=-25°C 0.1 0.01 0.1 1 10 DRAIN-CURRENT : -ID[A] Fig.8 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current 3/5 0 0.5 1 1.5 SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -VSD [V] Fig.9 Reverse Drain Current vs. Sourse-Drain Voltage 2010.07 - Rev.A Data Sheet 10000 Ta=25°C Pulsed 180 160 140 ID= -2.5A 120 100 ID= -5.0A 80 60 40 tf 1000 10 Ta=25°C VDD= -15V VGS= -10V RG=10Ω Pulsed td(off) GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS [V] 200 SWITCHING TIME : t [ns] STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(ON)[mΩ] RQ1E050RP 100 td(on) 10 tr 20 0 1 0 5 10 15 GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS[V] Fig.10 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate Source Voltage 0.01 0.1 1 10 DRAIN-CURRENT : -ID[A] Fig.11 Switching Characteristics 8 6 4 Ta=25°C VDD= -15V ID= -5.0A RG=10Ω Pulsed 2 0 0 4 8 12 16 20 24 28 TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC] Fig.12 Dynamic Input Characteristics CAPACITANCE : C [pF] 10000 Ciss 1000 Crss 100 Coss Ta=25°C f=1MHz VGS=0V 10 0.01 0.1 1 10 100 DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V] Fig.13 Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage www.rohm.com ©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/5 2010.07 - Rev.A RQ1E050RP Data Sheet Measurement circuits Pulse Width ID VDS VGS VGS 10% 50% D.U.T. 10% VDD RG 50% 90% RL VDS 10% 90% td(on) tr ton Fig.1-1 Switching time measurement circuit 90% td(off) tf toff Fig.1-2 Switching Waveforms VG ID VDS VGS RL D.U.T. IG(Const.) RG Qg VGS Qgs Qgd VDD Charge Fig.2-1 Gate charge measurement circuit www.rohm.com ©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Fig.2-2 Gate Charge Waveform 5/5 2010.07- Rev.A Notice ご 注 意 本資料の一部または全部をロームの許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。 本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書を必ず ご請求のうえ、ご確認ください。 本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な 動作や使い方を説明するものです。したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考慮 していただきますようお願いいたします。 本資料に記載されております情報は、正確を期すため慎重に作成したものですが、万が一、当該情報の 誤り・誤植に起因する損害がお客様に生じた場合においても、ロームはその責任を負うものではありません。 本資料に記載されております技術情報は、製品の代表的動作および応用回路例などを示したものであり、 ロームまたは他社の知的財産権その他のあらゆる権利について明示的にも黙示的にも、その実施または 利用を許諾するものではありません。上記技術情報の使用に起因して紛争が発生した場合、ロームは その責任を負うものではありません。 本資料に掲載されております製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電製品、 アミューズメント機器など）への使用を意図しています。 本資料に掲載されております製品は、 「耐放射線設計」はなされておりません。 ロームは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが、種々の要因で故障することもあり得ます。 ローム製品が 故障した際、その影 響により人 身事故、火 災 損害 等が起こらないようご使 用機 器での ディレーティング、冗長設計、延焼防止、フェイルセーフ等の安全確保をお願いします。定格を超えた ご使用や使用上の注意書が守られていない場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。 極めて高度な信頼性が要求され、その製品の故障や誤動作が直接人命を脅かしあるいは人体に危害を 及ぼすおそれのある機器・装置・システム（医療機器、輸送機器、航空宇宙機、原子力制御、燃料制御、 各種安全装置など）へのご使用を意図して設計・製造されたものではありません。上記特定用途に使用 された場合、いかなる責任もロームは負うものではありません。上記特定用途への使用を検討される際 は、事前にローム営業窓口までご相談願います。 本資料に記載されております製品および技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に該当する製品または 技術を輸出する場合、または国外に提供する場合には、同法に基づく許可が必要です。 ローム製品のご検討ありがとうございます。 より詳しい資料やカタログなどご用 意しておりますので、お問合せください。 ROHM Customer Support System http://www.rohm.co.jp/contact/ www.rohm.com © 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. R1010A