elm56800ea

デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM56800EA-S
■概要
■特長
ELM56800EA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Id=3.6A
MOSFET です。
・ Rds(on) = 70mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) = 78mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) = 95mΩ (Vgs=2.5V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
記号
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Vds
Vgs
Ta=25℃
連続ドレイン電流 (Tj=150℃ )
30
±12
3.6
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
Tc=25℃
接続温度範囲及び保存温度範囲
A
2.0
Pd
Tc=70℃
A
2.2
20
Idm
最大許容損失
V
V
W
1.3
-55 ~ 150
Tj, Tstg
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
Rθja
■端子配列図
SOT-26(TOP VIEW)
Typ.
Max.
120
単位
℃/W
■回路
端子番号
1
端子記号
GATE1
2
3
4
SOURCE2
GATE2
DRAIN2
5
6
SOURCE1
DRAIN1
5-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM56800EA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗
30
V
1
Ta=85℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Vgs=10V, Id=3.6A
Rds(on) Vgs=4.5V, Id=3.0A
Vgs=2.5V, Id=2.2A
30
0.4
30
μA
±100
nA
1.2
V
A
56
70
62
78
78
95
mΩ
順方向相互コンダクタンス
Gfs
Vds=10V, Id=1.6A
20
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
Is=1.7A, Vgs=0V
0.8
動的特性
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
280
40
pF
pF
20
pF
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
Crss
ゲート - ソース電荷
Qgs
Qg
Vgs=4.5V, Vds=15V
Id=3.6A
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgd
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
Id=1.0A, RL=15Ω
td(off)
Rgen=6Ω
tf
Vgs=10V, Vds=15V
5-2
2.3
S
1.2
1.7
3.0
V
A
nC
1.0
nC
0.6
10
15
nC
ns
12
15
10
20
25
15
ns
ns
ns
AFN6562
Alfa-MOS
30V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
Technology
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM56800EA-S
Typical Characteristics
■標準特性と熱特性曲線
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Mar. 2011
www.alfa-mos.com
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Enhancement Mode MOSFET
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デュアルパワー N チャンネル MOSFET
Typical Characteristics
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30V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
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■テスト回路と波形
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