elm529977a

シングル N チャンネル MOSFET
ELM529977A-S
■概要
■特長
ELM529977A-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=60V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=12A
・ Rds(on) = 118mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) = 130mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
60
V
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
Id
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流
Idm
Ias
Tc=25℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
V
30
15
A
A
A
40
Pd
Tc=70℃
±20
12
8
W
15
- 55 ~ 150
Tj, Tstg
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
62.5
単位
℃/W
■回路
�
TO-252-3(TOP VIEW)
���
端子番号
端子記号
1
2
3
GATE
DRAIN
SOURCE
�
�
�
5-1
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM529977A-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
V
Vds=60V, Vgs=0V
1
Vds=60V, Vgs=0V, Ta=85℃
5
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Vgs=10V, Id=8A
Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=6A
Gfs Vds=15V, Id=5.3A
Vsd
60
Is=2A, Vgs=0V
±100 nA
0.7
30
2.5
118
130
12
0.8
Is
入力容量
出力容量
帰還容量
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz
Crss
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
ゲート - ドレイン電荷
Qgd
Vgs=4.5V, Vds=48V, Id=5A
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=30V, RL=6Ω
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
td(off) Id=5A, Rgen=3.3Ω
tf
5-2
mΩ
1.2
V
12
A
480
50
35
6
2
V
A
S
pF
pF
pF
12
3
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
μA
nC
nC
nC
6
6
12
12
ns
ns
12
4
20
10
ns
ns
AFN9977
Alfa-MOS
60V N-Channel
Technology
Mode MOSFET
シングル N チャンネルEnhancement
MOSFET
ELM529977A-S
Typical
Characteristics
■標準特性と熱特性曲線
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Jul. 2012
www.alfa-mos.com
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Alfa-MOS
60V N-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
シングル N チャンネル MOSFET
ELM529977A-S
Typical Characteristics
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Alfa-MOS
60V N-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
シングル N チャンネル MOSFET
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Typical Characteristics
■テスト回路と波形
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