シングル N チャンネル MOSFET ELM529977A-S ■概要 ■特長 ELM529977A-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=60V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=12A ・ Rds(on) = 118mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) = 130mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 60 V 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 Id パルス ・ ドレイン電流 アバランシェ電流 Idm Ias Tc=25℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 V 30 15 A A A 40 Pd Tc=70℃ ±20 12 8 W 15 - 55 ～ 150 Tj, Tstg ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 62.5 単位 ℃/W ■回路 � TO-252-3(TOP VIEW) ��� 端子番号 端子記号 1 2 3 GATE DRAIN SOURCE � � � 5-1 � � シングル N チャンネル MOSFET ELM529977A-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss ゲート漏れ電流 Igss ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 V Vds=60V, Vgs=0V 1 Vds=60V, Vgs=0V, Ta=85℃ 5 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Vgs=10V, Id=8A Rds(on) Vgs=4.5V, Id=6A Gfs Vds=15V, Id=5.3A Vsd 60 Is=2A, Vgs=0V ±100 nA 0.7 30 2.5 118 130 12 0.8 Is 入力容量 出力容量 帰還容量 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz Crss スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs ゲート - ドレイン電荷 Qgd Vgs=4.5V, Vds=48V, Id=5A td(on) tr Vgs=10V, Vds=30V, RL=6Ω ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 td(off) Id=5A, Rgen=3.3Ω tf 5-2 mΩ 1.2 V 12 A 480 50 35 6 2 V A S pF pF pF 12 3 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 μA nC nC nC 6 6 12 12 ns ns 12 4 20 10 ns ns AFN9977 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Mode MOSFET シングル N チャンネルEnhancement MOSFET ELM529977A-S Typical Characteristics ■標準特性と熱特性曲線 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Jul. 2012 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 AFN9977 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET シングル N チャンネル MOSFET ELM529977A-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Jul. 2012 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 AFN9977 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET シングル N チャンネル MOSFET ELM529977A-S Typical Characteristics ■テスト回路と波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Jul. 2012 www.alfa-mos.com Page 5 5-5