シングル N チャンネル MOSFET ELM53406CA-S ■概要 ■特長 ELM53406CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=60V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=3.6A(Vgs=10V) ・ Rds(on) < 70mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 78mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 60 V 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 (Tj=150℃ ) ±20 3.6 2.8 10 Id パルス ・ ドレイン電流 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 Pd 接合温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg V A A 1.25 0.80 - 55 ～ 150 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 120 ■回路 � SOT-23(TOP VIEW) � � 単位 ℃/W � 端子番号 端子記号 1 2 3 GATE SOURCE DRAIN � � 5-1 シングル N チャンネル MOSFET ELM53406CA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 60 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=48V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V Ta=85℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Gfs Vsd Is 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss 帰還容量 Crss スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 V 1.0 1 10 μA ±100 nA 2.0 V 6 A Vgs=10V, Id=3.6A Vgs=4.5V, Id=2.8A 55 60 Vds=15V, Id=3.2A Is=2.5A, Vgs=0V 15 0.85 Vgs=0V, Vds=30V, f=1MHz 400 40 pF pF 20 pF Vgs=4.5V, Vds=30V Id=3.2A Qgd td(on) Vgs=10V, Vds=30V tr RL=12Ω, Id=2.5A td(off) Rgen=1Ω tf 5-2 6.0 1.5 70 78 1.20 1.6 12.0 mΩ S V A nC nC 1.2 8 10 15 20 nC ns ns 25 10 40 20 ns ns AFN2376 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Mode MOSFET シングル N チャンネルEnhancement MOSFET ELM53406CA-S Typical Characteristics ■標準特性と熱特性曲線 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Mar. 2012 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 AFN2376 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET シングル N チャンネル MOSFET ELM53406CA-S Typical Characteristics Typical ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Mar. 2012 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 AFN2376 Alfa-MOS 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Technology シングル N チャンネル MOSFET ELM53406CA-S Characteristics ■テスト回路と波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Mar. 2012 www.alfa-mos.com Page 5 5-5