elm53406ca

シングル N チャンネル MOSFET
ELM53406CA-S
■概要
■特長
ELM53406CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=60V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=3.6A(Vgs=10V)
・ Rds(on) < 70mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 78mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
60
V
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流 (Tj=150℃ )
±20
3.6
2.8
10
Id
パルス ・ ドレイン電流
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
Pd
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
V
A
A
1.25
0.80
- 55 ~ 150
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
120
■回路
�
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
単位
℃/W
�
端子番号
端子記号
1
2
3
GATE
SOURCE
DRAIN
�
�
5-1
シングル N チャンネル MOSFET
ELM53406CA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
60
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=48V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
Ta=85℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Gfs
Vsd
Is
動的特性
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
帰還容量
Crss
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
V
1.0
1
10
μA
±100
nA
2.0
V
6
A
Vgs=10V, Id=3.6A
Vgs=4.5V, Id=2.8A
55
60
Vds=15V, Id=3.2A
Is=2.5A, Vgs=0V
15
0.85
Vgs=0V, Vds=30V, f=1MHz
400
40
pF
pF
20
pF
Vgs=4.5V, Vds=30V
Id=3.2A
Qgd
td(on)
Vgs=10V, Vds=30V
tr
RL=12Ω, Id=2.5A
td(off)
Rgen=1Ω
tf
5-2
6.0
1.5
70
78
1.20
1.6
12.0
mΩ
S
V
A
nC
nC
1.2
8
10
15
20
nC
ns
ns
25
10
40
20
ns
ns
AFN2376
Alfa-MOS
60V N-Channel
Technology
Mode MOSFET
シングル N チャンネルEnhancement
MOSFET
ELM53406CA-S
Typical
Characteristics
■標準特性と熱特性曲線
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Mar. 2012
www.alfa-mos.com
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AFN2376
Alfa-MOS
60V N-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
シングル N チャンネル MOSFET
ELM53406CA-S
Typical Characteristics
Typical
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Alfa-MOS
60V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
Technology
シングル N チャンネル MOSFET
ELM53406CA-S
Characteristics
■テスト回路と波形
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