elm14409aa

シングル P チャンネル MOSFET
ELM14409AA-N
■概要
■特長
ELM14409AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
・ Id=-15A (Vgs=-10V)
オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Rds(on) < 7.5mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 12mΩ (Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
-30
V
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
Id
±20
-15.0
-12.8
V
A
1
-80
3.0
A
2
W
1
Idm
Tc=25℃
最大許容損失
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
2.1
-55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
記号
t≦10s
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
26
Max.
40
単位
℃/W
50
14
75
24
℃/W
℃/W
備考
1
3
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
端子記号
SOURCE
2
3
4
SOURCE
SOURCE
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル P チャンネル MOSFET
ELM14409AA-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-24V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
-30
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.4
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
-80
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Vgs=-10V
Rds(on) Id=-15A
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
Crss
Rg
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
Qg
Qg
Qgs
V
35
μA
±100
nA
-2.7
V
A
6.2
8.2
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-10A
Vds=-5V, Id=-15A
Is=-1A, Vgs=0V
-1.9
-5
-25
7.5
11.5 mΩ
9.5
12.0
50
-0.71 -1.00
Is
-5
5270 6400
S
V
A
pF
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
945
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
745
2
pF
Ω
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-15A
3
100.0 120.0 nC
51.5
nC
14.5
nC
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
23.0
14.0
16.5
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=1Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=-15A, dlf/dt=100A/μs
76.5
37.5
36.7
ns
ns
ns
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=-15A, dlf/dt=100A/μs
28.0
45.0
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM14409AA-N
■標準特性と熱特性曲線
60
60
-10V
50
-6V
-4.5V
-3.5V
40
-4V
-Id(A)
-Id (A)
40
Vds=-5V
50
30
30
20
20
Vgs=-3V
10
125°C
10
25°C
0
0
1
2
3
4
5
0
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
1
10
1.5
2.5
3
3.5
-Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
4
1.6
Id=-15A
Normalized On-Resistance
Vgs=-4.5V
8
Rds(on) (m� )
2
Vgs=-10V
6
4
1.4
Vgs=-10V
Vgs=-4.5V
1.2
1
0.8
0
2
5
10 -Id (A) 15
20
25
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
0
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
20
1.0E+02
Id=-15A
16
1.0E+01
Vgs=0V
1.0E+00
12
-Is (A)
Rds(on) (m� )
25
125°C
125°C
1.0E-01
1.0E-02
8
THIS PRODUCT
HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER
MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR
SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
25°C
1.0E-03
OUT OF SUCH
APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE
PRODUCT DESIGN,
25°C
4
1.0E-04
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
0
0
2
4
6
8
10
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4-3
1.2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM14409AA-N
10
8
7000
6000
Capacitance (pF)
-Vgs (Volts)
8000
Vds=-15V
Id=-15A
6
4
Ciss
5000
4000
3000
Coss
2000
2
1000
0
0
100.0
20
40
60
80
100
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Rds(on)
limited
100�s
120
0
Power (W)
-Id (Amps)
0.1s
1s
DC
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
10
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
60
40
0
0.001
0.1
0.1
15
20
25
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
20
10s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10
80
10ms
1.0
5
100
10�s
1ms
10.0
Crss
0
1
10
-Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
Pd
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
0.1
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
Ton
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
T
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
1
10
Pulse 0.1
Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
0.001
0.01
4-4
100
1000
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