シングル P チャンネル MOSFET ELM14409AA-N ■概要 ■特長 ELM14409AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ・ Id=-15A (Vgs=-10V) オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Rds(on) < 7.5mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 12mΩ (Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -30 V Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 Id ±20 -15.0 -12.8 V A 1 -80 3.0 A 2 W 1 Idm Tc=25℃ 最大許容損失 Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg 2.1 -55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード 記号 t≦10s 定常状態 定常状態 Rθja Rθjl ■端子配列図 Typ. 26 Max. 40 単位 ℃/W 50 14 75 24 ℃/W ℃/W 備考 1 3 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 端子記号 SOURCE 2 3 4 SOURCE SOURCE GATE 5 6 7 DRAIN DRAIN DRAIN 8 DRAIN 4-1 � � � シングル P チャンネル MOSFET ELM14409AA-N ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-24V Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V -30 Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.4 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V -80 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Vgs=-10V Rds(on) Id=-15A Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Ciss 出力容量 Coss 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 Crss Rg 総ゲート電荷 (10V) 総ゲート電荷 (4.5V) ゲート - ソース電荷 Qg Qg Qgs V 35 μA ±100 nA -2.7 V A 6.2 8.2 Ta=125℃ Vgs=-4.5V, Id=-10A Vds=-5V, Id=-15A Is=-1A, Vgs=0V -1.9 -5 -25 7.5 11.5 mΩ 9.5 12.0 50 -0.71 -1.00 Is -5 5270 6400 S V A pF Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz 945 pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 745 2 pF Ω Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-15A 3 100.0 120.0 nC 51.5 nC 14.5 nC ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V 23.0 14.0 16.5 nC ns ns ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=1Ω, Rgen=3Ω tf trr If=-15A, dlf/dt=100A/μs 76.5 37.5 36.7 ns ns ns 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=-15A, dlf/dt=100A/μs 28.0 45.0 nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル P チャンネル MOSFET ELM14409AA-N ■標準特性と熱特性曲線 60 60 -10V 50 -6V -4.5V -3.5V 40 -4V -Id(A) -Id (A) 40 Vds=-5V 50 30 30 20 20 Vgs=-3V 10 125°C 10 25°C 0 0 1 2 3 4 5 0 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 1 10 1.5 2.5 3 3.5 -Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 4 1.6 Id=-15A Normalized On-Resistance Vgs=-4.5V 8 Rds(on) (m� ) 2 Vgs=-10V 6 4 1.4 Vgs=-10V Vgs=-4.5V 1.2 1 0.8 0 2 5 10 -Id (A) 15 20 25 Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 0 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 20 1.0E+02 Id=-15A 16 1.0E+01 Vgs=0V 1.0E+00 12 -Is (A) Rds(on) (m� ) 25 125°C 125°C 1.0E-01 1.0E-02 8 THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING 25°C 1.0E-03 OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN, 25°C 4 1.0E-04 FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE. 0 0 2 4 6 8 10 -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 1.0E-05 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4-3 1.2 シングル P チャンネル MOSFET ELM14409AA-N 10 8 7000 6000 Capacitance (pF) -Vgs (Volts) 8000 Vds=-15V Id=-15A 6 4 Ciss 5000 4000 3000 Coss 2000 2 1000 0 0 100.0 20 40 60 80 100 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Rds(on) limited 100�s 120 0 Power (W) -Id (Amps) 0.1s 1s DC Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 10 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 60 40 0 0.001 0.1 0.1 15 20 25 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 20 10s Tj(max)=150°C Ta=25°C 10 80 10ms 1.0 5 100 10�s 1ms 10.0 Crss 0 1 10 -Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 100 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL Pd COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING 0.1 OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN, Ton FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE. T Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 1 10 Pulse 0.1 Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 0.001 0.01 4-4 100 1000