シングル P チャンネル MOSFET ELM14405AA-N ■概要 ■特長 ELM14405AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ・ Id=-6A (Vgs=-10V) オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Rds(on) < 50mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 85mΩ (Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -30 V Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 Id Idm Tc=25℃ 最大許容損失 Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg ±20 -6.0 -5.1 V A 1 -30 3.0 A 2 W 1 2.1 -55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード 記号 t≦10s 定常状態 定常状態 Rθja Rθjl ■端子配列図 Typ. 31 Max. 40 単位 ℃/W 59 16 75 24 ℃/W ℃/W 備考 1 3 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 端子記号 SOURCE 2 3 4 SOURCE SOURCE GATE 5 6 7 DRAIN DRAIN DRAIN 8 DRAIN 4-1 � � � シングル P チャンネル MOSFET ELM14405AA-N ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-24V Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V -30 Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V -30 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Vgs=-10V Rds(on) Id=-6A Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Ciss 出力容量 Coss 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 Crss Rg 総ゲート電荷 (10V) 総ゲート電荷 (4.5V) ゲート - ソース電荷 Qg Qg Qgs Vgs=-4.5V, Id=-4A Vds=-5V, Id=-6A Is=-1A, Vgs=0V -1.8 6.0 700 Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-6A Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=2.5Ω, Rgen=3Ω tf trr If=-6A, dlf/dt=100A/μs Qrr If=-6A, dlf/dt=100A/μs μA ±100 nA -3.0 V 50 70 65 85 9.5 -0.78 -1.00 Is Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz -1 -5 A 40 55 Ta=125℃ ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 V mΩ S V -4.2 A 840 pF 112 pF 78 10 pF Ω 14.7 7.6 2.0 15 18.0 nC nC nC 3.8 8.6 5.0 nC ns ns 28.2 13.5 24.0 ns ns ns 14.7 30.0 nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル P チャンネル MOSFET ELM14405AA-N ■標準特性と熱特性曲線 20 -10V 10 -6V -5V -4.5V -4V 10 -Id(A) -Id (A) Vds=-5V 8 15 -3.5V 5 Vgs=-3V 0 0.00 2.00 3.00 4.00 4 125°C 2 -2.5V 1.00 6 25°C 0 5.00 0 1 100 4 1.6 80 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 3 -Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Figure 1: On-Region Characteristics Vgs=-4.5V 60 Vgs=-10V 40 20 1.4 Vgs=-10V Vgs=-4.5V 1.2 1 Id=-5A 0.8 0 2 4 6 8 10 0 25 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1E+01 160 140 1E+00 Id=-5A 120 1E-01 100 1E-02 -Is (A) Rds(on) (m� ) 2 125°C 125°C 1E-03 MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL 80 THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER 25°C COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISIN 1E-04 60 OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN, 25°C FUNCTIONS WITHOUT NOTICE. 40 AND RELIABILITY 1E-05 1E-06 20 2 4 6 8 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 1.2 シングル P チャンネル MOSFET ELM14405AA-N 10 1200 Vds=-15V Id=-6A 9 8 1000 Capacitance (pF) -Vgs (Volts) 7 6 5 4 3 2 Ciss 800 600 400 Coss 200 1 0 0 2 4 6 8 10 12 14 Crss 0 16 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Tj(max)=150°C Ta=25°C 1ms 10ms DC 0.1 1 10 100 -Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 30 20 10 10s 10 25 30 100�s 1s 0.1 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10�s 0.1s 1 15 40 Rds(on) limited 10 10 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) 100 5 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 0 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL Pd COMPONENTS 0.1 IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISIN OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN, Ton FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE. T Single Pulse 0.01 1 10 100 1000 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4