シングル N チャンネル MOSFET ELM13402CA-S ■概要 ■特長 ELM13402CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=4A (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 55mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 70mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 110mΩ (Vgs=2.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 ドレイン - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 Vds Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 30 ±12 4.0 Id 3.4 15 Idm Tc=25℃ 最大許容損失 Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg V V 1.4 1.0 - 55 ～ 150 A 1 A 2 W 1 ℃ ■熱特性 項目 記号 Typ. Max. 単位 備考 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 t ≦10s 定常状態 Rθja 70 100 90 125 ℃/W ℃/W 1 最大接合部 - リード 定常状態 Rθjl 63 80 ℃/W 3 ■端子配列図 ■回路 D SOT-23(TOP VIEW) � � � 端子番号 1 端子記号 GATE 2 3 SOURCE DRAIN G S 4-1 シングル N チャンネル MOSFET ELM13402CA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 30 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=24V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 0.6 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 10 Rds(on) 順方向相互コンダクタンス Gfs ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Vsd Is 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 Coss Crss Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs 1.0 1 5 μA 100 nA 1.4 V A 45 66 55 80 Vgs=4.5V, Id=3A Vgs=2.5V, Id=2A Vds=5V, Id=4A 55 83 8 70 110 Is=1A, Vgs=0V 0.8 1.0 2.5 Vgs=10V, Id=4A ドレイン - ソースオン状態抵抗 V Ta=125℃ mΩ S V A 390.0 pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 54.5 41.0 3 pF pF Ω Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=4A 4.34 0.60 nC nC Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V 1.38 3.3 1.0 nC ns ns ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=3.75Ω, Rgen=6Ω tf trr If=4A, dlf/dt=100A/μs 21.7 2.1 12.0 ns ns ns 6.3 nC 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=4A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル N チャンネル MOSFET ELM13402CA-S ■標準特性と熱特性曲線 15 10 10V 3V Vds=5V 8 4.5V 9 Id(A) Id (A) 12 2.5V 6 3 6 4 125°C 2 Vgs=2V 0 25°C 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 150 1.5 2 2.5 3 3.5 1.8 Normalized On-Resistance 125 Rds(on) (m� ) 1 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics Vgs=2.5V 100 75 Vgs=4.5V 50 25 Vgs=10V 0 1.6 Vgs=4.5V Vgs=10V 1.4 1.2 Vgs=2.5V 1 0.8 0 2 4 6 8 10 0 25 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 200 1.0E+00 Id=2A 100 1.0E-01 Is (A) Rds(on) (m� ) 150 125°C 50 125°C 1.0E-02 1.0E-03 25°C 1.0E-04 25°C 1.0E-05 1.0E-06 0 0 2 4 6 8 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 1.2 シングル N チャンネル MOSFET ELM13402CA-S 5 500 Capacitance (pF) 4 Vgs (Volts) 600 Vds=15V Id=4A 3 2 1 Ciss 400 300 200 Coss 100 0 0 1 2 3 4 0 5 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Rds(on) limited 1ms 100�s 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C DC 0.1 1 10 0 0.001 100 Vds (Volts) D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=90°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 25 5 10s 10 20 10 1s 0.1 15 15 10�s 0.1s 10ms 1.0 10 20 Power (W) Id (Amps) 10.0 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Tj(max)=150°C Ta=25°C 100.0 Crss In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton T Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000