elm13403ca

シングル P チャンネル MOSFET
ELM13403CA-S
■概要
■特長
ELM13403CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
・ Id=-2.6A (Vgs=-10V)
オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Rds(on) < 130mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 180mΩ (Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) < 260mΩ (Vgs=-2.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
-30
V
±12
V
-2.6
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
-2.2
-20
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
Pd
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
1.4
1.0
-55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
記号
t≦10s
定常状態
Rθja
最大接合部 - リード
定常状態
Rθjl
Typ.
70
100
Max.
90
125
単位
℃/W
℃/W
備考
63
80
℃/W
3
■回路
■端子配列図
�
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
1
�
端子番号
端子記号
1
2
3
GATE
SOURCE
DRAIN
�
�
4-1
シングル P チャンネル MOSFET
ELM13403CA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-24V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
-30
-1
-5
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-0.6
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
-10
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
Is
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss
Crss
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-2A
Vgs=-2.5V, Id=-1A
Vds=-5V, Id=-2.5A
Is=-1A, Vgs=0V
3.0
-1.0
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-15V
Id=-2.5A
-1.4
V
A
102
154
130
200
128
187
4.5
180
260
55
42
12
4.40
0.80
mΩ
S
-0.85 -1.00
-2
409
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
μA
±100 nA
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs=-10V
Id=-2.6A
V
V
A
500
pF
16
pF
pF
Ω
5.30
nC
nC
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
1.32
5.3
4.4
8.0
9.0
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=6Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs
31.5
8.0
15.8
45.0
16.0
19.0
ns
ns
ns
8.0
12.0
nC
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM13403CA-S
■標準特性と熱特性曲線
10
20
-5V
-10V
8
-4V
10
-Id (A)
Vgs=-3.5V
-3V
2 5V
5
6
125°C
4
2
-2.0V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
250
1.5
2
2.5
3
3.5
4
1.6
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
1
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Vgs=-2.5V
200
150
Vgs=-4.5V
100
50
0
1
2
3
Vgs=-10V
4
5
Vgs=-10V
VGS=-4.5V
1.4
VGS=-2.5V
1.2
ID=-2A
1
0.8
6
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
300
1.0E+01
250
1.0E+00
Id=-2A
200
150
100
25°C
2
4
6
75
100
125
150
175
125°C
1.0E-02
1.0E-03
25°C
1.0E-04
1.0E-05
0
0
50
1.0E-01
125°C
50
25
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
-Is (A)
Rds(on) (m� )
-Id (A)
15
25°C
Vds=-5V
-4.5V
8
10
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
1.2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM13403CA-S
5
500
Capacitance (pF)
4
-Vgs (Volts)
600
Vds=-15V
Id=-2.5A
3
2
1
Ciss
400
300
200
Coss
0
0
1
2
3
4
0
5
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
1ms
10ms
0.1
DC
1
10
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
-Vds (Volts)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0.1
0.01
0.00001
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
1
25
5
10s
10
20
10
1s
0.1
15
15
10�s
Power (W)
100�s
0.1s
1.0
10
20
Rds(on)
limited
10.0
5
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
-Id (Amps)
Crss
100
Pd
Ton
Single Pulse 0.001
0.0001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000
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