シングル P チャンネル MOSFET ELM13403CA-S ■概要 ■特長 ELM13403CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ・ Id=-2.6A (Vgs=-10V) オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Rds(on) < 130mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 180mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 260mΩ (Vgs=-2.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -30 V ±12 V -2.6 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 -2.2 -20 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 Pd 接合温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg 1.4 1.0 -55 ～ 150 A 1 A 2 W 1 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 記号 t≦10s 定常状態 Rθja 最大接合部 - リード 定常状態 Rθjl Typ. 70 100 Max. 90 125 単位 ℃/W ℃/W 備考 63 80 ℃/W 3 ■回路 ■端子配列図 � SOT-23(TOP VIEW) � � 1 � 端子番号 端子記号 1 2 3 GATE SOURCE DRAIN � � 4-1 シングル P チャンネル MOSFET ELM13403CA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-24V Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V -30 -1 -5 Ta=55℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -0.6 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V -10 ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) 順方向相互コンダクタンス Gfs ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Vsd Is 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 Coss Crss Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs Ta=125℃ Vgs=-4.5V, Id=-2A Vgs=-2.5V, Id=-1A Vds=-5V, Id=-2.5A Is=-1A, Vgs=0V 3.0 -1.0 Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-4.5V, Vds=-15V Id=-2.5A -1.4 V A 102 154 130 200 128 187 4.5 180 260 55 42 12 4.40 0.80 mΩ S -0.85 -1.00 -2 409 Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz μA ±100 nA ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs=-10V Id=-2.6A V V A 500 pF 16 pF pF Ω 5.30 nC nC ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V 1.32 5.3 4.4 8.0 9.0 nC ns ns ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=6Ω, Rgen=3Ω tf trr If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs 31.5 8.0 15.8 45.0 16.0 19.0 ns ns ns 8.0 12.0 nC 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル P チャンネル MOSFET ELM13403CA-S ■標準特性と熱特性曲線 10 20 -5V -10V 8 -4V 10 -Id (A) Vgs=-3.5V -3V 2 5V 5 6 125°C 4 2 -2.0V 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 250 1.5 2 2.5 3 3.5 4 1.6 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 1 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics Vgs=-2.5V 200 150 Vgs=-4.5V 100 50 0 1 2 3 Vgs=-10V 4 5 Vgs=-10V VGS=-4.5V 1.4 VGS=-2.5V 1.2 ID=-2A 1 0.8 6 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 300 1.0E+01 250 1.0E+00 Id=-2A 200 150 100 25°C 2 4 6 75 100 125 150 175 125°C 1.0E-02 1.0E-03 25°C 1.0E-04 1.0E-05 0 0 50 1.0E-01 125°C 50 25 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature -Is (A) Rds(on) (m� ) -Id (A) 15 25°C Vds=-5V -4.5V 8 10 -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 1.0E-06 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 1.2 シングル P チャンネル MOSFET ELM13403CA-S 5 500 Capacitance (pF) 4 -Vgs (Volts) 600 Vds=-15V Id=-2.5A 3 2 1 Ciss 400 300 200 Coss 0 0 1 2 3 4 0 5 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 100.0 1ms 10ms 0.1 DC 1 10 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=90°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) -Vds (Volts) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 0.1 0.01 0.00001 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 0 0.001 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 1 25 5 10s 10 20 10 1s 0.1 15 15 10�s Power (W) 100�s 0.1s 1.0 10 20 Rds(on) limited 10.0 5 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Tj(max)=150°C Ta=25°C Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance -Id (Amps) Crss 100 Pd Ton Single Pulse 0.001 0.0001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000