elm13419ca

シングル P チャンネル MOSFET
ELM13419CA-S
■概要
■特長
ELM13419CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-20V
・ Id=-3.5A (Vgs=-10V)
オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
また、 保護回路によって ESD 耐性があります。
・ Rds(on) < 75mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 95mΩ (Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) < 145mΩ (Vgs=-2.5V)
・ ESD Rating : 2000V HBM
■絶対最大定格値
項目
記号
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
Vds
Vgs
-20
±12
V
V
Id
-3.5
-2.8
A
1
A
2
W
1
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
-15
1.4
0.9
Pd
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
-55 ～ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
記号
t≦10s
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
Max.
単位
65
85
43
90
125
60
℃/W
℃/W
℃/W
1
3
■回路
�
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
備考
�
端子番号
端子記号
1
2
3
GATE
SOURCE
DRAIN
�
�
4-1
シングル P チャンネル MOSFET
ELM13419CA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Gfs
Vsd
Is
V
-0.5
Vds=-16V
Vgs=0V
μA
Ta=55℃
Vds=0V, Vgs=±10V
-2.5
±1
Vds=0V, Vgs=±12V
±10
μA
-0.9
-1.4
V
A
59
75
83
105
Vgs=-4.5V, Id=-3A
Vgs=-2.5V, Id=-1A
76
111
95
145
Vds=-5V, Id=-3.5A
Is=-1A, Vgs=0V
6.8
-0.65 -0.81 -0.95
-2.0
S
V
A
512
77
pF
pF
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
-20
Vgs=-10V
Id=-3.5A
Ta=125℃
-0.7
-15
μA
mΩ
動的特性
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
帰還容量
Crss
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Rg
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
62
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id=-3.5A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-10V
td(off) RL=2.8Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
Qrr
620
If=-3.5A, dlf/dt=100A/μs
If=-3.5A, dlf/dt=100A/μs
pF
9.2
13.0
Ω
5.5
6.6
nC
0.8
1.9
nC
nC
5.0
6.7
28.0
ns
ns
ns
13.5
9.8
2.7
ns
ns
nC
12.0
備考 :
1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。
5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM13419CA-S
■標準特性と熱特性曲線
25
-9.0V
-8.0V
20
Vds=-5V
-5.0V
8
-7.0V
-4.0V
-6.0V
15
-Id (A)
-Id (A)
10
-10.0V
-3.0V
10
-2.5V
-2.0V
5
0
1
2
3
125°C
4
2
Vgs=-1.5V
0
6
4
25°C
0
5
0
0.5
1.5
2
2.5
3
3.5
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
160
1.6
Id=-3A, Vgs=-4.5V
140
Vgs=-2.5V
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m�)
1
120
100
Vgs=-4.5V
80
60
Vgs=-10V
40
Id=-3.5A, Vgs=-10V
1.4
1.2
Id=-1A, Vgs=-2.5V
1.0
20
0
2
4
6
8
0.8
10
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1E+01
200
Id=-3.5A
180
1E+00
160
125°C
1E-01
125°C
140
-Is (A)
Rds(on) (m�)
25
120
100
25°C
1E-02
1E-03
1E-04
80
25°C
1E-05
60
1E-06
40
0
2
4
6
8
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM13419CA-S
800
5
Id=-3.5A
Capacitance (pF)
-Vgs (Volts)
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
Ciss
600
400
200
Coss
Crss
0
6
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
10.0
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
40
10�s
100�s
1ms
10ms
1s
10s
0.1
0.1
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
20
0.1s
DC
1
10
0
0.001
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
-Vds (Volts)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
10
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
15
30
Rds(on)
limited
1.0
10
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
100.0
5
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000