elm17600ga

コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM17600GA-S
■概要
■特長
ELM17600GA-S は低入力容量、
N チャンネル
P チャンネル
低電圧駆動、 低オン抵抗という特
・ Vds=20V
性を備えた大電流 MOSFET です。
また、 保護回路によって ESD 耐性
・ Id=0.9A(Vgs=4.5V)
Id=-0.6A(Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) < 300mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 550mΩ(Vgs=-4.5V)
があります。
・ Rds(on) < 350mΩ(Vgs=2.5V) Rds(on) < 700mΩ(Vgs=-2.5V)
Vds=-20V
・ Rds(on) < 450mΩ(Vgs=1.8V) Rds(on) < 950mΩ(Vgs=-1.8V)
■絶対最大定格値
項目
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
記号
Vds
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
N-ch (Max.)
20
±8
0.90
0.70
5
-0.60
-0.48
-3
Pd
0.30
0.19
0.30
0.19
W
Tj,Tstg
-55 ~ 150
-55 ~ 150
℃
Id
Idm
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、 Ta=25℃
P-ch (Max.)
単位 備考
-20
V
±8
V
A
1
A
2
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
記号
t ≦ 10s
定常状態
最大接合部 - リード
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
t ≦ 10s
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
最大接合部 - リード
定常状態
Rθja
Rθja
Rθjl
�
�
P-ch
Typ.
360
400
Max.
415
460
単位
℃/W
℃/W
備考
300
360
350
415
℃/W
℃/W
3
400
460
℃/W
300
350
℃/W
1
1
3
■回路
SC-70-6(TOP VIEW)
�
N-ch
Rθjl
■端子配列図
�
チャンネル
�
�
端子番号
1
2
端子記号
SOURCE1
GATE1
3
4
5
DRAIN2
SOURCE2
GATE2
6
DRAIN1
・ N-ch
・ P-ch
G2
G1
S1
7- 1
D2
D1
S2
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM17600GA-S
■電気特性 (N-ch)
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=16V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±8V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Rds(on)
Gfs
Vsd
Ciss
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ゲート抵抗
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
V
1
Ta=55℃
5
μA
25
μA
0.75
0.90
V
A
Vgs=4.5V
Id=0.9A
Ta=125℃
Vgs=2.5V, Id=0.75A
181
253
237
300
330
350
Vgs=1.8V, Id=0.7A
Vds=5V, Id=0.8A
Is=0.5A, Vgs=0V
317
2.6
0.69
450
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
20
0.50
5
Is
101
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=10V
mΩ
1.00
S
V
0.4
A
120
pF
17
14
pF
pF
3
4
Ω
1.57
1.90
nC
Qgs
Id=0.8A
Qgd
td(on)
0.13
0.36
3.2
nC
nC
ns
tr
Vgs=5V, Vds=10V
td(off) RL=12.5Ω, Rgen=6Ω
tf
4.0
15.5
2.4
ns
ns
ns
trr
Qrr
If=0.8A, dlf/dt=100A/μs
If=0.8A, dlf/dt=100A/μs
6.7
1.6
8.1
ns
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
7- 2
コンプリメンタリーパワー MOSFET
AO7600
ELM17600GA-S
■標準特性曲線
(N-ch)
N-Channel:
TYPICAL ELECTRICAL
AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
4
8V
10V
Vds=5V
5V
8
3
6
3.5V
3V
4
25°C
125°C
Id (A)
Id (A)
4V
2
2.5V
1
Vgs=2V
2
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
480
1.8
440
Vgs=1.8V
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
1.5
400
360
320
Vgs=2.5V
280
240
Vgs=4.5V
200
2
2.5
3
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
160
Vgs=1.8V
1.6
Vgs=2.5V
Id=0.7A
Id=0.75A
1.4
Vgs=4.5V
1.2
Id=0.9A
1
0.8
0
1
2
3
4
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1E+01
500
460
1E+00
420
125°C
Id=0.9A
1E-01
380
340
Is (A)
Rds(on) (m� )
1
125°C
300
1E-02
25°C
1E-03
260
25°C
220
1E-04
180
1E-05
140
1
2
3
4
5
6
7
8
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7- 3
2.0
AO7600
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM17600GA-S
N-Channel: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
200
5
Vds=10V
Id=0.9A
Capacitance (pF)
Vgs (Volts)
4
3
2
1
150
Ciss
100
Coss
50
0
0
0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
10.0
Tj(max.)=150°C, Ta=25°C
Rds(on)
limited
16
100�s
10ms
10s
1
10
100
8
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=415°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Vds (Volts)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
20
4
DC
0.0
0.1
15
12
1ms
0.1s
1s
0.1
10
10�s
Power (W)
1.0
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Id (Amps)
Crss
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
P
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7- 4
100
1000
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM17600GA-S
■電気特性 (P-ch)
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-16V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±8V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ゲート抵抗
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
V
-1
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Rds(on)
-20
Vgs=-4.5V
Id=-0.6A
Ta=125℃
Vgs=-2.5V, Id=-0.5A
Vgs=-1.8V, Id=-0.4A
Vds=-5V, Id=-0.6A
Is=-0.5A, Vgs=0V
-5
-0.5
-3
μA
±10
μA
-0.6
-0.9
V
A
415
542
590
550
700
700
700 950
1.7
-0.86 -1.00
Is
114
mΩ
S
V
-0.4
A
140
pF
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
17
14
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
12
17
Ω
1.44
1.80
nC
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
pF
pF
Qgs
Id=-0.6A
Qgd
td(on)
0.14
0.35
6.5
nC
nC
ns
tr
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
td(off) RL=16.7Ω, Rgen=3Ω
tf
6.5
18.2
5.5
ns
ns
ns
trr
Qrr
If=-0.6A, dlf/dt=100A/μs
If=-0.6A, dlf/dt=100A/μs
10
3
13
ns
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
7- 5
コンプリメンタリーパワー MOSFET
AO7600
ELM17600GA-S
■標準特性曲線
P-Channel: TYPICAL (P-ch)
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
4
6
-6V
-10V
-4.5V
-4V
3
125°C
-3.5V
-Id (A)
-Id (A)
4
-3V
2
-2.5V
2
1
Vgs=-2.0V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
900
1.6
700
Normalized On-Resistance
Vgs=-1.8V
800
Vgs=-2.5V
600
500
Vgs=-4.5V
400
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Rds(on) (m� )
25°C
Vds=-5V
300
Vgs=-1.8V
Id=-0.4A
1.4
Vgs=-2.5V
Id=-0.5A
1.2
Vgs=-4.5V
Id=-0.6A
1
0.8
0
1
2
3
4
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+00
900
Id=-0.6A
800
1.0E-01
700
-Is (A)
Rds(on) (m� )
125°C
1.0E-02
125°C
600
500
1.0E-04
25°C
400
1.0E-05
300
1.0E-06
0
2
25°C
1.0E-03
4
6
8
10
0.0
0.4
0.8
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7- 6
1.2
コンプリメンタリーパワー MOSFET
AO7600
ELM17600GA-S
P-Channel: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
5
Capacitance (pF)
4
-Vgs (Volts)
200
Vds=-10V
Id=-0.6A
3
2
1
0
0.0
0.5
1.0
1.5
Ciss
150
100
Coss
50
0
2.0
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Rds(on)
limited
-Id (Amps)
1ms
10�s
100�s
1s
0.01
20
10
10ms
10s
15
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
12
0.1s
0.10
10
14
Tj(max.)=150°C, Ta=25°C
1.00
5
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
10.00
Crss
DC
8
6
4
2
0
0.001
0.00
0.1
1
10
100
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=415°C/W
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
-Vds (Volts)
10
0.01
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
P
Pd
0.1
Ton
T
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7- 7
100
1000
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