コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM17600GA-S ■概要 ■特長 ELM17600GA-S は低入力容量、 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=20V 性を備えた大電流 MOSFET です。 また、 保護回路によって ESD 耐性 ・ Id=0.9A(Vgs=4.5V) Id=-0.6A(Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 300mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 550mΩ(Vgs=-4.5V) があります。 ・ Rds(on) < 350mΩ(Vgs=2.5V) Rds(on) < 700mΩ(Vgs=-2.5V) Vds=-20V ・ Rds(on) < 450mΩ(Vgs=1.8V) Rds(on) < 950mΩ(Vgs=-1.8V) ■絶対最大定格値 項目 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 記号 Vds Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 N-ch (Max.) 20 ±8 0.90 0.70 5 -0.60 -0.48 -3 Pd 0.30 0.19 0.30 0.19 W Tj,Tstg -55 ～ 150 -55 ～ 150 ℃ Id Idm パルス ・ ドレイン電流 特に指定なき場合、 Ta=25℃ P-ch (Max.) 単位 備考 -20 V ±8 V A 1 A 2 ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 記号 t ≦ 10s 定常状態 最大接合部 - リード 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 t ≦ 10s 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 最大接合部 - リード 定常状態 Rθja Rθja Rθjl � � P-ch Typ. 360 400 Max. 415 460 単位 ℃/W ℃/W 備考 300 360 350 415 ℃/W ℃/W 3 400 460 ℃/W 300 350 ℃/W 1 1 3 ■回路 SC-70-6(TOP VIEW) � N-ch Rθjl ■端子配列図 � チャンネル � � 端子番号 1 2 端子記号 SOURCE1 GATE1 3 4 5 DRAIN2 SOURCE2 GATE2 6 DRAIN1 ・ N－ch ・ P－ch G2 G1 S1 7- 1 D2 D1 S2 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM17600GA-S ■電気特性 (N-ch) 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=16V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±8V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Rds(on) Gfs Vsd Ciss 出力容量 帰還容量 Coss Crss ゲート抵抗 Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 V 1 Ta=55℃ 5 μA 25 μA 0.75 0.90 V A Vgs=4.5V Id=0.9A Ta=125℃ Vgs=2.5V, Id=0.75A 181 253 237 300 330 350 Vgs=1.8V, Id=0.7A Vds=5V, Id=0.8A Is=0.5A, Vgs=0V 317 2.6 0.69 450 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 20 0.50 5 Is 101 Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=10V mΩ 1.00 S V 0.4 A 120 pF 17 14 pF pF 3 4 Ω 1.57 1.90 nC Qgs Id=0.8A Qgd td(on) 0.13 0.36 3.2 nC nC ns tr Vgs=5V, Vds=10V td(off) RL=12.5Ω, Rgen=6Ω tf 4.0 15.5 2.4 ns ns ns trr Qrr If=0.8A, dlf/dt=100A/μs If=0.8A, dlf/dt=100A/μs 6.7 1.6 8.1 ns nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 7- 2 コンプリメンタリーパワー MOSFET AO7600 ELM17600GA-S ■標準特性曲線 (N-ch) N-Channel: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 10 4 8V 10V Vds=5V 5V 8 3 6 3.5V 3V 4 25°C 125°C Id (A) Id (A) 4V 2 2.5V 1 Vgs=2V 2 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 480 1.8 440 Vgs=1.8V Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 1.5 400 360 320 Vgs=2.5V 280 240 Vgs=4.5V 200 2 2.5 3 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 160 Vgs=1.8V 1.6 Vgs=2.5V Id=0.7A Id=0.75A 1.4 Vgs=4.5V 1.2 Id=0.9A 1 0.8 0 1 2 3 4 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1E+01 500 460 1E+00 420 125°C Id=0.9A 1E-01 380 340 Is (A) Rds(on) (m� ) 1 125°C 300 1E-02 25°C 1E-03 260 25°C 220 1E-04 180 1E-05 140 1 2 3 4 5 6 7 8 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7- 3 2.0 AO7600 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM17600GA-S N-Channel: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 200 5 Vds=10V Id=0.9A Capacitance (pF) Vgs (Volts) 4 3 2 1 150 Ciss 100 Coss 50 0 0 0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 10.0 Tj(max.)=150°C, Ta=25°C Rds(on) limited 16 100�s 10ms 10s 1 10 100 8 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=415°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Vds (Volts) Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance Tj(max.)=150°C Ta=25°C 0 0.001 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 20 4 DC 0.0 0.1 15 12 1ms 0.1s 1s 0.1 10 10�s Power (W) 1.0 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Id (Amps) Crss In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 P Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7- 4 100 1000 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM17600GA-S ■電気特性 (P-ch) 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-16V Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±8V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 Coss Crss ゲート抵抗 Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 V -1 Ta=55℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V Rds(on) -20 Vgs=-4.5V Id=-0.6A Ta=125℃ Vgs=-2.5V, Id=-0.5A Vgs=-1.8V, Id=-0.4A Vds=-5V, Id=-0.6A Is=-0.5A, Vgs=0V -5 -0.5 -3 μA ±10 μA -0.6 -0.9 V A 415 542 590 550 700 700 700 950 1.7 -0.86 -1.00 Is 114 mΩ S V -0.4 A 140 pF Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz 17 14 Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 12 17 Ω 1.44 1.80 nC Vgs=-4.5V, Vds=-10V pF pF Qgs Id=-0.6A Qgd td(on) 0.14 0.35 6.5 nC nC ns tr Vgs=-4.5V, Vds=-10V td(off) RL=16.7Ω, Rgen=3Ω tf 6.5 18.2 5.5 ns ns ns trr Qrr If=-0.6A, dlf/dt=100A/μs If=-0.6A, dlf/dt=100A/μs 10 3 13 ns nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 7- 5 コンプリメンタリーパワー MOSFET AO7600 ELM17600GA-S ■標準特性曲線 P-Channel: TYPICAL (P-ch) ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 4 6 -6V -10V -4.5V -4V 3 125°C -3.5V -Id (A) -Id (A) 4 -3V 2 -2.5V 2 1 Vgs=-2.0V 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 1 1.5 900 1.6 700 Normalized On-Resistance Vgs=-1.8V 800 Vgs=-2.5V 600 500 Vgs=-4.5V 400 2 2.5 3 3.5 4 4.5 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics Rds(on) (m� ) 25°C Vds=-5V 300 Vgs=-1.8V Id=-0.4A 1.4 Vgs=-2.5V Id=-0.5A 1.2 Vgs=-4.5V Id=-0.6A 1 0.8 0 1 2 3 4 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+00 900 Id=-0.6A 800 1.0E-01 700 -Is (A) Rds(on) (m� ) 125°C 1.0E-02 125°C 600 500 1.0E-04 25°C 400 1.0E-05 300 1.0E-06 0 2 25°C 1.0E-03 4 6 8 10 0.0 0.4 0.8 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7- 6 1.2 コンプリメンタリーパワー MOSFET AO7600 ELM17600GA-S P-Channel: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 5 Capacitance (pF) 4 -Vgs (Volts) 200 Vds=-10V Id=-0.6A 3 2 1 0 0.0 0.5 1.0 1.5 Ciss 150 100 Coss 50 0 2.0 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Rds(on) limited -Id (Amps) 1ms 10�s 100�s 1s 0.01 20 10 10ms 10s 15 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 12 0.1s 0.10 10 14 Tj(max.)=150°C, Ta=25°C 1.00 5 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) 10.00 Crss DC 8 6 4 2 0 0.001 0.00 0.1 1 10 100 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=415°C/W 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) -Vds (Volts) 10 0.01 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 P Pd 0.1 Ton T Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7- 7 100 1000