elm18806ba

双 N 沟道共漏极 MOSFET
ELM18806BA-S
■概要
■特点
ELM18806BA-S 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、
·Vds=20V
低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。
·Id=7A (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 22mΩ (Vgs=4.5V)
另外,此芯片还内藏 ESD 保护电路。
·Rds(on) < 27mΩ (Vgs=2.5V)
·Rds(on) < 35mΩ (Vgs=1.8V)
·ESD 规格∶ 2000V HBM
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
20
V
栅极 - 源极电压
Vgs
±8
7.0
5.7
V
A
1
30
1.5
1.0
A
2
W
1
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
Pd
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
t≦10s
稳定状态
Rθja
稳定状态
Rθjl
典型值
64
89
最大值
83
120
单位
℃/W
℃/W
备注
53
70
℃/W
3
■引脚配置图
1
■电路图
TSSOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
2
引脚名称
DRAIN1/DRAIN2
SOURCE1
3
4
5
SOURCE1
GATE1
GATE2
6
7
8
SOURCE2
SOURCE2
DRAIN1/DRAIN2
D1
G2
G1
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D2
S1
S2
双 N 沟道共漏极 MOSFET
ELM18806BA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Ta=55℃
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Gfs
Vsd
Is
动态特性
输入电容
Ciss
输出电容
反馈电容
Coss
Crss
Rg
μA
Vds=0V, Vgs=±4.5V
5
±1
Vds=0V, Vgs=±8V
±10
μA
0.6
1.0
V
A
16.5
22.0
Vgs=2.5V, Id=5.5A
Vgs=1.8V, Id=5A
23.0
20.0
24.0
29.0
27.0
35.0
Vds=5V, Id=7A
Is=1A, Vgs=0V
29
0.76
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Rds(on)
V
1
Vds=16V,Vgs=0V
Vgs=4.5V,Id=7A
漏极 - 源极导通电阻
20
0.4
30
Ta=125℃
1.00
2.5
μA
mΩ
S
V
A
1160
pF
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
187
146
pF
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
1.5
Ω
16.0
nC
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=7A
Qgd
td(on)
0.8
3.8
6.2
nC
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
tr
Vgs=5V, Vds=10V
td(off) RL=1.35Ω, Rgen=3Ω
12.7
51.7
ns
ns
16.0
17.7
6.7
ns
ns
nC
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Qg
tf
trr
Qrr
If=7A, dlf/dt=100A/μs
If=7A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
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双 N 沟道共漏极 MOSFET
ELM18806BA-S
■标准特性和热特性曲线
30
20
8V
Vgs=5V
Vgs =2V
15
20
Id(A)
Id(A)
Vgs =1.5V
10
10
Vgs =1V
25°C
0
0
1
2
3
125°C
5
4
0
5
0.0
Vds(Volts)
50
1.5
2.0
2.5
1.6
Normalize ON-Resistance
Rds(on)(m� )
1.0
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Figure 1: On-Regions Characteristi cs
40
Vgs =1.8V
30
Vgs =2.5V
20
Vgs =4.5V
10
0
5
10
15
Id=6.5A
1.4
Vgs=1.8V
Vgs=2.5V
Vgs=4.5V
1.2
1.0
0.8
20
0
Id(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
60
1E+01
Id=6.5A
1E+00
50
125°C
1E-01
40
Is(A)
Rds(on)(m� )
0.5
125°C
30
1E-02
1E-03
20
1E-04
25°C
25°C
1E-05
10
0
2
4
6
0.0
8
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.0
双 N 沟道共漏极 MOSFET
ELM18806BA-S
2000
5
Vds=10V
Id=7A
1600
Capacitance (pF)
Vgs(Volts)
4
Ciss
1200
3
2
800
1
400
0
0
0
5
10
15
Crss
0
20
Rds(on)
limited
10�s
0.1s
10ms
20
20
10
1s
10s
DC
0.1
0.1
15
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
30
100�s
1ms
1.0
10
40
Power (W)
Id (Amps)
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10.0
5
Vds(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
Coss
1
Vds (Volts)
10
0
0.001
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
10
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=83°C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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