elm14828aa

双 N 沟道 MOSFET
ELM14828AA-N
■概要
■特点
ELM14828AA-N 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、
·Vds=60V
低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。
·Id=4.5A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 56mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 77mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流（定常）
60
±20
4.5
3.6
20
Id
漏极电流（脉冲）
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
V
V
A
1
A
2
Pd
2.00
1.28
W
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≦10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
48.0
62.5
℃/W
74.0
35.0
110.0
60.0
℃/W
℃/W
备注
1
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
引脚名称
1
2
3
SOURCE2
GATE2
SOURCE1
4
5
GATE1
DRAIN1
6
7
8
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN2
D2
D1
G2
G1
4-1
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S1
S2
双 N 沟道 MOSFET
ELM14828AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=60V，Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Rds(on)
Gfs
Vsd
5
μA
100
nA
2.1
3.0
V
A
Vgs=4.5V, Id=3A
46
80
64
56
100
77
Vds=5V, Id=4.5A
Is=1A, Vgs=0V
11
0.74
Vgs=10V，Id=4.5A
1.0
20
Ta=125℃
mΩ
1.00
Is
3
A
Ism
20
A
540
pF
60
25
1.65
2.00
pF
pF
Ω
8.5
10.5
nC
4.3
1.6
2.2
5.5
nC
nC
nC
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss
Crss
Rg
开关特性
总栅极电荷 (10V)
Qg
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Qgd
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Ta=55℃
S
V
Ciss
关闭下降时间
V
1
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
二极管脉冲电流
动态特性
输入电容
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
60
450
Vgs=0V, Vds=30V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
1.30
Vgs=10V, Vds=30V, Id=4.5A
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=30V
td(off) RL=6.7Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
Qrr
If=4.5A, dlf/dt=100A/μs
If=4.5A, dlf/dt=100A/μs
4.7
2.3
15.7
ns
ns
ns
1.9
ns
27.5
32.0
35.0
2
ns
nC
备注：
1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到
电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
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双 N 沟道 MOSFET
AO4828.AO4828L
ELM14828AA-N
■标准特性和热特性曲线
TYPICAL
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
20
15
10.0
5.0V
Vds=5V
10
4.5V
125°C
Id (A)
Id (A)
15
10
4.0V
5
5
25°C
Vgs=3.5V
0
0
1
2
3
4
0
5
2
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
3.5
4
4.5
5
2
80
Normalized On-Resistance
90
Rds(on) (m�)
3
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
100
Vgs=4.5V
70
60
50
Vgs=10V
40
30
20
0
5
10
15
Vgs=10V
1.8
Id=4.5A
1.6
Vgs=4.5V
Id=3.0A
1.4
1.2
1
0.8
20
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
160
1.0E+01
Id=4.5A
140
1.0E+00
125°C
1.0E-01
120
Is (A)
Rds(on) (m�)
2.5
125°C
100
1.0E-02
25°C
1.0E-03
80
25°C
60
1.0E-04
1.0E-05
40
2
4
6
8
0.0
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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双 N 沟道 MOSFET
AO4828.AO4828L
ELM14828AA-N
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
800
Vds=30V
Id= 4.5A
6
4
2
600
Ciss
400
Coss
200
Crss
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
40
Rds(on)
limited
10�s
100�s
10.0
1ms
10ms
1s
1.0
10s
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
0.1s
10
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
60
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
100
Vds (Volts)
10
50
10
DC
1
40
30
0.1
0.1
30
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
Id (Amps)
100.0
20
0.01
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
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