elm18822ba

双 N 沟道共漏极 MOSFET
ELM18822BA-S
■概要
■特点
ELM18822BA-S 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、
·Vds=20V
低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。
·Id=7A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 21mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 24mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 32mΩ (Vgs=2.5V)
·Rds(on) < 50mΩ (Vgs=1.8V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
20
V
±12
7.0
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
5.7
30
Idm
Tc=25℃
容许功耗
1.50
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
V
0.96
-55 ~ 150
Tj, Tstg
A
1
A
2
W
1
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
典型值
最大值
单位
备注
t≦10s
稳定状态
Rθja
63
101
83
130
℃/W
℃/W
1
稳定状态
Rθjl
64
83
℃/W
3
■引脚配置图
■电路图
TSSOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
引脚名称
1
DRAIN1/DRAIN2
2
SOURCE1
3
4
SOURCE1
GATE1
5
6
7
GATE2
SOURCE2
SOURCE2
8
DRAIN1/DRAIN2
D1
G2
G1
4-1
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D2
S1
S2
双 N 沟道共漏极 MOSFET
ELM18822BA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=16V,Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±10V
20
1
Ta=55℃
栅极 - 源极击穿电压
BVgso Vds=0V, Ig=±250μA
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Vgs=10V,Id=7A
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
5
100
±12
0.5
30
Ta=125℃
Rds(on) Vgs=4.5V, Id=6.6A
Vgs=2.5V, Id=5.5A
Gfs
Vsd
V
Vgs=1.8V, Id=2A
Vds=5V, Id=7A
Is=1A, Vgs=0V
Ciss
Coss
反馈电容
栅极电阻
开关特性
Crss
Rg
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Qgd
nA
V
0.8
1.0
16.4
21.0
23.0
19.0
25.0
28.0
24.0
32.0
36.0
24
0.7
50.0
Is
输入电容
输出电容
μA
V
A
mΩ
1.0
S
V
2.5
A
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
630
164
pF
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
137
1.5
pF
Ω
9.3
0.6
3.6
nC
nC
nC
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=7A
导通延迟时间
导通上升时间
td(on)
tr
Vgs=5V, Vds=10V
5.7
11.5
ns
ns
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
td(off) RL=1.4Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=7A, dlf/dt=100A/μs
31.5
9.7
15.2
ns
ns
ns
6.3
nC
寄生二极管反向恢复电荷
备注:
Qrr
If=7A, dlf/dt=100A/μs
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
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双 N 沟道共漏极 MOSFET
ELM18822BA-S
■标准特性和热特性曲线
30
20
10V
3V
Vgs=5V
Vgs =2V
4V
15
Id(A)
Id(A)
20
10
Vgs =1.5V
10
125°C
5
25°C
0
0
1
2
3
4
0
5
0.0
Vds(Volts)
50
Normalize ON-Resistance
1.6
40
Rds(on)(m� )
1.0
Vgs =2.5V
Vgs =1.8V
30
Vgs =4.5V
20
Vgs =10V
10
0
0
5
10
15
1.5
2.0
2.5
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Figure 1: On-Regions Characteristi cs
Vgs=1.8V
Id=2A
1.4
Vgs=4.5V
Vgs=2.5V
Id=5.5A
Id=6.6A
1.2
Vgs=10V
Id=7A
1.0
0.8
20
0
Id(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
100
150
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
80
1E+01
Id=7A
70
1E+00
60
125°C
1E-01
50
125°C
Is(A)
Rds(on)(m� )
0.5
40
1E-02
1E-03
30
20
1E-04
25°C
25°C
1E-05
10
0
2
4
6
0.0
8
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.0
双 N 沟道共漏极 MOSFET
ELM18822BA-S
1400
5
Vds=10V
1000
Capacitance (pF)
Vgs(Volts)
1200
Id=7A
4
3
2
1
Ciss
800
600
Crss
400
200
0
0
0
2
4
6
8
0
10
10�s
15
20
100�s
1ms
1
10s
1s
0.1
1
10
Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
20
10
10ms
100m
DC
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
30
Power (W)
Rds(on)
limited
0.1
10
40
Tj(max)=150°C, Ta=25°C
0
0.001
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
100
0.01
10
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
Id (Amps)
100
5
Vds(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
10
Coss
1
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=83°C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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