elm14614aa

复合沟道 MOSFET
ELM14614AA-N
■概要
■特点
ELM14614AA-N 是低输入电容、低工
N 沟道
作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=40V
P 沟道
·Vds=-40V
同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=6A(Vgs=10V)
·Id=-5A(Vgs=-10V)
·Rds(on) < 31mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 45mΩ(Vgs=-10V)
·Rds(on) < 45mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 63mΩ(Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注
漏极 - 源极电压
Vds
40
-40
V
栅极 - 源极电压
Vgs
±20
-5.0
-4.0
V
Id
±20
6.0
5.0
Idm
lar
4.5
20
12
-3.8
-20
14
Pd
22
2.00
1.28
29
2.00
1.28
Tj,Tstg
1.05
-55 ~ 150
1.05
-55 ~ 150
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
Ta=85℃
漏极电流(脉冲)
崩溃电流
单脉冲持续崩溃能量
L=0.3mH
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
Eas
Ta=85℃
结合部温度及保存温度范围
A
1
A
A
2
mJ
W
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≤10s
稳定状态
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
稳定状态
t≤10s
稳定状态
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
稳定状态
Rθja
沟道
典型值
最大值
单位
N
48.0
74.0
62.5
110.0
℃/W
P
35.0
48.0
74.0
50.0
62.5
110.0
35.0
50.0
Rθjl
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
备注
1
3
1
℃/W
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
引脚名称
1
2
3
SOURCE2
GATE2
SOURCE1
4
5
GATE1
DRAIN1
6
7
8
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN2
·N 沟道
·P 沟道
D2
G2
7-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D1
G1
S2
S1
复合沟道 MOSFET
ELM14614AA-N
■电特性 (N 沟道 )
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 備考
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=10mA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=32V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
40
1
Ta=55℃
5
±100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.5
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
20
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
脉冲寄生二极管电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss
反馈电容
Crss
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷 (10V)
Rg
总栅极电荷 (4.5V)
Qg
Qgs
Qgd
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
V
2.3
3.0
μA
nA
V
A
23.2
36.0
31.0
48.0
Vgs=4.5V, Id=5A
Vds=5V, Id=6A
32.6
22
45.0
Is=1A, Vgs=0V
0.77
1.00
2.5
V
A
20
A
404
95
500
120
pF
pF
37
50
pF
2.7
4.0
Ω
8.3
10.0
nC
4.2
1.3
2.3
5.1
2.0
3.0
nC
nC
nC
4.2
3.3
15.6
5.5
4.5
21.0
ns
ns
ns
4.0
27.0
ns
ns
19.0
nC
Vgs=10V, Id=6A
Ta=125℃
Vgs=0V, Vds=20V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
Vgs=10V, Vds=20V, Id=6A
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=20V
td(off) RL=3.3Ω, Rgen=3Ω
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
tf
trr
If=6A, dlf/dt=100A/μs
3.0
20.5
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=6A, dlf/dt=100A/μs
14.5
mΩ
S
2
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 的静特性是在脉冲小于 300μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
7-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
复合沟道 MOSFET
AO4614
ELM14614AA-N
■标准特性曲线
沟道
)
TYPICAL
ELECTRICAL(N
AND
THERMAL
CHARACTERISTICS: N-CHANNEL
30
10V
20
5V
25
Vds=5V
4.5V
15
4V
15
Id (A)
Id (A)
20
125°C
10
10
Vgs=3.5V
5
5
0
0
1
2
3
4
0
5
2
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
2.5
3
3.5
4
4.5
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
50
1.8
40
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m�)
25°C
Vgs=4.5V
30
Vgs=10V
Vgs=10V
Id=6A
1.6
Vgs=4.5V
Id=5A
1.4
1.2
1
20
0
5
10
15
20
0.8
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
0
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1.0E+01
80
Id=6A
70
1.0E+00
60
125°C
1.0E-01
50
Is (A)
Rds(on) (m�)
25
125°C
40
1.0E-02
25°C
1.0E-03
30
20
1.0E-04
25°C
10
2
4
6
8
1.0E-05
10
0.0
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
7-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
复合沟道 MOSFET
AO4614
ELM14614AA-N
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: N-CHANNEL
10
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
800
Vds=20V
Id= 6A
6
4
2
600
Ciss
400
Coss
Crss
200
0
0
0
2
4
6
8
0
10
10
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
40
Rds(on)
limited
10�s
10.0
1ms
10ms
1s
1.0
10s
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
0.1s
1
10
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Vds (Volts)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
100
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
40
10
DC
0.1
0.1
30
30
100�s
Power (W)
Id (Amps)
100.0
20
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
www.aosmd.com
复合沟道 MOSFET
ELM14614AA-N
■电特性 (P 沟道 )
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 備考
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-10mA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-32V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
-40
-1
Ta=55℃
-5
±100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.5
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
-20
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
脉冲寄生二极管电流
Ism
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss
反馈电容
Crss
栅极电阻
开关特性
总栅极电荷 (10V)
Rg
总栅极电荷 (4.5V)
Qg
Qgs
Qgd
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
V
-1.9
-3.0
45.0
65.0
Vgs=-4.5V, Id=-2A
Vds=-5V, Id=-4.8A
50.6
12
63.0
Is=-1A, Vgs=0V
-0.75 -1.00
-2.5
Ta=125℃
Vgs=0V, Vds=-20V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
Vgs=-10V, Vds=-20V, Id=-5A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-20V
td(off) RL=4Ω, Rgen=3Ω
nA
V
A
34.7
52.0
Vgs=-10V, Id=-5A
μA
mΩ
S
V
A
-20
A
657
143
870
200
pF
pF
63
110
pF
6.5
10.0
Ω
13.6
17.0
nC
6.8
1.8
3.9
8.5
2.5
5.0
nC
nC
nC
7.5
6.7
26.0
10.0
9.0
34.0
ns
ns
ns
15.0
29.0
ns
ns
20.0
nC
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
tf
trr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
11.2
22.3
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
15.2
2
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 的静特性是在脉冲小于 300μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
7-5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
复合沟道 MOSFET
AO4614
ELM14614AA-N
■标准特性曲线
(P AND
沟道THERMAL
)
TYPICAL ELECTRICAL
CHARACTERISTICS: P-CHANNEL
25
30
-5V
-6V
-Id (A)
20
Vds=-5V
-4.5V
20
-4V
15
15
-Id (A)
-10V
25
-3.5V
10
10
Vgs=-3V
5
1
2
3
4
0
5
1
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Normalized On-Resistance
1.8
55
Rds(on) (m�)
1.5
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
60
Vgs=-4.5V
50
45
40
Vgs=-10V
35
30
Vgs=-10V
Id=-5A
1.6
1.4
Vgs=-4.5V
Id=-4A
1.2
1
0.8
0
2
4
6
8
10
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
160
1.0E+01
140
1.0E+00
Id=-5A
120
125°C
100
125°C
1.0E-01
-Is (A)
Rds(on) (m�)
25°C
5
0
0
125°C
80
60
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
40
25°C
20
2
3
4
25°C
1.0E-05
5
6
7
8
9
10
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
7-6
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
复合沟道 MOSFET
AO4614
ELM14614AA-N
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: P-CHANNEL
10
1000
Vds=-20V
Id=-5A
800
Capacitance (pF)
-Vgs (Volts)
8
6
4
2
600
400
0
5
10
0
40
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
10ms
20
10
10s
DC
0.1
1
10
100
-Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
30
30
Power (W)
-Id (Amps)
10�s
100�s
1ms
1s
0.1
20
40
Rds(on)
limited
1.0
10
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Tj(max.)=150°C, Ta=25°C
0.1s
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
Crss
0
15
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
10.0
Coss
200
0
100.0
Ciss
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
T
1
10
0.1
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
0.001
0.01
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
100
1000
www.aosmd.com
7-7
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
Similar pages