复合沟道 MOSFET ELM14614AA-N ■概要 ■特点 ELM14614AA-N 是低输入电容、低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=40V P 沟道 ·Vds=-40V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=6A(Vgs=10V) ·Id=-5A(Vgs=-10V) ·Rds(on) < 31mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 45mΩ(Vgs=-10V) ·Rds(on) < 45mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 63mΩ(Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注 漏极 - 源极电压 Vds 40 -40 V 栅极 - 源极电压 Vgs ±20 -5.0 -4.0 V Id ±20 6.0 5.0 Idm lar 4.5 20 12 -3.8 -20 14 Pd 22 2.00 1.28 29 2.00 1.28 Tj,Tstg 1.05 -55 ~ 150 1.05 -55 ~ 150 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） Ta=85℃ 漏极电流（脉冲） 崩溃电流 单脉冲持续崩溃能量 L=0.3mH Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 Eas Ta=85℃ 结合部温度及保存温度范围 A 1 A A 2 mJ W ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≤10s 稳定状态 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 稳定状态 t≤10s 稳定状态 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 稳定状态 Rθja 沟道 典型值 最大值 单位 N 48.0 74.0 62.5 110.0 ℃/W P 35.0 48.0 74.0 50.0 62.5 110.0 35.0 50.0 Rθjl Rθja Rθjl ■引脚配置图 备注 1 3 1 ℃/W 3 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 引脚名称 1 2 3 SOURCE2 GATE2 SOURCE1 4 5 GATE1 DRAIN1 6 7 8 DRAIN1 DRAIN2 DRAIN2 ·N 沟道 ·P 沟道 D2 G2 7-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D1 G1 S2 S1 复合沟道 MOSFET ELM14614AA-N ■电特性 (N 沟道 ) 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 備考 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=10mA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=32V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V 40 1 Ta=55℃ 5 ±100 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.5 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 20 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 脉冲寄生二极管电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss 反馈电容 Crss 栅极电阻 开关特性 总栅极电荷 (10V) Rg 总栅极电荷 (4.5V) Qg Qgs Qgd 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 V 2.3 3.0 μA nA V A 23.2 36.0 31.0 48.0 Vgs=4.5V, Id=5A Vds=5V, Id=6A 32.6 22 45.0 Is=1A, Vgs=0V 0.77 1.00 2.5 V A 20 A 404 95 500 120 pF pF 37 50 pF 2.7 4.0 Ω 8.3 10.0 nC 4.2 1.3 2.3 5.1 2.0 3.0 nC nC nC 4.2 3.3 15.6 5.5 4.5 21.0 ns ns ns 4.0 27.0 ns ns 19.0 nC Vgs=10V, Id=6A Ta=125℃ Vgs=0V, Vds=20V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg Vgs=10V, Vds=20V, Id=6A td(on) tr Vgs=10V, Vds=20V td(off) RL=3.3Ω, Rgen=3Ω 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 tf trr If=6A, dlf/dt=100A/μs 3.0 20.5 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=6A, dlf/dt=100A/μs 14.5 mΩ S 2 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 的静特性是在脉冲小于 300μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 7-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 复合沟道 MOSFET AO4614 ELM14614AA-N ■标准特性曲线 沟道 ) TYPICAL ELECTRICAL(N AND THERMAL CHARACTERISTICS: N-CHANNEL 30 10V 20 5V 25 Vds=5V 4.5V 15 4V 15 Id (A) Id (A) 20 125°C 10 10 Vgs=3.5V 5 5 0 0 1 2 3 4 0 5 2 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 2.5 3 3.5 4 4.5 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 50 1.8 40 Normalized On-Resistance Rds(on) (m�) 25°C Vgs=4.5V 30 Vgs=10V Vgs=10V Id=6A 1.6 Vgs=4.5V Id=5A 1.4 1.2 1 20 0 5 10 15 20 0.8 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 0 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 80 Id=6A 70 1.0E+00 60 125°C 1.0E-01 50 Is (A) Rds(on) (m�) 25 125°C 40 1.0E-02 25°C 1.0E-03 30 20 1.0E-04 25°C 10 2 4 6 8 1.0E-05 10 0.0 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. www.aosmd.com 7-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 复合沟道 MOSFET AO4614 ELM14614AA-N TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: N-CHANNEL 10 Capacitance (pF) 8 Vgs (Volts) 800 Vds=20V Id= 6A 6 4 2 600 Ciss 400 Coss Crss 200 0 0 0 2 4 6 8 0 10 10 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 40 Rds(on) limited 10�s 10.0 1ms 10ms 1s 1.0 10s Tj(max.)=150°C Ta=25°C 0.1s 1 10 Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance 20 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Vds (Volts) D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W Tj(max.)=150°C Ta=25°C 0 0.001 100 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 40 10 DC 0.1 0.1 30 30 100�s Power (W) Id (Amps) 100.0 20 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 www.aosmd.com 复合沟道 MOSFET ELM14614AA-N ■电特性 (P 沟道 ) 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 備考 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-10mA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-32V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V -40 -1 Ta=55℃ -5 ±100 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.5 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V -20 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 脉冲寄生二极管电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss 反馈电容 Crss 栅极电阻 开关特性 总栅极电荷 (10V) Rg 总栅极电荷 (4.5V) Qg Qgs Qgd 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 V -1.9 -3.0 45.0 65.0 Vgs=-4.5V, Id=-2A Vds=-5V, Id=-4.8A 50.6 12 63.0 Is=-1A, Vgs=0V -0.75 -1.00 -2.5 Ta=125℃ Vgs=0V, Vds=-20V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg Vgs=-10V, Vds=-20V, Id=-5A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-20V td(off) RL=4Ω, Rgen=3Ω nA V A 34.7 52.0 Vgs=-10V, Id=-5A μA mΩ S V A -20 A 657 143 870 200 pF pF 63 110 pF 6.5 10.0 Ω 13.6 17.0 nC 6.8 1.8 3.9 8.5 2.5 5.0 nC nC nC 7.5 6.7 26.0 10.0 9.0 34.0 ns ns ns 15.0 29.0 ns ns 20.0 nC 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 tf trr If=-5A, dlf/dt=100A/μs 11.2 22.3 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=-5A, dlf/dt=100A/μs 15.2 2 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 的静特性是在脉冲小于 300μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 7-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 复合沟道 MOSFET AO4614 ELM14614AA-N ■标准特性曲线 (P AND 沟道THERMAL ) TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS: P-CHANNEL 25 30 -5V -6V -Id (A) 20 Vds=-5V -4.5V 20 -4V 15 15 -Id (A) -10V 25 -3.5V 10 10 Vgs=-3V 5 1 2 3 4 0 5 1 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 Normalized On-Resistance 1.8 55 Rds(on) (m�) 1.5 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 60 Vgs=-4.5V 50 45 40 Vgs=-10V 35 30 Vgs=-10V Id=-5A 1.6 1.4 Vgs=-4.5V Id=-4A 1.2 1 0.8 0 2 4 6 8 10 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 160 1.0E+01 140 1.0E+00 Id=-5A 120 125°C 100 125°C 1.0E-01 -Is (A) Rds(on) (m�) 25°C 5 0 0 125°C 80 60 1.0E-02 1.0E-03 1.0E-04 40 25°C 20 2 3 4 25°C 1.0E-05 5 6 7 8 9 10 -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 1.0E-06 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. www.aosmd.com 7-6 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 复合沟道 MOSFET AO4614 ELM14614AA-N TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: P-CHANNEL 10 1000 Vds=-20V Id=-5A 800 Capacitance (pF) -Vgs (Volts) 8 6 4 2 600 400 0 5 10 0 40 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 10ms 20 10 10s DC 0.1 1 10 100 -Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 30 30 Power (W) -Id (Amps) 10�s 100�s 1ms 1s 0.1 20 40 Rds(on) limited 1.0 10 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Tj(max.)=150°C, Ta=25°C 0.1s Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance Crss 0 15 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 10.0 Coss 200 0 100.0 Ciss D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 0 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 T 1 10 0.1 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 0.001 0.01 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 100 1000 www.aosmd.com 7-7 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。