elm14468aa

单 N 沟道 MOSFET
ELM14468AA-N
■概要
■特点
ELM14468AA-N 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=11.6A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 14mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 22mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
30
±20
11.6
9.2
50
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
V
V
A
1
A
2
Pd
3.1
2.0
W
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≤10s
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 引脚架热阻
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
备注
31
40
℃/W
59
16
75
24
℃/W
℃/W
1
3
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
2
引脚名称
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM14468AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
30
0.003
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=10mA
1.5
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
50
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
Gfs
Vsd
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=10A
Vds=5V, Id=11.6A
Is=1A, Vgs=0V
2.0
11.0
14.0
17.0
21.0
17.4
19
0.73
22.0
Is
Ciss
955
输出电容
反馈电容
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
145
112
Rg
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Qg
Qg
Qgs
栅极 - 漏极电荷
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=10V, Vds=15V, Id=11.6A
3.0
μA
nA
V
A
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
栅极电阻
开关特性
1.000
5.000
±100
栅极阈值电压
Vgs=10V
Rds(on) Id=11.6A
V
mΩ
1.00
S
V
4.5
A
1200
pF
pF
pF
0.50
0.85
Ω
17.0
9.0
3.4
24.0
12.0
nC
nC
nC
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
4.7
5.0
6.0
6.5
7.5
nC
ns
ns
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) RL=1.3Ω, Rgen=3Ω
tf
19.0
4.5
25.0
6.0
ns
ns
19
9
21
12
ns
nC
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
If=11.6A, dlf/dt=100A/μs
If=11.6A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
AO4468
ELM14468AA-N
■标准特性和热特性曲线
TYPICAL
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
70
35
10V
6V
60
4.5V
50
25
40
Id(A)
Id (A)
Vds=5V
30
VDS=VGS ID=1mA
30
25°C
5
10
0
0
0
1
2
3
1.5
4
2
25
800
140
80
0.5
Normalized On-Resistance
1.8
20
2.5
3
3.5
1.6
Vgs=4.5V
15
7
1.4
15
10
Vgs=10V
5
5
10
15
4.5
220
140
Vgs=10V
Id=11.6A
Vgs=4.5V
Id=10A
1.2
0
4
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Rds(on) (m�)
125°C1.8
1.4
50
15
10
Vgs=3.5V
20
20
1
0.8
20
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
50
1.0E+01
Id=11.6A
1.0E+00
1.0E-01
Is (A)
Rds(on) (m�)
40
30
125°C
1.0E-02
125°C
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR25°C
USES AS CRITICAL
1.0E-03
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED.
AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISI
OUT OF20
SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
25°C
1.0E-04
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE
1.0E-05
10
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.0
AO4468
单 N 沟道 MOSFET
ELM14468AA-N
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
1250
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
1500
Vds=15V
Id=11.6A
6
VDS=VGS ID=1mA
4
2
Ciss
1000
750
1.4
50
500
1.8
Coss
250
0
0
4
8
12
16
20
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
15
20
25
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
1ms
100�s
0.1s
1.0
1s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
DC
1
0.1
10
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
15
7
30
20
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
100
Vds (Volts)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
220
140
0
0.0001 0.001
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
30
10
10s
0.1
10
800
140
80
0.5
40
Power (W)
Id (Amps)
10�s
Rds(on)
limited
10ms
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
5
50
100.0
10.0
Crss
0
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
Pd
COMPONENTS
NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISI
0.1 IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
Ton
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE
Single Pulse
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
如需确认语言的准确性
, 请参考 ELM 的英文版或日文版。
Alpha & Omega Semiconductor,
Ltd.
100
1000
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