ETC BUL45D2/D

ON Semiconductor
High Speed, High Gain Bipolar
NPN Power Transistor with
Integrated Collector-Emitter
Diode and Built-in Efficient
Antisaturation Network
BUL45D2
POWER TRANSISTORS
5 AMPERES
700 VOLTS
75 WATTS
The BUL45D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar
transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot
minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for
light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee an
hFE window.
Main features:
• Low Base Drive Requirement
• High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA
• Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the
•
•
•
H2BIP Structure which Minimizes the Spread
Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode
Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCE(sat)
“6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter
Spreads
It’s characteristics make it also suitable for PFC application.
CASE 221A–09
TO–220AB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage
VCEO
400
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
VCBO
700
Vdc
Collector–Emitter Breakdown Voltage
VCES
700
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEBO
12
Vdc
IC
Adc
Collector Current — Continuous
— Peak (1)
ICM
5
10
Base Current — Continuous
Base Current — Peak (1)
IB
IBM
2
4
Adc
*Total Device Dissipation @ TC = 25C
*Derate above 25°C
PD
75
0.6
Watt
W/C
TJ, Tstg
–65 to 150
C
RθJC
RθJA
1.65
62.5
TL
260
Operating and Storage Temperature
THERMAL CHARACTERISTICS
C/W
Thermal Resistance
— Junction to Case
— Junction to Ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:
1/8″ from case for 5 seconds
C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.
 Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
March, 2001 – Rev. 2
1
Publication Order Number:
BUL45D2/D
BUL45D2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
VCEO(sus)
400
450
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(ICBO = 1 mA)
VCBO
700
910
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IEBO = 1 mA)
VEBO
12
14.1
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCEO, IB = 0)
ICEO
100
µAdc
ICES
100
500
100
µAdc
IEBO
100
µAdc
OFF CHARACTERISTICS
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0)
Collector Cutoff Current (VCE = 500 V, VEB = 0)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 125°C
Emitter–Cutoff Current
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
ON CHARACTERISTICS
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 0.8 Adc, IB = 80 mAdc)
VBE(sat)
Vdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.8
0.7
1
0.9
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.89
0.79
1
0.9
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.28
0.32
0.4
0.5
(IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.32
0.38
0.5
0.6
(IC = 0.8 Adc, IB = 40 mAdc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.46
0.62
0.75
1
(IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 0.8 Adc, IB = 80 mAdc)
DC Current Gain
(IC = 0.8 Adc, VCE = 1 Vdc)
(IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc)
VCE(sat)
Vdc
hFE
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
22
20
34
29
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
10
7
14
9.5
—
DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
(IEC = 1 Adc)
VEC
V
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
1.04
0.7
1.5
(IEC = 2 Adc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
1.2
1.6
(IEC = 0.4 Adc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.85
0.62
1.2
Forward Recovery Time (see Figure 27)
(IF = 1 Adc, di/dt = 10 A/µs)
Tfr
330
@ TC = 25°C
(IF = 2 Adc, di/dt = 10 A/µs)
@ TC = 25°C
360
(IF = 0.4 Adc, di/dt = 10 A/µs)
@ TC = 25°C
320
http://onsemi.com
2
ns
BUL45D2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)
fT
13
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Cob
50
75
pF
Input Capacitance
(VEB = 8 Vdc)
Cib
340
500
pF
VCE(dsat)
3.7
9.4
V
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
Dynamic Saturation
Voltage:
Determined 1 µs and
3 µs respectively
after rising IB1
reaches 90% of final
IB1
IC = 1 A
IB1 = 100 mA
VCC = 300 V
IC = 2 A
IB1 = 0
0.8
8A
VCC = 300 V
@ 1 µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ 3 µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.35
2.7
V
@ 1 µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
3.9
12
V
@ 3 µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.4
1.5
V
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C. ≤ 10%, Pulse Width = 20 µs)
Turn–on Time
Turn–off Time
IC = 2 Adc, IB1 = 0.4 Adc
IB2 = 1 Adc
VCC = 300 Vdc
Turn–on Time
Turn–off Time
IC = 2 Adc, IB1 = 0.4 Adc
IB2 = 0.4
0 4 Adc
VCC = 300 Vdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton
90
105
150
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
toff
1.15
1.5
1.3
µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton
90
110
150
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
toff
2.4
µs
2.1
3.1
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (Vclamp = 300 V, VCC = 15 V, L = 200 µH)
Fall Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
90
93
150
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
0.72
1.05
0.9
µs
Crossover Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
95
95
150
ns
Fall Time
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
80
105
150
ns
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
2.25
µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
300
ns
Storage Time
Storage Time
Crossover Time
IC = 1 Adc
IB1 = 100 mAdc
IB2 = 500 mAdc
IC = 2 Adc
IB1 = 0.4 Adc
IB2 = 0.4 Adc
http://onsemi.com
3
1.95
2.9
225
450
BUL45D2
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
100
100
VCE = 5 V
TJ = 125°C
60
TJ = 25°C
40
TJ = -20°C
hFE , DC CURRENT GAIN
hFE , DC CURRENT GAIN
VCE = 1 V
80
20
0
0.001
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 25°C
60
40
TJ = -20°C
20
0
0.001
10
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
10
10
TJ = 25°C
IC/IB = 5
3
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volt
4
2
5A
1
IC = 500 mA
0
0.001
0.01
1A
2A
3A
4A
TJ = 25°C
1
TJ = 125°C
TJ = -20°C
0.1
1
IB, BASE CURRENT (AMPS)
0.1
0.001
10
Figure 3. Collector Saturation Region
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
10
10
IC/IB = 20
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
IC/IB = 10
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 125°C
80
1
TJ = -20°C
1
TJ = -20°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1
0.001
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
0.001
10
Figure 5. Collector–Emitter Saturation Voltage
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 6. Collector–Emitter Saturation Voltage
http://onsemi.com
4
BUL45D2
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
10
10
IC/IB = 10
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
IC/IB = 5
TJ = 25°C
TJ = -20°C
1
TJ = 125°C
0.1
0.001
1
TJ = -20°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
1
0.01
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
0.001
10
Figure 7. Base–Emitter Saturation Region
10
FORWARD DIODE VOLTAGE (VOLTS)
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
IC/IB = 20
TJ = -20°C
1
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0.1
0.001
125°C
0.1
0.01
10
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
25°C
1
Figure 9. Base–Emitter Saturation Region
1
0.1
REVERSE EMITTER-COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 10. Forward Diode Voltage
1000
1000
Cib (pF)
TJ = 25°C
f(test) = 1 MHz
BVCER @ 10 mA
900
100
BVCER (VOLTS)
C, CAPACITANCE (pF)
10
Figure 8. Base–Emitter Saturation Region
10
Cob (pF)
10
1
10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
700
600
400
100
BVCER(sus) @ 200 mA
10
Figure 11. Capacitance
100
RBE (Ω)
Figure 12. BVCER = f(ICER)
http://onsemi.com
5
TJ = 25°C
800
500
1
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1000
BUL45D2
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
5
1000
t, TIME (ns)
800
TJ = 125°C
TJ = 25°C
600
IC/IB = 10
400
IC/IB = 5
0
0.5
1
2
2.5
3
1.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
3
2
3.5
0
4
0.5
2
2.5
3
3.5
4
5
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
IC/IB = 5
2
1
3
2
1
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0
2
1
3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
4
t, TIME (s)
µ
3
t, TIME (s)
µ
1.5
Figure 14. Resistive Switch Time, toff
4
4
TJ = 125°C
TJ = 25°C
0
600
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
500
4
400
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IBoff = IBon
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
300
tc
t, TIME (ns)
400
1
3
2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 16. Inductive Storage Time,
tsi @ IC/IB = 10
Figure 15. Inductive Storage Time,
tsi @ IC/IB = 5
t, TIME (ns)
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 13. Resistive Switch Time, ton
0
IC/IB = 5
TJ = 125°C
TJ = 25°C
1
200
IBon = IBoff
VCC = 300 V
PW = 20 µs
IC/IB = 10
4
t, TIME (s)
µ
IBon = IBoff
VCC = 300 V
PW = 20 µs
300
200
200
100
100
0
TJ = 125°C
TJ = 25°C
tfi
0
1
3
2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0
4
0
Figure 17. Inductive Switching,
tc & tfi @ IC/IB = 5
1
2
3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 18. Inductive Switching,
tfi @ IC/IB = 10
http://onsemi.com
6
4
BUL45D2
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
1500
5
t, TIME (ns)
1000
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
t si , STORAGE TIME (µs)
IBoff = IBon
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
500
IC = 1 A
4
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
3
IC = 2 A
0
0
2
1
3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
2
4
0
5
Figure 19. Inductive Switching,
tc @ IC/IB = 10
1400
IBoff = IBon
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IC = 1 A
250
150
4
6
8
10
12
14
hFE, FORCED GAIN
16
18
1000
600
400
0
20
IC = 1 A
2
6
8
10
12
14
hFE, FORCED GAIN
16
18
20
360
2000
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
t fr , FORWARD RECOVERY TIME (ns)
IB1 = IB2
t, TIME (ns)
4
Figure 22. Inductive Crossover Time
3000
IB = 50 mA
IB = 100 mA
IB = 200 mA
IB = 500 mA
0
0.5
IC = 2 A
800
Figure 21. Inductive Fall Time
1000
TJ = 125°C
TJ = 25°C
200
IC = 2 A
2
IBon = IBoff
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
1200
t c , CROSSOVER TIME (ns)
350
t fi , FALL TIME (ns)
20
15
Figure 20. Inductive Storage Time
450
50
10
hFE, FORCED GAIN
1
IB = 1 A
3
1.5
2
2.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
3.5
dI/dt = 10 A/µs
TC = 25°C
340
320
300
4
0
Figure 23. Inductive Storage Time, tsi
0.5
1
1.5
IF, FORWARD CURRENT (AMP)
Figure 24. Forward Recovery Time tfr
http://onsemi.com
7
2
BUL45D2
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
10
VCE
9
dyn 1 µs
IC
90% IC
8
dyn 3 µs
tfi
tsi
7
6
0V
Vclamp
5
10% IC
10% Vclamp
tc
4
IB
90% IB
3
1 µs
2
IB
90% IB1
1
3 µs
0
TIME
0
Figure 25. Dynamic Saturation
Voltage Measurements
2
3
VFR (1.1 VF unless
otherwise specified)
VF
tfr
0.1 VF
0
IF
10% IF
0
2
4
TIME
5
6
7
Figure 26. Inductive Switching Measurements
VFRM
VF
1
6
4
Figure 27. tfr Measurements
http://onsemi.com
8
8
10
8
BUL45D2
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
+15 V
1 µF
150 Ω
3W
100 Ω
3W
VCE PEAK
MTP8P10
MPF930
VCE
RB1
MUR105
MPF930
+10 V
IB1
Iout
IB
A
50 Ω
MTP12N10
150 Ω
3W
500 µF
IB2
RB2
MJE210
COMMON
IC PEAK
100 µF
MTP8P10
V(BR)CEO(sus)
L = 10 mH
RB2 = ∞
VCC = 20 Volts
IC(pk) = 100 mA
1 µF
-Voff
Inductive Switching
L = 200 µH
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired IB1
RBSOA
L = 500 µH
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired IB1
TYPICAL CHARACTERISTICS
1 µs
10
10 µs
5 ms
1
DC
0.1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
6
10
1 ms
EXTENDED SOA
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
100
100
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
4
3
2
Figure 28. Forward Bias Safe Operating Area
-5 V
1
0
1000
TC ≤ 125°C
GAIN ≥ 5
LC = 2 mH
5
0V
200
-1.5 V
300
400
500
600
700
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 29. Reverse Bias Safe Operating Area
http://onsemi.com
9
800
BUL45D2
TYPICAL CHARACTERISTICS
POWER DERATING FACTOR
1
SECOND BREAKDOWN
DERATING
0.8
0.6
THERMAL DERATING
0.4
0.2
0
20
100
80
120
60
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
40
160
140
Figure 30. Forward Bias Power Derating
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC–VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate. The data of Figure 28 is
based on TC = 25°C; TJ(pk) is variable depending on power
level. Second breakdown pulse limits are valid for duty
cycles to 10% but must be derated when TC > 25°C. Second
breakdown limitations do not derate the same as thermal
limitations. Allowable current at the voltages shown on
Figure 28 may be found at any case temperature by using the
appropriate curve on Figure 30.
TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 31. At any
case temperatures, thermal limitations will reduce the power
that can be handled to values less than the limitations
imposed by second breakdown. For inductive loads, high
voltage and current must be sustained simultaneously during
turn–off with the base to emitter junction reverse biased. The
safe level is specified as a reverse biased safe operating area
(Figure 29). This rating is verified under clamped conditions
so that the device is never subjected to an avalanche mode.
TYPICAL THERMAL RESPONSE
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
(NORMALIZED)
1
0.5
0.2
0.1
0.1
P(pk)
0.05
0.02
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
SINGLE PULSE
0.01
0.01
0.1
1
RθJC(t) = r(t) RθJC
RθJC = 2.5°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t)
10
t, TIME (ms)
Figure 31. Typical Thermal Response (ZθJC(t)) for BUL45D2
http://onsemi.com
10
100
1000
BUL45D2
PACKAGE DIMENSIONS
TO–220AB
CASE 221A–09
ISSUE AA
–T–
B
SEATING
PLANE
C
F
T
S
4
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
A
Q
1 2 3
U
H
K
Z
L
R
V
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
J
G
D
N
http://onsemi.com
11
INCHES
MIN
MAX
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
----0.080
MILLIMETERS
MIN
MAX
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
----2.04
BUL45D2
ON Semiconductor and
are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes
without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular
purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability,
including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or
death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold
SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable
attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim
alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
NORTH AMERICA Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: [email protected]
Fax Response Line: 303–675–2167 or 800–344–3810 Toll Free USA/Canada
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
EUROPE: LDC for ON Semiconductor – European Support
German Phone: (+1) 303–308–7140 (Mon–Fri 2:30pm to 7:00pm CET)
Email: [email protected]
French Phone: (+1) 303–308–7141 (Mon–Fri 2:00pm to 7:00pm CET)
Email: [email protected]
English Phone: (+1) 303–308–7142 (Mon–Fri 12:00pm to 5:00pm GMT)
Email: [email protected]
CENTRAL/SOUTH AMERICA:
Spanish Phone: 303–308–7143 (Mon–Fri 8:00am to 5:00pm MST)
Email: [email protected]
Toll–Free from Mexico: Dial 01–800–288–2872 for Access –
then Dial 866–297–9322
ASIA/PACIFIC: LDC for ON Semiconductor – Asia Support
Phone: 1–303–675–2121 (Tue–Fri 9:00am to 1:00pm, Hong Kong Time)
Toll Free from Hong Kong & Singapore:
001–800–4422–3781
Email: [email protected]
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: [email protected]
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
EUROPEAN TOLL–FREE ACCESS*: 00–800–4422–3781
*Available from Germany, France, Italy, UK, Ireland
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
http://onsemi.com
12
BUL45D2/D