elm588822a

デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン)
ELM588822A-S
■概要
■特長
ELM588822A-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Vds=20V
・ Id=7.2A
MOSFET です。
・ Rds(on) = 28mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) = 32mΩ (Vgs=2.5V)
・ Rds(on) = 45mΩ (Vgs=1.8V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
記号
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Vds
Vgs
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
接続温度範囲及び保存温度範囲
A
A
2.8
Pd
Tc=70℃
V
V
4.8
20
Idm
Tc=25℃
最大許容損失
20
±12
7.2
W
1.8
-55 ~ 150
Tj, Tstg
℃
■熱特性
項目
記号
最大接合部 - 周囲温度
Typ.
Rθja
■端子配列図
TSSOP-8(TOP VIEW)
Max.
単位
62.5
℃/W
■回路
端子番号
端子記号
1
2
DRAIN1/DRAIN2
SOURCE1
3
4
5
SOURCE1
GATE1
GATE2
6
7
8
SOURCE2
SOURCE2
DRAIN1/DRAIN2
5-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン)
ELM588822A-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗
20
V
Vds=16V, Vgs=0V
1
Vds=16V, Vgs=0V, Ta=85℃
30
Vds=0V, Vgs=±12V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Vgs=4.5V, Id=7.2A
Rds(on) Vgs=2.5V, Id=4.8A
Vgs=1.8V, Id=3.0A
0.4
10
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
Is=1.6A, Vgs=0V
0.7
動的特性
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
ゲート - ソース電荷
Qgs
Qg
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=7A
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgd
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
RL=1.4Ω, Id=1A
td(off)
Rgen=3Ω
tf
Vgs=4.5V, Vds=10V
5-2
V
A
32
45
25
Crss
0.8
27
36
Vds=5V, Id=7A
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
nA
28
Gfs
Vgs=0V, Vds=20V
f=1MHz
±100
24
順方向相互コンダクタンス
μA
mΩ
S
1.2
1.5
V
A
700
75
pF
pF
45
pF
650
nC
200
nC
180
8
12
nC
ns
12
32
10
20
40
15
ns
ns
ns
AFN8822
Alfa-MOS
20V Common-Drain N-Channel
Technology
Enhancement
Mode MOSFET
( コモンドレイン)
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM588822A-S
Typical
Characteristics
■標準特性と熱特性曲線
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Nov. 2010
www.alfa-mos.com
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Alfa-MOS
20V Common-Drain N-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン)
ELM588822A-S
Typical Characteristics
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Alfa-MOS
20V Common-Drain N-Channel
Technology
Enhancement
Mode MOSFET
( コモンドレイン)
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM588822A-S
Typical
Characteristics
■テスト回路と波形
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