シングル P チャンネル MOSFET ELM14419AA-N ■概要 ■特長 ELM14419AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ・ Id=-9.7A (Vgs=-10V) オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Rds(on) < 20mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 35mΩ (Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -30 V Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 Id Idm Tc=25℃ 最大許容損失 Tc=70℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg ±20 -9.7 -8.1 V A 1 -40 3.0 A 2 W 1 2.1 -55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード 記号 t≦10s 定常状態 定常状態 Rθja Rθjl ■端子配列図 Typ. 31 Max. 40 単位 ℃/W 63 21 75 30 ℃/W ℃/W 備考 1 3 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 端子記号 SOURCE 2 3 4 SOURCE SOURCE GATE 5 6 7 DRAIN DRAIN DRAIN 8 DRAIN 4-1 � � � シングル P チャンネル MOSFET ELM14419AA-N ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-24V Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V -30 Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.4 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V -40 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Vgs=-10V Rds(on) Id=-9.7A Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Ciss 出力容量 Coss 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 Crss Rg 総ゲート電荷 (10V) 総ゲート電荷 (4.5V) ゲート - ソース電荷 Qg Qg Qgs Ta=125℃ Vgs=-4.5V, Id=-7A Vds=-5V, Id=-9.7A Is=-1A, Vgs=0V -2.0 μA ±100 nA -2.7 V 16.0 20.9 20.0 26.0 mΩ 26.0 21.7 -0.7 35.0 -1.0 S V -1.2 A 1573 1900 pF Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz 319 pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 211 6.7 pF Ω Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-9.7A 26.4 13.7 3.8 Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=1.5Ω, Rgen=3Ω tf trr If=-9.7A, dlf/dt=100A/μs Qrr -1 -5 A Is ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 V If=-9.7A, dlf/dt=100A/μs 8.0 32.0 17.0 nC nC nC 6.8 9.5 8.0 nC ns ns 44.2 22.2 25.2 ns ns ns 14.1 31.0 nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル P チャンネル MOSFET ELM14419AA-N ■標準特性と熱特性曲線 30 30 -10V -5V 25 -4V 20 15 -Id(A) 20 -Id (A) Vds=-5V 25 -3.5V 15 10 10 5 125°C 5 Vgs=-3V 0 25°C 0 0 1 2 3 4 5 1 1.5 35 Normalized On-Resistance Rds(on) (m�) 2.5 3 3.5 4 4.5 5 1.60 30 Vgs=-4.5V 25 20 15 Vgs=-10V 10 0 5 10 15 20 Id=-9.7A 1.40 Vgs=-10V 1.20 Vgs=-4.5V Id=-7A 1.00 0.80 25 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 60 1.0E+01 1.0E+00 Id=-9.7A 50 1.0E-01 40 30 -Is (A) Rds(on) (m�) 2 -Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 125°C 20 125°C 1.0E-02 1.0E-03 1.0E-04 25°C 10 1.0E-05 25°C 1.0E-06 0 3 4 5 6 7 8 9 10 -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 1.0 シングル P チャンネル MOSFET ELM14419AA-N 10 2000 1750 Capacitance (pF) 8 -Vgs (Volts) 2250 Vds=-15V Id=-9.7A 6 4 Ciss 1500 1250 1000 750 Coss 500 2 Crss 250 0 0 4 8 12 16 20 24 0 28 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Tj(max)=150°C, Ta=25°C 1ms 10ms 1.0 1s 10s 10 100 -Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 20 DC 1 10 25 10 0.1 0.1 20 30 100�s 0.1s 15 40 10�s Rds(on) limited 10.0 10 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) 100.0 5 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 0 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 T 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000