elm14440aa

シングル N チャンネル MOSFET
ELM14440AA-N
■概要
■特長
ELM14440AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=60V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=5A (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 55mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
60
V
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
Id
パルス ・ ドレイン電流
Idm
Tc=25℃
最大許容損失
Pd
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
±20
5
4
V
A
1
20
2.5
A
2
W
1.6
-55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
記号
Typ.
Max.
単位
備考
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
t≦10s
定常状態
Rθja
38
69
50
80
℃/W
℃/W
1
最大接合部 - リード
定常状態
Rθjl
24
30
℃/W
3
■端子配列図
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
端子記号
1
2
3
SOURCE
SOURCE
SOURCE
4
5
6
GATE
DRAIN
DRAIN
7
8
DRAIN
DRAIN
4-1
D
G
S
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14440AA-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
Vds=48V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Vgs=10V
Rds(on) Id=5A
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
動的特性
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
Crss
Rg
総ゲート電荷 (10VV)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
Qg
Qg
Qgs
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=4A
Vds=5V, Id=5A
1.0
20
μA
100
nA
2.3
3.0
V
A
42
55
75
mΩ
75
Is=1A, Vgs=0V
0.78
1.00
4
V
A
540
Vgs=0V, Vds=30V, f=1MHz
450
60
pF
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
25
1.65
Vgs=10V, Vds=30V, Id=5A
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=30V
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=6Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=5A, dlf/dt=100A/μs
Qrr
5
54
11
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
V
1
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
順方向相互コンダクタンス
60
If=5A, dlf/dt=100A/μs
8.5
4.3
1.6
S
2.00
10.5
5.5
pF
Ω
nC
nC
nC
2.2
5.1
2.6
7.0
4.0
nC
ns
ns
15.9
2.0
25.1
20.0
3.0
35.0
ns
ns
ns
28.7
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル N チャンネル MOSFET
AO4440
ELM14440AA-N
■標準特性と熱特性曲線
TYPICAL
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: N-CHANNEL
20
15
10.0V
5.0V
VDS=5V
10
4.5V
10
125°C
ID(A)
ID (A)
15
4.0V
5
5
25°C
VGS=3.5V
0
0
1
2
3
4
0
5
2
VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
3.5
4
4.5
5
2
80
Normalized On-Resistance
90
RDS(ON) (mΩ )
3
VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
100
VGS=4.5V
70
60
50
VGS=10V
40
30
20
0
5
10
15
1.8
VGS=10V
ID=5A
1.6
VGS=4.5V
ID=4A
1.4
1.2
1
0.8
20
0
ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
160
1.0E+01
ID=5A
140
1.0E+00
125°C
1.0E-01
100
IS (A)
120
RDS(ON) (mΩ )
2.5
125°C
1.0E-02
25°C
1.0E-03
80
1.0E-04
25°C
60
1.0E-05
40
2
4
6
8
10
VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
1.0
シングル N チャンネル MOSFET
AO4440
ELM14440AA-N
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: N-CHANNEL
10
Capacitance (pF)
8
VGS (Volts)
800
VDS=30V
ID= 5A
6
4
2
600
Ciss
400
Coss
200
Crss
0
0
0
2
4
6
8
10
0
10
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
40
RDS(ON)
limited
10µs
10.0
100µs
10ms
1ms
1s
1.0
10s
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
0.1s
10
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
VDS (Volts)
Zθ JA Normalized Transient
Thermal Resistance
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
RθJA=40°C/W
60
20
0
0.001
100
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
50
10
DC
1
40
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
30
0.1
0.1
30
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
ID (Amps)
100.0
20
0.01
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
PD
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
100
1000
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