注文コード No. N 7 4 4 7 A CPH5818 No. N 7 4 4 7 A 91003 半導体ニューズ No. N7447 とさしかえてください。 CPH5818 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ （MCH3339） とショットキバリアダイオード（SBS007M）を 1 パッケージに内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・ ［MOS］1)低オン抵抗。 2)超高速スイッチング。 ・ ［SBD］ 1)逆回復時間が短い。 2)低順電圧。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ ［MOSFET 部］ ドレイン・ソース電圧 VDSS − 12 unit V ゲート・ソース電圧 ドレイン電流（DC） VGSS ID ± 12 − 1.5 V A ドレイン電流（パルス） 許容損失 IDP PD − 6.0 0.8 A W チャネル温度 保存周囲温度 Tch Tstg 150 − 55 ∼＋ 125 ℃ ℃ PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 1unit ［SBD 部］ unit 繰り返しピーク逆電圧 VRRM 非繰り返しピーク逆サージ電圧 VRSM 平均整流電流 サージ電流 IO IFSM 接合部温度 保存周囲温度 Tj Tstg 単体品名表示：QU 15 15 V V 0.5 3 A A − 55 ∼＋ 125 − 55 ∼＋ 125 ℃ ℃ 50Hz 正弦波 1 サイクル 電気的接続図 2.9 4 0.15 3 1 2 (Top view) 1 2 0.95 0.4 0.2 1 : Gathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.05 0.6 1.6 3 0.4 0.9 4 0.7 5 2.8 0.6 5 0.2 外形図 2171 (unit : mm) 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode SANYO : CPH5 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 91003 TS IM 一部変 / 32603 TS IM ◎佐藤 TA-3843 No.7447-1/5 CPH5818 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ （1） MOSFET 部 ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 min typ max unit −1 V µA ± 10 − 2.4 µA V 1.4 200 270 S mΩ 490 530 mΩ mΩ ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) ID= − 1mA, VGS=0 VDS= − 12V, VGS=0 VGS= ± 9.6V, VDS=0 VDS= − 6V, ID= − 1mA 順伝達アドミタンス ドレイン・ソース間オン抵抗 yfs RDS(on)1 VDS= − 6V, ID= − 0.8A ID= − 0.8A, VGS= − 10V RDS(on)2 RDS(on)3 ID= − 0.4A, VGS= − 4.5V ID= − 0.1A, VGS= − 4V 340 370 入力容量 出力容量 Ciss Coss 145 45 pF pF 帰還容量 ターンオン遅延時間 Crss td(on) VDS= − 6V, f=1MHz VDS= − 6V, f=1MHz VDS= − 6V, f=1MHz 指定回路において 35 7.5 pF ns 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 tr td(off) 〃 〃 20 16 ns ns 下降時間 総ゲート電荷量 tf Qg 〃 12 3.8 ns nC ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 Qgs Qgd VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 1.5A 0.5 0.5 nC nC ダイオード順電圧 VSD IS= − 1.5A, VGS=0 （2） SBD 部 逆電圧 − 12 − 1.0 0.9 VR VF1 VF2 IR=0.5mA 逆電流 端子間容量 IR C VR=6V VR=10V, f=1MHz サイクル 逆回復時間 trr IF=IR=100mA, 指定回路において IF=0.3A IF=0.5A V typ max unit V 0.35 0.4 0.41 0.46 V V 200 µA pF 10 ns 20 trr 指定回路図 （SBD 部） Duty≦10% 100mA 0V --10V ID= --0.8A RL=12.5Ω D VOUT PW=10µs D.C.≦1% 50Ω 100Ω 10Ω 100mA VIN 10mA VDD= --10V VIN − 1.5 min 15 順電圧 スイッチングタイム測定回路図 （MOSFET 部） − 0.94 10µs --5V G trr CPH5818 P.G 50Ω S No.7447-2/5 CPH5818 [MOSFET部] V -4 .5 --1.8 --6. --10 V 0V ID -- VDS --2.0 . -4 --3.0V --1.2 --1.0 VGS= --2.5V --0.8 --0.6 --1.4 --1.2 --1.0 --0.8 --0.6 --0.4 --0.2 --0.2 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 800 Ta=25°C --0.4A 700 ID= --0.1A --0.8A 500 400 300 200 100 0 0 --2 --4 --6 --8 --10 0 --1.0 --12 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT05615 yfs -- ID [MOSFET部] 10 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 800 700 600 500 V = --4.0 A, V GS 1 . 0 -V I D= = --4.5 A, V GS 4 . 0 -I D= --10V A, V GS= I D= --0.8 400 300 200 100 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 IF -- VSD --10 7 5 5 --3.5 ゲート・ソース電圧, VGS -- V IT05614 RDS(on) -- Ta [MOSFET部] 100 120 140 周囲温度, Ta -- °C VDS= --10V 7 --0.5 160 IT05616 [MOSFET部] VGS=0 3 2 °C a= 25 T 1.0 °C --25 C 75° 7 5 --1.0 7 5 3 2 3 --0.1 7 5 2 3 25 °C 25° C 75° C 2 = -- 順電流, IF -- A 3 Ta ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 0 --0.1 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT05613 RDS(on) -- VGS [MOSFET部] 600 25 °C --0.4 Ta =7 5°C --25 °C --1.4 ドレイン電流, ID -- A --1.6 0 0 順伝達アドミタンス, yfs -- S [MOSFET部] VDS= --10V --1.8 --1.6 ドレイン電流, ID -- A ID -- VGS --2.0 0V 2 0.1 --0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 SW Time -- ID 1000 7 5 5 7 --10 IT05617 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 ダイオード順電圧, VSD -- V [MOSFET部] IT05618 Ciss, Coss, Crss -- VDS [MOSFET部] 3 VDD= --10V VGS= --10V f=1MHz 2 Ciss 3 2 Ciss, Coss, Crss -- pF スイッチングタイム, SW Time -- ns ドレイン電流, ID -- A --0.01 --0.4 100 7 5 3 2 td(off) 10 7 5 tf td(on) 7 Coss Crss 5 3 2 tr 3 100 2 1.0 --0.01 10 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 ドレイン電流, ID -- A 2 3 5 7 --10 IT05619 0 --2 --4 --6 --8 --10 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V --12 IT05620 No.7447-3/5 CPH5818 VGS -- Qg --10 ドレイン電流, ID -- A --2 7 5 3 2 0 0 1 2 3 4 0.8 セ ラ ミ 0.6 ッ ク 基 板 (6 00 m 0.4 m2 × 0.8 m m )装 0.2 着 時 1u ni s Ta=25°C 1パルス セラミック基板(600mm2×0.8mm)装着時 1unit --0.01 --0.01 総ゲート電荷量, Qg -- nC IT05621 [MOSFET部] PD -- Ta 1.0 s Operation in this area is limited by RDS(on). --0.1 7 5 3 2 --1 許容損失, PD -- W --1.0 0m n io --3 m 10 at --4 10 ID= --1.5A 100µs er op --5 3 2 ＜10µs C D --6 [MOSFET部] IDP= --6A s --8 --7 ASO --10 7 5 1m --9 ゲート・ソース電圧, VGS -- V [MOSFET部] VDS= --10V ID= --1.5A 2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7--10 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 2 3 5 IT05890 t 0 0 20 40 60 80 100 140 120 周囲温度, Ta -- °C IF -- VF 2 [SBD部] 7 5 3 2 0.1 7 5 3 [SBD部] Ta=125°C 10 7 5 3 2 100°C 1.0 7 5 3 2 75°C 50°C 0.1 7 5 3 2 25°C 0.01 7 5 3 2 0.001 2 0.01 0 0.1 0.2 0.3 0.4 [SBD部] (1)方形波 θ=60° (2)方形波 θ=120° (3)方形波 θ=180° (4)正弦波 θ=180° 0.3 5 (2) (4) (3) 方形波 0.2 [SBD部] f=1MHz 7 (1) 0.25 15 IT02954 C -- VR 100 端子間容量, C -- pF 0.35 10 逆電圧, VR -- V IT02953 PF(AV) -- IO 0.4 5 0 0.5 順電圧, VF -- V 平均順電力損失, PF(AV) -- W IR -- VR 100 7 5 3 2 逆電流, IR -- mA 上から Ta=125°C 100°C 75°C 50°C 25°C 1.0 順電流, IF -- A 160 IT05891 θ 360° 0.15 0.1 3 2 10 7 5 3 正弦波 0.05 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 2 180° 360° 0.5 平均順電流, IO -- A 0.6 0.7 IT02955 1.0 1.0 2 3 5 7 逆電圧, VR -- V 10 2 3 IT02956 No.7447-4/5 CPH5818 IS -- t 3.5 [SBD部] サージ順電流, IS(ピーク値) -- A 電流波形 50Hz正弦波 3.0 IS 20ms t 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 7 0.01 2 3 5 7 0.1 2 3 時間, t -- s 5 7 1.0 2 3 IT05889 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7447-5/5