SANYO 2SJ643

注文コード No. N 7 3 0 9
2SJ643
N7309
83002
新
2SJ643
特長
P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・低オン抵抗。
・1.8V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
VDSS
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流 (DC)
VGSS
ID
IDP
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
PD
ドレイン電流 (パルス)
許容損失
Tc=25℃
− 20
unit
V
± 10
−6
V
A
− 24
1
A
W
W
℃
℃
チャネル温度
Tch
10
150
保存周囲温度
Tstg
− 55 ∼+ 150
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS ID= − 1mA, VGS=0
ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS
VDS= − 20V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
IGSS
VGS= ± 8V, VDS=0
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
min
− 20
VDS= − 10V, ID= − 1mA
VDS= − 10V, ID= − 3A
typ
− 0.3
2.1
max
unit
V
− 10
± 10
µA
µA
− 1.0
V
S
3
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単体品名表示 : J643
外形図 2092B
(unit : mm)
2.3
0.85
0.7
0.5
0.5
0.6
0.5
1
2.3
2
3
2.3
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
2.3
2.5
2
0.8
1
0.6
7.5
0.8
1.6
0.85
1.2
1.2
5.5
7.0
5.5
6.5
5.0
4
0.5
1.5
2.3
1.5
6.5
5.0
4
7.0
外形図 2083B
(unit : mm)
3
1.2
0∼0.2
2.3
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP-FA
SANYO : TP
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
83002 TS IM ◎佐藤 TA-100036 No.7309--1/4
2SJ643
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min
ドレイン・ソース間オン抵抗
typ
max
unit
RDS(on)1
RDS(on)2
ID= − 3A, VGS= − 4V
ID= − 1.5A, VGS= − 2.5V
120
150
160
210
mΩ
mΩ
ID= − 0.1A, VGS= − 1.8V
VDS= − 10V, f=1MHz
200
410
300
入力容量
RDS(on)3
Ciss
mΩ
pF
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
60
40
pF
pF
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
指定回路において
〃
10
20
ns
ns
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(on)
tr
td(off)
tf
〃
〃
30
10
ns
ns
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
Qg
Qgs
VDS= − 10V, VGS= − 4V, ID= − 6A
4.4
0.6
nC
nC
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
1.2
− 1.0
nC
V
IS= − 6A, VGS=0
− 1.2
スイッチングタイム測定回路図
VDD= --10V
VIN
0V
--4V
ID= --3A
RL=3.33Ω
VIN
D
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
G
2SJ643
P.G
50Ω
S
ID -- VDS
--6
ID -- VGS
--8
--4
V
.5
-2
--1.8V
--1.5V
--2
--6
--4
--2
5°C
°C --25
°C
-3
V
ドレイン電流, ID -- A
--10
V
--4V
VGS= --1.0V
25
0
0
Tc
=7
ドレイン電流, ID -- A
VDS= --10V
0
--0.1 --0.2
--0.3
--0.4 --0.5
--0.6
--0.7 --0.8 --0.9 --1.0
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT05012
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--3.0
IT05013
No.7309--2/4
RDS(on) -- VGS
400
ID= --3A
Tc=25°C
350
--1.5A
300
--0.1A
250
200
150
100
50
0
0
--2
--4
--6
--8
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
300
V
= --1.8
A, V GS
.1
0
-I D=
= --2.5V
.5A, V GS
1
-=
ID
250
200
150
4V
= -A, V GS
I D= --3
100
50
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
5
160
IT05015
IF -- VSD
--10
7
5
VGS=0
3
1.0
7
5
--1.0
7
5
3
2
3
--0.1
7
5
2
3
--25
Tc
=7
5°
25 C
°C
25
= -°C °C
75 25
2
Tc
°C
°C
2
3
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
350
ケース温度, Tc -- °C
VDS= --10V
7
RDS(on) -- Tc
400
IT05014
yfs -- ID
10
--10
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
2SJ643
2
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
ドレイン電流, ID -- A
2
Ciss, Coss, Crss -- pF
100
7
td (o
ff)
3
tf
tr
td(on)
10
--1.2
IT05017
f=1MHz
5
2
--1.0 --1.1
7
2
5
--0.8 --0.9
Ciss, Coss, Crss -- VDS
1000
VDD= --10V
VGS= --4V
3
--0.6 --0.7
ダイオード順電圧, VSD -- V
Ciss
3
2
100
7
Coss
5
Crss
7
3
5
3
2
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
ドレイン電流, ID -- A
2
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT05018
VGS -- Qg
--10
3
--18
--20
IT05019
ASO
5
VDS= --10V
ID= --3A
IDP= --24A
<10µs
2
10
--8
ドレイン電流, ID -- A
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--0.4 --0.5
IT05016
SW Time -- ID
5
スイッチングタイム, SW Time -- ns
--0.01
--0.2 --0.3
--6
--4
--2
--10
7
5
ID= --6A
3
DC
2
1m
10 s
m
s
op
er
--1.0
ati
on
Operation in this area
is limited by RDS(on).
7
5
10
0m
s
3
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
総ゲート電荷量, Qg -- nC
8
9
10
IT05020
0µ
s
Tc=25°C
1パルス
--0.01
--0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2
3
IT05021
No.7309--3/4
2SJ643
PD -- Ta
1.2
10
許容損失, PD -- W
1.0
許容損失, PD -- W
PD -- Tc
12
0.8
0.6
0.4
0.2
8
6
4
2
0
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT05022
0
20
40
60
80
100
120
ケース温度, Tc -- °C
140
160
IT05023
PS No.7309--4/4