INFINEON CLY10

CLY 10
GaAs FET
_________________________________________________________________________________________________________
Datasheet
* Power amplifier for mobile phones
* For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz
* Wide operating voltage range: 2.7 to 6 V
* POUT at VD=3V, f=1.8GHz 28.5 dBm typ.
* High efficiency better 55 %
ESD:
Electrostatic discharge sensitive device,
observe handling precautions!
Type
CLY 10
Marking
CLY 10
Ordering code
(taped)
1
Q62702-L94
G
Maximum ratings
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current
Channel temperature
Storage temperature
Total power dissipation (Ts < 80 °C) 2)
Total power dissipation (Ts < 110 °C) 2)
Thermal resistance
Channel - soldering point 2)
Pin Configuration
2
3
4
S
D
S
Package 1)
SOT 223
Symbol
VDS
Values
Unit
9
V
VDG
VGS
12
V
-6
V
ID
2.1
A
TCh
Tstg
150
°C
-55...+150
°C
PtotDC
3.5
2.0
W
RthChS
≤20
K/W
1) Dimensions see chapter Package Outlines
2) Ts is measured on the source lead to the PCB under load.
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 1/7
17.12.96
HL EH PD 21
CLY 10
GaAs FET
_________________________________________________________________________________________________________
Electrical characteristics (TA = 25°C , unless otherwise specified)
Characteristics
Drain-source saturation current
VDS = 3 V
VDS = 3 V
ID = 700 mA
Pin = 0 dBm
VDS = 3 V
ID = 700 mA
Pin = 0 dBm
1.2
1.6
2.4
A
ID
-
-
200
µA
IG
-
10
35
µA
VGS(p)
-3.8
-2.8
-1.8
V
VDS = 3 V ID = 700 mA
Pin = 20.5 dBm
8
-
Po
28
28.5
-
dBm
Po
32.0
32.5
-
dBm
P1dB
-
28.5
-
dBm
P1dB
-
32.5
-
dBm
PAE
40
55
-
%
f = 0.9 GHz
f = 1.8 GHz
f = 1.8GHz
Power Added Efficiency
VDS = 5 V ID = 700 mA
Pin = 20 dBm
dB
f = 1.8 GHz
1dB-Compression Point
ID = 700 mA
-
-
f = 1.8 GHz
1dB-Compression Point
ID = 700 mA
9
G
Output Power
VDS = 5 V ID = 700 mA
Pin = 20 dBm
dB
-
f = 1.8 GHz
Output Power
*
IDSS
G
Small Signal Gain **)
VDS = 5 V
Unit
ID=200µA
Small Signal Gain *)
VDS = 3 V
max
VGS = -3.8 V
Pinch-off Voltage
VDS= 3 V
typ
VGS = -3.8 V
Gate pinch-off current
VDS = 3 V
min
VGS = 0 V
Drain-source pinch-off current
VDS = 3 V
Symbol
f = 1.8 GHz
) Matching conditions for maximum small signal gain: f = 1.8 GHz
Source Match: Γms: MAG = 0.70, ANG -116°; Load Match: Γml: ;MAG 0.68, ANG -145°
**
) Power matching conditions: f = 1.8 GHz
Source Match: Γms: MAG = 0.70, ANG -120°; Load Match: Γml: ;MAG 0.78, ANG -130°
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 2/7
17.12.96
HL EH PD 21
CLY 10
GaAs FET
_________________________________________________________________________________________________________
Compression Power vs. Drain-Source Voltage
f = 1.8GHz; IDS = 0.5 IDSS
P1dB
ηD
40
[dBm]
35
80
[%]
70
16
[dB]
14
4.0
[W]
3.5
30
60
12
3.0
25
50
10
2.5
20
40
8
2.0
15
30
6
1.5
10
20
4
1.0
5
10
2
0.5
0
0
0
0
1
2
3
4
5
6
P1dB
Small Signal Gain
7[V] 8
0
0
1
2
3
4
5
6
7[V] 8
Drain-Source Voltage
Drain-Source Voltage
Output Characteristics
1,8
PtotDC
Draincurrent [A]
1,6
VGS=0V
1,4
VGS=-0.5V
1,2
1
VGS=-1V
0,8
VGS=-1.5V
0,6
0,4
VGS=-2V
0,2
VGS=-2.5V
0
0
1
2
3
4
5
6
Drain-Source Voltage [V]
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 3/7
17.12.96
HL EH PD 21
CLY 10
GaAs FET
_________________________________________________________________________________________________________
typ. Common Source S-Parameters
VDS = 3 V
f
GHz
S11
MAG
0,1
0,15
0,2
0,25
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,2
1,4
1,5
1,6
1,8
2
2,2
2,4
2,5
3
3,5
4
4,5
5
5,5
6
0,97
0,94
0,92
0,89
0,88
0,85
0,84
0,83
0,83
0,83
0,83
0,83
0,83
0,84
0,84
0,85
0,86
0,87
0,88
0,88
0,88
0,9
0,9
0,91
0,92
0,93
0,93
0,92
ANG
S21
MAG
-46,7
-66,5
-83,8
-98,3
-110,6
-130,5
-145,7
-157,8
-167,9
-176,7
175,5
168,6
156,3
145,5
140,4
135,6
126,4
117,9
110
102,7
99
83,3
70,3
59,4
49,1
39,4
29,7
20,8
12,54
11,55
10,29
9,27
8,35
6,8
5,67
4,85
4,2
3,69
3,29
2,95
2,45
2,07
1,91
1,77
1,54
1,35
1,19
1,06
0,99
0,74
0,57
0,46
0,38
0,33
0,28
0,25
Siemens Aktiengesellschaft
ID = 700 mA
ANG
S12
MAG
152,1
139,8
129,8
121,5
113,8
102
92
83,9
76,8
70,1
64,1
58,5
47,7
37,7
33
28,3
19,2
10,5
2,1
-6
-9,8
-27,3
-41,4
-52,8
-63,3
-73,5
-82,9
-90,9
0,01013
0,01418
0,01729
0,01981
0,02179
0,02484
0,02739
0,02978
0,03211
0,03431
0,03669
0,03901
0,04357
0,04826
0,05055
0,05255
0,05666
0,06018
0,06309
0,06575
0,06683
0,07096
0,0727
0,07424
0,07458
0,07561
0,07602
0,07392
pg. 4/7
Zo = 50 Ω
ANG
S22
MAG
ANG
71
63,5
57,8
53,6
49,5
45,7
42,8
41
39,8
38,5
37,2
36,2
33,1
29,8
28,2
26,3
22,1
17,8
13,7
9,6
7,3
-2,7
-11,6
-19,4
-27,5
-34,8
-42,6
-50,4
0,55
0,57
0,58
0,61
0,62
0,64
0,65
0,66
0,66
0,68
0,68
0,69
0,69
0,7
0,72
0,72
0,73
0,75
0,76
0,76
0,77
0,79
0,81
0,84
0,85
0,88
0,89
0,9
-175,9
-175,9
-177,6
-178,6
-179,6
176,6
173,9
170,4
167,9
165,1
162,1
160,1
154,8
149,4
147,3
144,3
139
134,2
129,5
124,8
121,7
110,1
99,4
89,2
80
70,2
60
49
17.12.96
HL EH PD 21
CLY 10
GaAs FET
_________________________________________________________________________________________________________
typ. Common Source S-Parameters
VDS = 5 V
f
GHz
S11
MAG
0,1
0,15
0,2
0,25
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,2
1,4
1,5
1,6
1,8
2
2,2
2,4
2,5
3
3,5
4
4,5
5
5,5
6
0,96
0,93
0,91
0,88
0,87
0,84
0,83
0,82
0,82
0,81
0,82
0,82
0,82
0,83
0,84
0,84
0,85
0,86
0,87
0,88
0,88
0,9
0,91
0,91
0,92
0,93
0,93
0,92
ANG
S21
MAG
-48,5
-68,8
-86,4
-101
-113,2
-132,9
-147,7
-159,5
-169,4
-177,9
174,5
167,7
155,7
145,1
140,1
135,4
126,3
118
110,1
102,8
99,1
83,3
70,3
59,3
48,9
39,2
29,5
20,6
14,2
12,97
11,48
10,26
9,19
7,43
6,17
5,25
4,54
3,98
3,55
3,17
2,62
2,2
2,04
1,88
1,63
1,42
1,25
1,1
1,03
0,76
0,57
0,45
0,37
0,31
0,26
0,23
ID = 700 mA
ANG
S12
MAG
150,6
137,9
127,5
119,1
111,4
99,4
89,4
81,2
73,9
67,1
61
55,1
43,9
33,6
28,7
23,8
14,3
5,1
-3,6
-12,2
-16,1
-34,4
-49
-60,5
-71,1
-81,2
-90,4
-97,9
0,01079
0,01503
0,01801
0,02041
0,02224
0,02486
0,02691
0,02894
0,03078
0,03264
0,03469
0,03667
0,04065
0,04503
0,04721
0,04917
0,05335
0,05705
0,0602
0,06313
0,06448
0,06956
0,07219
0,07429
0,07489
0,07614
0,07667
0,07466
Zo = 50 Ω
ANG
S22
MAG
ANG
68,9
60,6
54,4
50,1
45,9
41,7
39,1
37,6
36,7
35,8
35
34,4
32,4
29,9
28,8
27,2
23,5
19,7
15,9
12
9,9
-0,2
-9
-17,1
-25,5
-32,9
-40,9
-48,6
0,45
0,47
0,5
0,53
0,55
0,56
0,58
0,59
0,6
0,61
0,61
0,62
0,64
0,65
0,66
0,67
0,69
0,71
0,72
0,73
0,74
0,77
0,81
0,83
0,85
0,89
0,9
0,91
-171,9
-171,3
-173,3
-174,5
-175,6
-179,8
177,5
173,8
171,4
168,7
165,8
163,9
158,8
153,6
151,6
148,5
143,3
138,5
133,8
129
125,9
113,9
102,8
92,1
82,5
72,3
61,7
51
Additional S-Parameter available on CD.
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 5/7
17.12.96
HL EH PD 21
GaAs FET
CLY 10
_________________________________________________________________________________________________________
Total Power Dissipation
PtotDC = f(Ts)
Permissible Pulse Load
Ptotmax/PtotDC = f(tp)
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 6/7
17.12.96
HL EH PD 21
CLY 10
GaAs FET
_________________________________________________________________________________________________________
CLY10 Power GaAs-FET Matching Conditions
Definition:
Γ
Γ
Measured Data:
Typ
f
[GHz]
VDS
[V]
ID
[mA]
P-1dB
[dBm]
Gain
[dB]
Γms
MAG
Γms
ANG
Γml
MAG
Γml
ANG
CLY10
0.9
3
5
6
3
5
6
3
5
6
3
5
6
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
26.7
32.0
33.8
28.5
32.5
33.3
28.5
32.5
33.3
27.9
31.3
33.3
15.3
15.4
14.9
10.0
10.1
10.2
9.0
9.5
9.7
7.2
7.4
7.5
0.58
0.57
0.56
0.70
0.67
0.67
0.70
0.70
0.73
0.77
0.74
0.73
169
173
174
-135
-127
-134
-120
-120
-125
-86
-92
-87
0.68
0.69
0.68
0.79
0.76
0.72
0.78
0.78
0.77
0.73
0.65
0.70
-156
-157
-155
-132
-133
-132
-123
-125
-126
-107
-110
-110
1.5
1.8
2.4
Note: Gain is small signal gain @ Γms and Γml
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 7/7
17.12.96
HL EH PD 21