CLY 10 GaAs FET _________________________________________________________________________________________________________ Datasheet * Power amplifier for mobile phones * For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz * Wide operating voltage range: 2.7 to 6 V * POUT at VD=3V, f=1.8GHz 28.5 dBm typ. * High efficiency better 55 % ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions! Type CLY 10 Marking CLY 10 Ordering code (taped) 1 Q62702-L94 G Maximum ratings Drain-source voltage Drain-gate voltage Gate-source voltage Drain current Channel temperature Storage temperature Total power dissipation (Ts < 80 °C) 2) Total power dissipation (Ts < 110 °C) 2) Thermal resistance Channel - soldering point 2) Pin Configuration 2 3 4 S D S Package 1) SOT 223 Symbol VDS Values Unit 9 V VDG VGS 12 V -6 V ID 2.1 A TCh Tstg 150 °C -55...+150 °C PtotDC 3.5 2.0 W RthChS ≤20 K/W 1) Dimensions see chapter Package Outlines 2) Ts is measured on the source lead to the PCB under load. Siemens Aktiengesellschaft pg. 1/7 17.12.96 HL EH PD 21 CLY 10 GaAs FET _________________________________________________________________________________________________________ Electrical characteristics (TA = 25°C , unless otherwise specified) Characteristics Drain-source saturation current VDS = 3 V VDS = 3 V ID = 700 mA Pin = 0 dBm VDS = 3 V ID = 700 mA Pin = 0 dBm 1.2 1.6 2.4 A ID - - 200 µA IG - 10 35 µA VGS(p) -3.8 -2.8 -1.8 V VDS = 3 V ID = 700 mA Pin = 20.5 dBm 8 - Po 28 28.5 - dBm Po 32.0 32.5 - dBm P1dB - 28.5 - dBm P1dB - 32.5 - dBm PAE 40 55 - % f = 0.9 GHz f = 1.8 GHz f = 1.8GHz Power Added Efficiency VDS = 5 V ID = 700 mA Pin = 20 dBm dB f = 1.8 GHz 1dB-Compression Point ID = 700 mA - - f = 1.8 GHz 1dB-Compression Point ID = 700 mA 9 G Output Power VDS = 5 V ID = 700 mA Pin = 20 dBm dB - f = 1.8 GHz Output Power * IDSS G Small Signal Gain **) VDS = 5 V Unit ID=200µA Small Signal Gain *) VDS = 3 V max VGS = -3.8 V Pinch-off Voltage VDS= 3 V typ VGS = -3.8 V Gate pinch-off current VDS = 3 V min VGS = 0 V Drain-source pinch-off current VDS = 3 V Symbol f = 1.8 GHz ) Matching conditions for maximum small signal gain: f = 1.8 GHz Source Match: Γms: MAG = 0.70, ANG -116°; Load Match: Γml: ;MAG 0.68, ANG -145° ** ) Power matching conditions: f = 1.8 GHz Source Match: Γms: MAG = 0.70, ANG -120°; Load Match: Γml: ;MAG 0.78, ANG -130° Siemens Aktiengesellschaft pg. 2/7 17.12.96 HL EH PD 21 CLY 10 GaAs FET _________________________________________________________________________________________________________ Compression Power vs. Drain-Source Voltage f = 1.8GHz; IDS = 0.5 IDSS P1dB ηD 40 [dBm] 35 80 [%] 70 16 [dB] 14 4.0 [W] 3.5 30 60 12 3.0 25 50 10 2.5 20 40 8 2.0 15 30 6 1.5 10 20 4 1.0 5 10 2 0.5 0 0 0 0 1 2 3 4 5 6 P1dB Small Signal Gain 7[V] 8 0 0 1 2 3 4 5 6 7[V] 8 Drain-Source Voltage Drain-Source Voltage Output Characteristics 1,8 PtotDC Draincurrent [A] 1,6 VGS=0V 1,4 VGS=-0.5V 1,2 1 VGS=-1V 0,8 VGS=-1.5V 0,6 0,4 VGS=-2V 0,2 VGS=-2.5V 0 0 1 2 3 4 5 6 Drain-Source Voltage [V] Siemens Aktiengesellschaft pg. 3/7 17.12.96 HL EH PD 21 CLY 10 GaAs FET _________________________________________________________________________________________________________ typ. Common Source S-Parameters VDS = 3 V f GHz S11 MAG 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,2 1,4 1,5 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,5 3 3,5 4 4,5 5 5,5 6 0,97 0,94 0,92 0,89 0,88 0,85 0,84 0,83 0,83 0,83 0,83 0,83 0,83 0,84 0,84 0,85 0,86 0,87 0,88 0,88 0,88 0,9 0,9 0,91 0,92 0,93 0,93 0,92 ANG S21 MAG -46,7 -66,5 -83,8 -98,3 -110,6 -130,5 -145,7 -157,8 -167,9 -176,7 175,5 168,6 156,3 145,5 140,4 135,6 126,4 117,9 110 102,7 99 83,3 70,3 59,4 49,1 39,4 29,7 20,8 12,54 11,55 10,29 9,27 8,35 6,8 5,67 4,85 4,2 3,69 3,29 2,95 2,45 2,07 1,91 1,77 1,54 1,35 1,19 1,06 0,99 0,74 0,57 0,46 0,38 0,33 0,28 0,25 Siemens Aktiengesellschaft ID = 700 mA ANG S12 MAG 152,1 139,8 129,8 121,5 113,8 102 92 83,9 76,8 70,1 64,1 58,5 47,7 37,7 33 28,3 19,2 10,5 2,1 -6 -9,8 -27,3 -41,4 -52,8 -63,3 -73,5 -82,9 -90,9 0,01013 0,01418 0,01729 0,01981 0,02179 0,02484 0,02739 0,02978 0,03211 0,03431 0,03669 0,03901 0,04357 0,04826 0,05055 0,05255 0,05666 0,06018 0,06309 0,06575 0,06683 0,07096 0,0727 0,07424 0,07458 0,07561 0,07602 0,07392 pg. 4/7 Zo = 50 Ω ANG S22 MAG ANG 71 63,5 57,8 53,6 49,5 45,7 42,8 41 39,8 38,5 37,2 36,2 33,1 29,8 28,2 26,3 22,1 17,8 13,7 9,6 7,3 -2,7 -11,6 -19,4 -27,5 -34,8 -42,6 -50,4 0,55 0,57 0,58 0,61 0,62 0,64 0,65 0,66 0,66 0,68 0,68 0,69 0,69 0,7 0,72 0,72 0,73 0,75 0,76 0,76 0,77 0,79 0,81 0,84 0,85 0,88 0,89 0,9 -175,9 -175,9 -177,6 -178,6 -179,6 176,6 173,9 170,4 167,9 165,1 162,1 160,1 154,8 149,4 147,3 144,3 139 134,2 129,5 124,8 121,7 110,1 99,4 89,2 80 70,2 60 49 17.12.96 HL EH PD 21 CLY 10 GaAs FET _________________________________________________________________________________________________________ typ. Common Source S-Parameters VDS = 5 V f GHz S11 MAG 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,2 1,4 1,5 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,5 3 3,5 4 4,5 5 5,5 6 0,96 0,93 0,91 0,88 0,87 0,84 0,83 0,82 0,82 0,81 0,82 0,82 0,82 0,83 0,84 0,84 0,85 0,86 0,87 0,88 0,88 0,9 0,91 0,91 0,92 0,93 0,93 0,92 ANG S21 MAG -48,5 -68,8 -86,4 -101 -113,2 -132,9 -147,7 -159,5 -169,4 -177,9 174,5 167,7 155,7 145,1 140,1 135,4 126,3 118 110,1 102,8 99,1 83,3 70,3 59,3 48,9 39,2 29,5 20,6 14,2 12,97 11,48 10,26 9,19 7,43 6,17 5,25 4,54 3,98 3,55 3,17 2,62 2,2 2,04 1,88 1,63 1,42 1,25 1,1 1,03 0,76 0,57 0,45 0,37 0,31 0,26 0,23 ID = 700 mA ANG S12 MAG 150,6 137,9 127,5 119,1 111,4 99,4 89,4 81,2 73,9 67,1 61 55,1 43,9 33,6 28,7 23,8 14,3 5,1 -3,6 -12,2 -16,1 -34,4 -49 -60,5 -71,1 -81,2 -90,4 -97,9 0,01079 0,01503 0,01801 0,02041 0,02224 0,02486 0,02691 0,02894 0,03078 0,03264 0,03469 0,03667 0,04065 0,04503 0,04721 0,04917 0,05335 0,05705 0,0602 0,06313 0,06448 0,06956 0,07219 0,07429 0,07489 0,07614 0,07667 0,07466 Zo = 50 Ω ANG S22 MAG ANG 68,9 60,6 54,4 50,1 45,9 41,7 39,1 37,6 36,7 35,8 35 34,4 32,4 29,9 28,8 27,2 23,5 19,7 15,9 12 9,9 -0,2 -9 -17,1 -25,5 -32,9 -40,9 -48,6 0,45 0,47 0,5 0,53 0,55 0,56 0,58 0,59 0,6 0,61 0,61 0,62 0,64 0,65 0,66 0,67 0,69 0,71 0,72 0,73 0,74 0,77 0,81 0,83 0,85 0,89 0,9 0,91 -171,9 -171,3 -173,3 -174,5 -175,6 -179,8 177,5 173,8 171,4 168,7 165,8 163,9 158,8 153,6 151,6 148,5 143,3 138,5 133,8 129 125,9 113,9 102,8 92,1 82,5 72,3 61,7 51 Additional S-Parameter available on CD. Siemens Aktiengesellschaft pg. 5/7 17.12.96 HL EH PD 21 GaAs FET CLY 10 _________________________________________________________________________________________________________ Total Power Dissipation PtotDC = f(Ts) Permissible Pulse Load Ptotmax/PtotDC = f(tp) Siemens Aktiengesellschaft pg. 6/7 17.12.96 HL EH PD 21 CLY 10 GaAs FET _________________________________________________________________________________________________________ CLY10 Power GaAs-FET Matching Conditions Definition: Γ Γ Measured Data: Typ f [GHz] VDS [V] ID [mA] P-1dB [dBm] Gain [dB] Γms MAG Γms ANG Γml MAG Γml ANG CLY10 0.9 3 5 6 3 5 6 3 5 6 3 5 6 700 700 700 700 700 700 700 700 700 700 700 700 26.7 32.0 33.8 28.5 32.5 33.3 28.5 32.5 33.3 27.9 31.3 33.3 15.3 15.4 14.9 10.0 10.1 10.2 9.0 9.5 9.7 7.2 7.4 7.5 0.58 0.57 0.56 0.70 0.67 0.67 0.70 0.70 0.73 0.77 0.74 0.73 169 173 174 -135 -127 -134 -120 -120 -125 -86 -92 -87 0.68 0.69 0.68 0.79 0.76 0.72 0.78 0.78 0.77 0.73 0.65 0.70 -156 -157 -155 -132 -133 -132 -123 -125 -126 -107 -110 -110 1.5 1.8 2.4 Note: Gain is small signal gain @ Γms and Γml Siemens Aktiengesellschaft pg. 7/7 17.12.96 HL EH PD 21