elm14822aa

デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM14822AA-N
■概要
■特長
ELM14822AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Id=8.5A (Vgs=10V)
MOSFET です。
・ Rds(on) < 16mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 26mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
V
A
1
30
2.00
A
2
Id
パルス ・ ドレイン電流
Idm
Tc=25℃
最大許容損失
±20
8.5
6.6
Pd
Tc=70℃
接続温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
W
1.28
-55 ～ 150
℃
■熱特性
項目
記号
Typ.
Max.
単位
備考
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
t≦10s
定常状態
Rθja
48.0
74.0
62.5
110.0
℃/W
℃/W
1
最大接合部 - リード
定常状態
Rθjl
35.0
40.0
℃/W
3
■端子配列図
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
端子記号
1
SOURCE2
2
3
GATE2
SOURCE1
4
5
6
GATE1
DRAIN1
DRAIN1
7
8
DRAIN2
DRAIN2
4-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM14822AA-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
30
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
30
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Vgs=10V
Rds(on) Id=8.5A
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
Crss
Rg
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
Qg
Qg
Qgs
V
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=6A
Vds=5V, Id=8.5A
Is=1A, Vgs=0V
1.8
1
5
μA
100
nA
3.0
V
A
13.4
20.0
16.0
25.0 mΩ
21.0
23
0.76
26.0
Is
1.00
S
V
3
A
1040 1250
pF
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
180
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
110
0.70
pF
Ω
Vgs=10V, Vds=15V, Id=8.5A
0.85
19.20 23.00 nC
9.36 11.20 nC
2.60
nC
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
4.20
5.2
4.4
7.5
6.5
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=1.8Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=8.5A, dlf/dt=100A/μs
17.3
3.3
16.7
25.0
5.0
21.0
ns
ns
ns
6.7
10.0
nC
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=8.5A, dlf/dt=100A/μs
備考 :
1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。
5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM14822AA-N
■標準特性と熱特性曲線
30
20
4V
10V
25
3.5V
Id (A)
20
Id (A)
Vds=5V
16
4.5V
15
10
12
125°C
8
13.4
Vgs=3V
4
5
0
22
0
0
1
2
3
4
5
1.5
2
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
26
0.76
3
2.5
16
3.5
4
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
26
1.6
24
Vgs=4.5V
22
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
25°C
20
18
16
Vgs=10V
14
12
Vgs=10V
Id=8.5A
1.4
Vgs=4.5V
1.2
1
10
0
5
10
15
0.8
20
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
50
1.0E+01
1.0E+00
Id=8.5A
1.0E-01
30
Is (A)
Rds(on) (m� )
40
125°C
125°C
1.0E-02
25°C
1.0E-03
20
1.0E-04
25°C
1.0E-05
10
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.0
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM14822AA-N
10
1250
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
1500
Vds=15V
Id=8.5A
6
4
2
Ciss
1000
750
500
Coss
0
0
16
22
26
4
8
12
16
Crss
0
20
0
5
15
20
25
0.76
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
100�s
1ms
10.0
10�s
0.1s
1s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
DC
1
0.1
10
D=T on/T
Tj,pk=T a+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
0
0.001
100
Vds (Volts)
10
30
10
10s
0.1
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
40
10ms
1.0
10
50
Rds(on)
limited
Power (W)
Id (Amps)
13.4
250
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000