复合沟道 MOSFET ELM16604EA-S ■概要 ■特点 N 沟道 ELM16604EA-S 是低输入电容、低工 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=20V P 沟道 ·Vds=-20V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=3.4A(Vgs=4.5V) ·Id=-2.5A(Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 60mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 110mΩ(Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 75mΩ(Vgs=2.5V) ·Rds(on) < 140mΩ(Vgs=-2.5V) ·Rds(on) < 100mΩ(Vgs=1.8V) ·Rds(on) < 200mΩ(Vgs=-1.8V) ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） ±8 3.4 2.7 ±8 -2.5 -2.0 V A 1 15 1.15 -15 1.15 A 2 0.73 -55 ~ 150 0.73 -55 ~ 150 Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ 容许功耗 如没有特别注明时, Ta=25℃ N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注 20 -20 V Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj,Tstg W ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≤10s 稳定状态 稳定状态 Rθja 1 2 最大值 单位 N 78 106 64 110 150 80 ℃/W t≤10s 稳定状态 Rθja 78 106 110 150 稳定状态 Rθjl 64 80 P 备注 1 3 1 ℃/W 3 ■电路图 SOT-26(俯视图) 5 典型值 Rθjl ■引脚配置图 6 沟道 4 3 引脚编号 1 2 引脚名称 GATE1 SOURCE2 3 4 5 GATE2 DRAIN2 SOURCE1 6 DRAIN1 ·N 沟道 ·P 沟道 D1 G1 7-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D2 G2 S1 S2 复合沟道 MOSFET ELM16604EA-S ■电特性 (N 沟道 ) 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=16V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±8V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Ta=55℃ 1.0 V A Vgs=2.5V, Id=3A 46 63 57 60 80 75 72 10 100 0.76 1.00 V 2 A 570 pF 66 44 3 4 pF pF Ω 6.2 8.1 nC Gfs 二极管正向压降 Vsd Is=1A, Vgs=0V Ciss 输出电容 反馈电容 栅极电阻 Coss Crss Rg μA 0.6 正向跨导 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 5 nA Vgs=1.8V, Id=2A Vds=5V, Id=3.4A 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 1 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Rds(on) V 100 Vgs=4.5V, Id=3.4A 漏极 - 源极导通电阻 20 0.4 15 Ta=125℃ Is 436 Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg mΩ S 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=3.4A Qgd td(on) 1.6 0.5 5.5 nC nC ns 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=5V, Vds=10V td(off) RL=3Ω, Rgen=3Ω tf 6.3 40.0 12.7 ns ns ns 寄生二极管反向恢复时间 trr If=3.4A, dlf/dt=100A/μs 12.3 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=3.4A, dlf/dt=100A/μs 3.5 16.0 ns nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 7-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 复合沟道 MOSFET AO6604 ELM16604EA-S ■标准特性曲线 沟道 ) AND THERMAL CHARACTERISTICS N-CHANNEL TYPICAL(N ELECTRICAL 16 10 8V Vds=5V 4.5V 8 2V 3V 2.5V 8 6 Id (A) Id (A) 12 4 Vgs=1.5V 4 125°C 2 25°C 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 1.5 2 2.5 1.8 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 100 Vgs=1.8V 80 Vgs=2.5V 60 40 Vgs=4.5V 20 0 4 8 Vgs=2.5V 1.6 Vgs=1.8V Id=3.4A 1.4 Vgs=4.5V 1.2 1 0.8 12 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 100 1E+01 90 1E+00 Id=3.4A 80 125°C 1E-01 70 Is (A) Rds(on) (m� ) 1 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 125°C 60 50 25°C 1E-03 25°C 40 1E-02 1E-04 30 1E-05 20 0 2 4 6 0.0 8 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.0 AO6604 复合沟道 MOSFET ELM16604EA-S N-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 800 5 Vgs (Volts) Capacitance (pF) Vds=10V Id=3.4A 4 3 2 1 600 Ciss 400 Coss 200 0 0 0 2 4 6 0 8 10.0 15 Rds(on) limited 1.0 10�s 1ms 10ms 10s DC 10 0 0.001 0.1 1 Vds (Volts) 10 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=110°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 20 5 1s 0.1 15 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 100�s 0.1s Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance 10 20 Tj(max.)=150°C Ta=25°C Power (W) 100.0 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Id (Amps) Crss In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton T Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000 复合沟道 MOSFET ELM16604EA-S ■电特性 (P 沟道 ) 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-16V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±8V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 漏极 - 源极导通电阻 -1 Ta=55℃ -1.00 V A Vgs=-2.5V, Id=-2A 86 116 113 110 145 140 151 6 200 -0.78 -1.00 V -2 A 700 pF 72 49 12.0 15.6 pF pF Ω 6.1 8.0 nC Vgs=-4.5V Id=-2.5A Gfs 二极管正向压降 Vsd Is=-1A, Vgs=0V Ciss 输出电容 反馈电容 栅极电阻 Coss Crss Rg -0.30 -15 Ta=125℃ 4 Is Qg μA -0.55 正向跨导 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 -5 nA Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V Rds(on) V ±100 Vgs=-1.8V, Id=-1A Vds=-5V, Id=-3A 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 -20 540 Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-4.5V, Vds=-10V mΩ S 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Id=-2.5A Qgd td(on) 0.6 1.6 10 nC nC ns 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=-4.5V, Vds=-10V td(off) RL=3.9Ω, Rgen=3Ω tf 12 44 22 ns ns ns 寄生二极管反向恢复时间 trr If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs 21.0 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs 7.5 28.0 ns nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 7-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 复合沟道 MOSFET AO6604 ELM16604EA-S ■标准特性曲线 (P ELECTRICAL 沟道 ) P-CHANNEL TYPICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 6 15 -4.5V -3.0V Vds=-5V -2.5V -8V 4 10 5 -Id (A) -Id (A) -2.0V 2 Vgs=-1.5V 125°C 25°C 0 0 0 1 2 3 4 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 5 0 200 1 1.5 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 2 Normalized On-Resistance 1.8 Vgs=-1.8V Rds(on) (m� ) 0.5 150 Vgs=-2.5V 100 Vgs=-4.5V 50 Vgs=-2.5V Id=-2.5A 1.6 Vgs=-1.8V 1.4 Vgs=-4.5V 1.2 1 0.8 0 2 4 6 0 25 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1E+01 200 1E+00 1E-01 -Is (A) Rds(on) (m� ) Id=-2.5A 150 125°C 100 25°C 125°C 1E-02 25°C 1E-03 1E-04 1E-05 50 0 2 4 6 8 -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 1E-06 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7-6 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 复合沟道 MOSFET AO6604 ELM16604EA-S P-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 800 5 Vds=-10V Id=-2.5A Capacitance (pF) -Vgs (Volts) 4 3 2 1 0 0 2 4 6 Ciss 600 400 Crss 200 Coss 0 8 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 20 100�s 10.0 10�s 1ms Rds(on) limited 0.1s 10ms 10s DC 1 -Vds (Volts) 10 100 10 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 10 0 0.001 0.1 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=110°C/W Pd 0.1 0.01 0.00001 20 5 1s 1 15 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 15 Power (W) -Id (Amps) Tj(max.)=150°C Ta=25°C 0.1 10 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 100.0 1.0 5 Ton Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7-7 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000