elm16604ea

复合沟道 MOSFET
ELM16604EA-S
■概要
■特点
N 沟道
ELM16604EA-S 是低输入电容、低工
作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=20V
P 沟道
·Vds=-20V
同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=3.4A(Vgs=4.5V)
·Id=-2.5A(Vgs=-4.5V)
·Rds(on) < 60mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 110mΩ(Vgs=-4.5V)
·Rds(on) < 75mΩ(Vgs=2.5V) ·Rds(on) < 140mΩ(Vgs=-2.5V)
·Rds(on) < 100mΩ(Vgs=1.8V) ·Rds(on) < 200mΩ(Vgs=-1.8V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
±8
3.4
2.7
±8
-2.5
-2.0
V
A
1
15
1.15
-15
1.15
A
2
0.73
-55 ~ 150
0.73
-55 ~ 150
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
容许功耗
如没有特别注明时, Ta=25℃
N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注
20
-20
V
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj,Tstg
W
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≤10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
1
2
最大值
单位
N
78
106
64
110
150
80
℃/W
t≤10s
稳定状态
Rθja
78
106
110
150
稳定状态
Rθjl
64
80
P
备注
1
3
1
℃/W
3
■电路图
SOT-26(俯视图)
5
典型值
Rθjl
■引脚配置图
6
沟道
4
3
引脚编号
1
2
引脚名称
GATE1
SOURCE2
3
4
5
GATE2
DRAIN2
SOURCE1
6
DRAIN1
·N 沟道
·P 沟道
D1
G1
7-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D2
G2
S1
S2
复合沟道 MOSFET
ELM16604EA-S
■电特性 (N 沟道 )
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=16V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±8V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Ta=55℃
1.0
V
A
Vgs=2.5V, Id=3A
46
63
57
60
80
75
72
10
100
0.76
1.00
V
2
A
570
pF
66
44
3
4
pF
pF
Ω
6.2
8.1
nC
Gfs
二极管正向压降
Vsd
Is=1A, Vgs=0V
Ciss
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss
Crss
Rg
μA
0.6
正向跨导
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
5
nA
Vgs=1.8V, Id=2A
Vds=5V, Id=3.4A
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
1
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Rds(on)
V
100
Vgs=4.5V, Id=3.4A
漏极 - 源极导通电阻
20
0.4
15
Ta=125℃
Is
436
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
mΩ
S
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=3.4A
Qgd
td(on)
1.6
0.5
5.5
nC
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=5V, Vds=10V
td(off) RL=3Ω, Rgen=3Ω
tf
6.3
40.0
12.7
ns
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=3.4A, dlf/dt=100A/μs
12.3
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=3.4A, dlf/dt=100A/μs
3.5
16.0
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
7-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
复合沟道 MOSFET
AO6604
ELM16604EA-S
■标准特性曲线
沟道 ) AND THERMAL CHARACTERISTICS
N-CHANNEL
TYPICAL(N
ELECTRICAL
16
10
8V
Vds=5V
4.5V
8
2V
3V
2.5V
8
6
Id (A)
Id (A)
12
4
Vgs=1.5V
4
125°C
2
25°C
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1.5
2
2.5
1.8
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
100
Vgs=1.8V
80
Vgs=2.5V
60
40
Vgs=4.5V
20
0
4
8
Vgs=2.5V
1.6
Vgs=1.8V
Id=3.4A
1.4
Vgs=4.5V
1.2
1
0.8
12
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
100
1E+01
90
1E+00
Id=3.4A
80
125°C
1E-01
70
Is (A)
Rds(on) (m� )
1
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
125°C
60
50
25°C
1E-03
25°C
40
1E-02
1E-04
30
1E-05
20
0
2
4
6
0.0
8
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.0
AO6604
复合沟道 MOSFET
ELM16604EA-S
N-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
800
5
Vgs (Volts)
Capacitance (pF)
Vds=10V
Id=3.4A
4
3
2
1
600
Ciss
400
Coss
200
0
0
0
2
4
6
0
8
10.0
15
Rds(on)
limited
1.0
10�s
1ms
10ms
10s
DC
10
0
0.001
0.1
1
Vds (Volts)
10
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=110°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
20
5
1s
0.1
15
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
100�s
0.1s
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
10
20
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
Power (W)
100.0
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Id (Amps)
Crss
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
T
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
复合沟道 MOSFET
ELM16604EA-S
■电特性 (P 沟道 )
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-16V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±8V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
-1
Ta=55℃
-1.00
V
A
Vgs=-2.5V, Id=-2A
86
116
113
110
145
140
151
6
200
-0.78
-1.00
V
-2
A
700
pF
72
49
12.0
15.6
pF
pF
Ω
6.1
8.0
nC
Vgs=-4.5V
Id=-2.5A
Gfs
二极管正向压降
Vsd
Is=-1A, Vgs=0V
Ciss
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss
Crss
Rg
-0.30
-15
Ta=125℃
4
Is
Qg
μA
-0.55
正向跨导
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
-5
nA
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Rds(on)
V
±100
Vgs=-1.8V, Id=-1A
Vds=-5V, Id=-3A
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
-20
540
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
mΩ
S
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs
Id=-2.5A
Qgd
td(on)
0.6
1.6
10
nC
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
td(off) RL=3.9Ω, Rgen=3Ω
tf
12
44
22
ns
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs
21.0
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=-2.5A, dlf/dt=100A/μs
7.5
28.0
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
7-5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
复合沟道 MOSFET
AO6604
ELM16604EA-S
■标准特性曲线
(P ELECTRICAL
沟道 )
P-CHANNEL TYPICAL
AND THERMAL CHARACTERISTICS
6
15
-4.5V
-3.0V
Vds=-5V
-2.5V
-8V
4
10
5
-Id (A)
-Id (A)
-2.0V
2
Vgs=-1.5V
125°C
25°C
0
0
0
1
2
3
4
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
5
0
200
1
1.5
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
2
Normalized On-Resistance
1.8
Vgs=-1.8V
Rds(on) (m� )
0.5
150
Vgs=-2.5V
100
Vgs=-4.5V
50
Vgs=-2.5V
Id=-2.5A
1.6
Vgs=-1.8V
1.4
Vgs=-4.5V
1.2
1
0.8
0
2
4
6
0
25
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1E+01
200
1E+00
1E-01
-Is (A)
Rds(on) (m� )
Id=-2.5A
150
125°C
100
25°C
125°C
1E-02
25°C
1E-03
1E-04
1E-05
50
0
2
4
6
8
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
1E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7-6
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.2
复合沟道 MOSFET
AO6604
ELM16604EA-S
P-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
800
5
Vds=-10V
Id=-2.5A
Capacitance (pF)
-Vgs (Volts)
4
3
2
1
0
0
2
4
6
Ciss
600
400
Crss
200
Coss
0
8
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
20
100�s
10.0
10�s
1ms
Rds(on)
limited
0.1s
10ms
10s
DC
1
-Vds (Volts)
10
100
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
10
0
0.001
0.1
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=110°C/W
Pd
0.1
0.01
0.00001
20
5
1s
1
15
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
15
Power (W)
-Id (Amps)
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
0.1
10
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100.0
1.0
5
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7-7
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100
1000
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