elm16800ea

デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM16800EA-S
■概要
■特長
ELM16800EA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Id=3.4A (Vgs=10V)
MOSFET です。
・ Rds(on) < 60mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 115mΩ (Vgs=2.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
備考
Vds
Vgs
Ta=25℃
連続ドレイン電流
30
±12
3.4
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
2.7
20
Idm
Tc=25℃
最大許容損失
Pd
Tc=70℃
接続温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
V
V
1.15
0.73
-55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
t≦10s
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
Rθja
定常状態
定常状態
Rθjl
■端子配列図
SOT-26(TOP VIEW)
Typ.
78
Max.
110
単位
℃/W
106
64
150
80
℃/W
℃/W
備考
1
3
■回路
端子番号
1
2
端子記号
GATE1
SOURCE2
3
4
5
GATE2
DRAIN2
SOURCE1
6
DRAIN1
4-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM16800EA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
30
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
0.6
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
20
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
Is
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss
Crss
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
1.0
1
5
μA
100
nA
1.4
V
A
50
66
60
80
Vgs=4.5V, Id=3A
Vgs=2.5V, Id=2A
Vds=5V, Id=3A
60
88
7.8
75
115
Is=1A, Vgs=0V
0.8
1.0
1.5
Vgs=10V, Id=3.4A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
V
Ta=125℃
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=15V
Id=3.4A
mΩ
S
V
A
390.0
pF
54.5
41.0
3
pF
pF
Ω
4.96
0.80
nC
nC
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
1.72
6.8
3.6
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=4.7Ω, Rgen=6Ω
tf
trr
If=3.4A, dlf/dt=100A/μs
35.2
13.7
11.4
ns
ns
ns
6.0
nC
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=3.4A, dlf/dt=100A/μs
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM16800EA-S
■標準特性と熱特性曲線
15
10
10V
3V
Vds=5V
8
4.5V
25°C
9
Id (A)
Id (A)
12
2.5V
6
3
125°C
6
4
2
Vgs=2V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
1.5
2
2.5
3
3.5
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
150
Normalized On-Resistance
1.8
125
Rds(on) (m� )
1
Vgs=2.5V
100
Vgs=4.5V
75
50
Vgs=10V
25
0
1.6
Vgs=4.5V
Vgs=10V
1.4
1.2
Vgs=2.5V
1
0.8
0
2
4
6
8
10
0
25
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
200
1.0E+00
Id=2A
1.0E-01
100
Is (A)
Rds(on) (m� )
150
125°C
125°C
1.0E-02
1.0E-03
50
25°C
25°C
1.0E-04
1.0E-05
0
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.2
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM16800EA-S
5
500
Capacitance (pF)
4
Vgs (Volts)
600
Vds=15V
Id=3.4A
3
2
1
Ciss
400
300
200
0
0
1
2
3
4
5
0
6
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Rds(on)
limited
100�s
1ms
10s
DC
0.1
1
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
25
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10
Vds (Volts)
10
0
0.001
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=110°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
20
5
1s
0.1
15
15
10�s
0.1s 10ms
1.0
10
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10.0
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
Id (Amps)
100.0
Crss
Coss
100
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
T
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000
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