デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM16800EA-S ■概要 ■特長 ELM16800EA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Id=3.4A (Vgs=10V) MOSFET です。 ・ Rds(on) < 60mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 115mΩ (Vgs=2.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 規格値 単位 備考 Vds Vgs Ta=25℃ 連続ドレイン電流 30 ±12 3.4 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 2.7 20 Idm Tc=25℃ 最大許容損失 Pd Tc=70℃ 接続温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg V V 1.15 0.73 -55 ～ 150 A 1 A 2 W 1 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 t≦10s 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード Rθja 定常状態 定常状態 Rθjl ■端子配列図 SOT-26(TOP VIEW) Typ. 78 Max. 110 単位 ℃/W 106 64 150 80 ℃/W ℃/W 備考 1 3 ■回路 端子番号 1 2 端子記号 GATE1 SOURCE2 3 4 5 GATE2 DRAIN2 SOURCE1 6 DRAIN1 4-1 �� �� �� �� �� �� デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM16800EA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=24V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 30 Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 0.6 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 20 Rds(on) 順方向相互コンダクタンス Gfs ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Vsd Is 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 Coss Crss Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs 1.0 1 5 μA 100 nA 1.4 V A 50 66 60 80 Vgs=4.5V, Id=3A Vgs=2.5V, Id=2A Vds=5V, Id=3A 60 88 7.8 75 115 Is=1A, Vgs=0V 0.8 1.0 1.5 Vgs=10V, Id=3.4A ドレイン - ソースオン状態抵抗 V Ta=125℃ Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=15V Id=3.4A mΩ S V A 390.0 pF 54.5 41.0 3 pF pF Ω 4.96 0.80 nC nC ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V 1.72 6.8 3.6 nC ns ns ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=4.7Ω, Rgen=6Ω tf trr If=3.4A, dlf/dt=100A/μs 35.2 13.7 11.4 ns ns ns 6.0 nC 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=3.4A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM16800EA-S ■標準特性と熱特性曲線 15 10 10V 3V Vds=5V 8 4.5V 25°C 9 Id (A) Id (A) 12 2.5V 6 3 125°C 6 4 2 Vgs=2V 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 1.5 2 2.5 3 3.5 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 150 Normalized On-Resistance 1.8 125 Rds(on) (m� ) 1 Vgs=2.5V 100 Vgs=4.5V 75 50 Vgs=10V 25 0 1.6 Vgs=4.5V Vgs=10V 1.4 1.2 Vgs=2.5V 1 0.8 0 2 4 6 8 10 0 25 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 200 1.0E+00 Id=2A 1.0E-01 100 Is (A) Rds(on) (m� ) 150 125°C 125°C 1.0E-02 1.0E-03 50 25°C 25°C 1.0E-04 1.0E-05 0 0 2 4 6 8 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 1.2 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM16800EA-S 5 500 Capacitance (pF) 4 Vgs (Volts) 600 Vds=15V Id=3.4A 3 2 1 Ciss 400 300 200 0 0 1 2 3 4 5 0 6 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Rds(on) limited 100�s 1ms 10s DC 0.1 1 Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance 25 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10 Vds (Volts) 10 0 0.001 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=110°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 20 5 1s 0.1 15 15 10�s 0.1s 10ms 1.0 10 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10.0 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) Id (Amps) 100.0 Crss Coss 100 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton T Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000