elm14420aa

シングル N チャンネル MOSFET
ELM14420AA-N
■概要
■特長
ELM14420AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=13.7A (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 10.5mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 12mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
±12
V
13.7
Id
9.7
60
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
3.1
2.0
- 55 ~ 150
A
1
A
2
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
t ≦10s
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
最大接合部 - リード
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
28
Max.
40
単位
℃/W
54
75
℃/W
21
30
℃/W
備考
1
3
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
2
端子記号
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14420AA-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
30
0.004 1.000
μA
5.000
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
0.6
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
40
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Vgs=10V
Rds(on) Id=13.7A
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
Crss
Rg
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
Qg
Qgs
Qgd
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=12.7A
Vds=5V, Id=13.7A
Is=1A, Vgs=0V
V
30
1.1
nA
2.0
V
A
8.3
12.5
10.5
15.0 mΩ
9.7
37
0.76
12.0
Is
1.00
S
V
5
A
3656 4050
pF
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
256
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
168
0.86
pF
Ω
Vgs=10V, Vds=15V
Id=13.7A
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=1.1Ω, Rgen=0Ω
tf
trr
Qrr
100
If=13.7A, dlf/dt=100A/μs
If=13.7A, dlf/dt=100A/μs
1.10
30.5
4.6
8.6
36.0
nC
nC
nC
5.5
3.4
49.8
9.0
7.0
75.0
ns
ns
ns
5.9
22.5
12.5
11.0
28.0
16.0
ns
ns
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14420AA-N
■標準特性と熱特性曲線
60
30
Vgs=5V
50
25
Vgs =2.5V
20
Id(A)
Id(A)
40
30
20
125°C
15
10
Vgs =2.0V
10
25°C
5
0
0
1
2
3
4
0
5
0.0
0.5
Vds(Volts)
1.5
2.0
2.5
3.0
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Figure 1: On-Regions Characteristics
1.8
12
Normalize ON-Resistance
Id=13.7A
11
Rds(on)(m� )
1.0
Vgs =4.5V
10
9
8
Vgs =10V
7
1.6
Vgs=4.5V
1.4
Vgs=10V
1.2
1.0
6
0
5
10
15
20
25
30
0.8
0
Id(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
30
1E+01
Id=13.7A
25
20
1E+00
1E-01
125°C
Is(A)
Rds(on)(m� )
25
15
10
1E-02
1E-03
25°C
5
1E-04
0
1E-05
0
2
125°C
4
6
8
10
25°C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.0
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14420AA-N
5
10000
Vds=15V
Id=13.7A
Ciss
Capacitance (pF)
Vgs(Volts)
4
3
2
1000
Coss
1
Crss
100
0
0
10
20
30
0
40
100
Id(A)
0.1s
1s
1
0.1
1ms
Power (W)
10ms
10s
T j(max) =150°C
Ta =25°C
0.1
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
25
30
30
20
10
0
0.01
100
Vds(Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating
Area (Note 5)
10
20
10
DC
1
15
40
100�s
10
10
50
10�s
Rds(on)
limited
5
Vds(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
D=T on/T
Tj,pk =Ta+Pdm.Z�ja .R�ja
R�ja =40°C/W
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
T on
T
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (S)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedence
4-4
100
1000
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